一种自散热的大功率功放组件腔体结构的制作方法

文档序号:33991223发布日期:2023-04-29 15:27阅读:36来源:国知局
一种自散热的大功率功放组件腔体结构的制作方法

本发明涉及一种自散热的大功率功放组件腔体结构,属于无线通信射频功率放大,具体涉及一种用于跳频通信系统的大功率功放组件。


背景技术:

1、由于射频功率放大组件发射功率高,发热量大,一般依靠紧贴机箱安装,依靠机箱散热齿通过传导热量方式散热,随着无线通信设备高度集成化、小型化、轻量化发展,且传输距离扩远,射频功率放大组件发射功率增大,因箱体集成度高,射频功率放大组件无法紧贴机箱安装,无法依靠机箱外壳散热。

2、目前,射频功率放大组件是无线通信系统远距离通信的关键组件,现有射频大功率放大组件基本采用共形设计,利用机箱外壳进行有效散热,结构设计难度大,维修性较差。


技术实现思路

1、为解决上述技术问题,本发明提供了一种自散热的大功率功放组件腔体结构,该自散热的大功率功放组件腔体结构的发热器件热量通过印制板阻焊层传递至腔体安装面再传递至散热齿,有效解决了大功率器件及高密度印制板散热问题。

2、本发明通过以下技术方案得以实现。

3、本发明提供的一种自散热的大功率功放组件腔体结构,包括第一屏蔽腔体和第二屏蔽腔体;所述第二屏蔽腔体的底板上设有散热齿,第二屏蔽腔体的顶板与第一屏蔽腔体的底板之间设有金属隔板;所述第一屏蔽腔体内设有功放控制模块,第二屏蔽腔体内设有功率放大器模块;所述第二屏蔽腔体的顶板上设有小型射频插座和微型射频插座,第一屏蔽腔体的顶板上设有盖板和把手。

4、所述第二屏蔽腔体和散热齿为一体设计,采用同一块金属材料加工而成。

5、所述第二屏蔽腔体的五面密封。

6、所述功放控制模块安装在金属隔板上。

7、所述功率放大器模块安装在第二屏蔽腔体的底板上。

8、所述散热齿的底部为第二屏蔽腔体的底板。

9、所述盖板和把手均通过螺钉与第一屏蔽腔体连接。

10、所述盖板上设有l型导向槽。

11、所述第一屏蔽腔体的顶板上设有l型定位槽。

12、所述第二屏蔽腔体的底板是印制板、大功率器件的安装板。

13、本发明的有益效果在于:克服了现有射频大功率放大组件小型化结构设计散热困难、维修性差的难题,具有屏蔽效果好、散热性能好、结构紧凑、轻量化的功放单元结构,提高通信设备可靠性、维修性和电磁兼容性。



技术特征:

1.一种自散热的大功率功放组件腔体结构,包括第一屏蔽腔体(1)和第二屏蔽腔体(2),其特征在于:所述第二屏蔽腔体(2)的底板上设有散热齿(3),第二屏蔽腔体(2)的顶板与第一屏蔽腔体(1)的底板之间设有金属隔板;所述第一屏蔽腔体(1)内设有功放控制模块(5),第二屏蔽腔体(2)内设有功率放大器模块(4);所述第二屏蔽腔体(2)的顶板上设有小型射频插座(8)和微型射频插座(9),第一屏蔽腔体(1)的顶板上设有盖板(6)和把手(7)。

2.如权利要求1所述的自散热的大功率功放组件腔体结构,其特征在于:所述第二屏蔽腔体(2)和散热齿(3)为一体设计,采用同一块金属材料加工而成。

3.如权利要求1所述的自散热的大功率功放组件腔体结构,其特征在于:所述第二屏蔽腔体(2)的五面密封。

4.如权利要求1所述的自散热的大功率功放组件腔体结构,其特征在于:所述功放控制模块(5)安装在金属隔板上。

5.如权利要求1所述的自散热的大功率功放组件腔体结构,其特征在于:所述功率放大器模块(4)安装在第二屏蔽腔体(2)的底板上。

6.如权利要求1所述的自散热的大功率功放组件腔体结构,其特征在于:所述散热齿(3)的底部为第二屏蔽腔体(2)的底板。

7.如权利要求1所述的自散热的大功率功放组件腔体结构,其特征在于:所述盖板(6)和把手(7)均通过螺钉与第一屏蔽腔体(1)连接。

8.如权利要求1所述的自散热的大功率功放组件腔体结构,其特征在于:所述盖板(6)上设有l型导向槽。

9.如权利要求1所述的自散热的大功率功放组件腔体结构,其特征在于:所述第一屏蔽腔体(1)的顶板上设有l型定位槽。

10.如权利要求1所述的自散热的大功率功放组件腔体结构,其特征在于:所述第二屏蔽腔体(2)的底板是印制板、大功率器件的安装板。


技术总结
本发明提供了一种自散热的大功率功放组件腔体结构,包括第一屏蔽腔体和第二屏蔽腔体;所述第二屏蔽腔体的底板上设有散热齿,第二屏蔽腔体的顶板与第一屏蔽腔体的底板之间设有金属隔板;所述第一屏蔽腔体内设有功放控制模块,第二屏蔽腔体内设有功率放大器模块;所述第二屏蔽腔体的顶板上设有小型射频插座和微型射频插座,第一屏蔽腔体的顶板上设有盖板和把手。本发明克服了现有射频大功率放大组件小型化结构设计散热困难、维修性差的难题,具有屏蔽效果好、散热性能好、结构紧凑、轻量化的功放单元结构,提高通信设备可靠性、维修性和电磁兼容性。

技术研发人员:余松,郭淳,郑瀚,罗玲凤
受保护的技术使用者:贵州航天南海科技有限责任公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/11
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