本发明涉及一种具有密封空气谐振腔的半封装结构,同时也涉及包含该半封装结构的模组及电子设备,属于半导体封装。
背景技术:
1、目前,表面声波滤波器(简称为saw滤波器)在射频前端模块中得到广泛应用。saw滤波器具有很多优点,包括工作频率高、通频带宽、选频特性好、体积小和重量轻等特点,而且可采用与集成电路相同的生产工艺,制造简单,成本低,频率特性的一致性好。
2、saw滤波器是在一块具有压电效应的材料基片上蒸发一层金属膜,然后经光刻,在两端各形成一对叉指(idt)换能器。因此,针对saw滤波器的封装必须要保证叉指换能器表面不能接触其他物质,即需保证其芯片表面是空腔结构,否则影响信号传输。
3、当前,saw滤波器最主流的封装方式是在基板上焊接滤波器,再覆膜、包封、切单,随后二次封装到基板上。或者,在晶圆端完成封盖和挡墙的制作,再封装到模组中。这样的工艺流程相对复杂,成本高。
技术实现思路
1、本发明所要解决的首要技术问题在于提供了一种具有空气谐振腔的半封装结构。
2、本发明所要解决的另一技术问题在于提供了一种包含上述半封装结构的模组。
3、本发明所要解决的又一技术问题在于提供了一种包含上述半封装结构的电子设备。
4、为实现上述技术目的,本发明采用以下的技术方案:
5、根据本发明实施例的第一方面,提供一种具有密封空气谐振腔的半封装结构,包括:
6、芯片体,具有电极面,与所述电极面相对的背面、以及连接所述电极面和所述背面的侧面,在所述电极面上形成有多个电极;
7、介电层,具有表面,在所述表面和所述电极面之间形成空腔,用于容纳多个电极;
8、位于所述空腔内的多个凸块,环绕在所述电极的外周,并且连接所述表面和所述电极面;
9、近密封圈,所述近密封圈的内侧位于所述芯片体的外形线围合范围内,形成重叠区域;
10、基板阻焊层,覆盖所述表面、所述侧面以及所述背面,并且所述基板阻焊层连接所述电极面与所述近密封圈。
11、其中较优地,所述近密封圈延伸进入所述重叠区域,并且位于所述芯片体与所述近密封圈的表面之间,以将所述芯片体与所述近密封圈之间的缝隙封堵。
12、其中较优地,所述近密封圈为非连续金属或绝缘围栏,存在间隙。
13、其中较优地,所述半封装结构还包括位于所述介电层的盲孔,所述介电层的表面与所述盲孔的底部之间形成高度差,
14、所述凸块的一部分被限制在所述盲孔内。
15、其中较优地,所述近密封圈由铜柱和第二介电层组成。
16、其中较优地,所述第二介电层采用光固化或光热混合固化干膜型材料,夹设于所述基板阻焊层与所述介电层的表面之间,并且位于所述凸块的外周。
17、其中较优地,所述第二介电层围绕所述铜柱,并且填充满所述铜柱与所述凸块之间的区域。
18、其中较优地,所述半封装结构还包括屏蔽层,
19、所述近密封圈的表面与屏蔽层通过通孔电连接,以利用所述屏蔽层、所述通孔以及所述近密封圈共同实现屏蔽。
20、根据本发明实施例的第二方面,提供一种模组,其中包含如前述的具有密封空气谐振腔的半封装结构。
21、根据本发明实施例的第三方面,提供一种电子设备,其中包含如前述的具有密封空气谐振腔的半封装结构。
22、与现有技术相比较,本发明具有以下的技术特点:1)利用板级(panel level)的空腔制作,使得生产效率高;由于在基板常规流程阻焊前完成滤波器焊接,阻焊压膜形成空腔,因此流程简单,成本更低;2)利用不连续的近密封圈,以保证滤波器焊接后清洁的过程中,焊接杂质可以通过间隙,确保滤波器性能;3)利用基板阻焊层对近密封圈与芯片体之间形成的间隙进行封堵,以保证阻焊压膜过程中,阻焊材料不会溢流到叉指电极表面,保证滤波器性能;4)可以采用基板常规工艺,设置屏蔽层,避免信号干扰;5)适用于单颗裸芯片封装结构,可直接覆膜出货。
1.一种具有密封空气谐振腔的半封装结构,其特征在于包括:
2.如权利要求1所述的具有密封空气谐振腔的半封装结构,其特征在于:
3.如权利要求2所述的具有密封空气谐振腔的半封装结构,其特征在于:
4.如权利要求3所述的具有密封空气谐振腔的半封装结构,其特征在于还包括位于所述介电层的盲孔,
5.如权利要求3所述的具有密封空气谐振腔的半封装结构,其特征在于:
6.如权利要求5所述的具有密封空气谐振腔的半封装结构,其特征在于:
7.如权利要求1所述的具有密封空气谐振腔的半封装结构,其特征在于:
8.如权利要求1所述的具有密封空气谐振腔的半封装结构,其特征在于还包括屏蔽层,
9.一种模组,其特征在于包含权利要求1~8中任意一项所述的具有密封空气谐振腔的半封装结构。
10.一种电子设备,其特征在于包含权利要求1~8中任意一项所述的具有密封空气谐振腔的半封装结构。