一种量子点光转换薄膜制作方法

本申请涉及半导体，具体而言，涉及一种量子点光转换薄膜制作方法。

背景技术：

1、显示技术作为信息技术的重要组成和信息链的终端人机界面，是我国电子信息产业的基石之一，目前多种新型显示技术竞相发展，如液晶显示(lcd)、有机发光二极管(oled)显示和微米发光二极管(mini/micro-led)等，其中lcd技术经过多年的发展已趋于成熟，是目前中小尺寸显示产品的主流，但其仍存在色彩不丰富、颜色不鲜艳、可视角度有限、响应速度慢等技术问题；oled显示虽然在响应速度、对比度、可视角度、柔性和透明显示等方面具有优势，但该技术还存在成本高以及因像素寿命差异而导致的“烧屏”现象；mini/micro-led显示是一种将led器件微小化和阵列化的新型显示技术，其具有高亮度、高色彩饱和度、超高分辨率、高功率效率以及稳定性好等特点，但在巨量转移和驱动电路设计方面仍存在严峻的挑战。

2、量子点作为一种具有色纯度高、发射波长易调、量子产率高以及可溶液加工等优异特性的光转换材料，有助于解决上述各类显示技术所存在的壁垒，例如，可将量子点应用于蓝光oled或mini/micro-led等主动式发光器件中实现其全彩化显。但仍需考虑以下两个方面，一是量子点材料本身的稳定性、毒性、合成规模和成本等问题，另一方面还需发展合适的微纳加工技术对其进行图案化集成，制备得到高分辨率图案化的量子点薄膜。

3、目前量子点图案化的方法主要包括光刻法、转印法和喷墨打印法，其中光刻法对钙钛矿量子点材料的光学性能存在较大损伤，转印法得到的薄膜厚度太薄，传统的喷墨打印法无法达到较高的分辨率。

4、综上，现有技术中存在量子点图案化的效果不好的问题。

技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种量子点光转换薄膜制作方法，以解决现有技术中存在的量子点图案化的效果不好的问题。

2、为了实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：

3、本申请实施例提供一种量子点光转换薄膜制作方法，所述方法包括：

4、提供一凹模板，其中，所述凹模板上设置有多个图案化凹槽；

5、沿所述凹模板的表面旋涂量子点聚合物复合材料，并形成量子点聚合物薄膜层；

6、提供一临时基底，并将所述量子点聚合物薄膜层转移至所述临时衬底；

7、在所述临时基底上去除量子点聚合物薄膜层中多余的量子点聚合物复合材料，并在所述临时基底上形成多个图案化量子点；

8、将所述图案化量子点转移至目标基底。

9、可选地，提供一凹模板的步骤包括：

10、提供一硅衬底；

11、沿所述硅衬底的表面制作光刻胶掩膜；

12、基于所述光刻胶掩膜对所述硅衬底进行刻蚀，并形成凹模板。

13、可选地，在形成凹模板的步骤之后，所述方法还包括：

14、对所述凹模板进行表面ost处理。

15、可选地，将所述量子点聚合物薄膜层转移至所述临时衬底的步骤包括：

16、在所述临时基底的表面旋涂黏性材料；

17、利用所述黏性材料与所述量子点聚合物薄膜层接触，并将所述量子点聚合物薄膜层转移至所述的临时基底。

18、可选地，提供一临时基底的步骤包括：

19、提供一玻璃基底或透明柔性胶带。

20、可选地，在所述临时基底上去除量子点聚合物薄膜层中多余的量子点聚合物复合材料的步骤包括：

21、利用等离子刻蚀技术在所述临时基底上去除量子点聚合物薄膜层中多余的量子点聚合物复合材料。

22、可选地，将所述图案化量子点转移至目标基底的步骤包括：

23、提供一目标基底；

24、沿所述目标基底的表面旋涂黏性材料；

25、利用所述黏性材料与所述图案化量子点接触，并将所述图案化量子点转移至所述的临时基底。

26、可选地，提供一临时基底的步骤后，所述方法还包括：

27、沿所述临时基底的表面旋涂第一黏性材料；

28、沿所述目标基底的表面旋涂黏性材料的步骤包括：

29、沿所述目标基底的表面旋涂第二黏性材料，其中，所述第二黏性材料的黏性大于所述第一黏性材料的黏性。

30、可选地，提供一目标基底的步骤包括：

31、提供一玻璃基底或透明柔性胶带。

32、可选地，在将所述图案化量子点转移至目标基底的步骤之后，所述方法还包括：

33、沿所述凹模板的表面旋涂另一颜色的量子点聚合物复合材料，并将另一颜色的量子点聚合物复合材料转移至临时基底；

34、在所述临时基底上去除另一颜色的量子点聚合物薄膜层中多余的量子点聚合物复合材料，并在所述临时基底上形成另一颜色的多个图案化量子点；

35、将所述另一颜色的多个图案化量子点转移至所述目标基底。

36、相对于现有技术，本申请具有以下有益效果：

37、本申请实施例提供了一种量子点光转换薄膜制作方法，首先提供一凹模板，其中，凹模板上设置有多个图案化凹槽，再沿凹模板的表面旋涂量子点聚合物复合材料，并形成量子点聚合物薄膜层，接着提供一临时基底，并将量子点聚合物薄膜层转移至临时衬底，并在临时基底上去除量子点聚合物薄膜层中多余的量子点聚合物复合材料，并在临时基底上形成多个图案化量子点，最后将图案化量子点转移至目标基底。由于本申请在凹模板上制作涂量子点聚合物复合材料，因此可以提升制作图案化量子点的深度与均匀性，且凹模板的重复利用稳定性高。并且，利用临时基底与目标基底制作图案化量子点，对量子点材料本身的光学性能无不良影响，具有很好的适用性，进而可实现高厚度和高分辨率的量子点光转换薄膜。

38、为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

技术特征：

1.一种量子点光转换薄膜制作方法，其特征在于，所述方法包括：

2.如权利要求1所述的量子点光转换薄膜制作方法，其特征在于，提供一凹模板的步骤包括：

3.如权利要求2所述的量子点光转换薄膜制作方法，其特征在于，在形成凹模板的步骤之后，所述方法还包括：

4.如权利要求1所述的量子点光转换薄膜制作方法，其特征在于，将所述量子点聚合物薄膜层转移至所述临时衬底的步骤包括：

5.如权利要求1所述的量子点光转换薄膜制作方法，其特征在于，提供一临时基底的步骤包括：

6.如权利要求1所述的量子点光转换薄膜制作方法，其特征在于，在所述临时基底上去除量子点聚合物薄膜层中多余的量子点聚合物复合材料的步骤包括：

7.如权利要求1所述的量子点光转换薄膜制作方法，其特征在于，将所述图案化量子点转移至目标基底的步骤包括：

8.如权利要求7所述的量子点光转换薄膜制作方法，其特征在于，提供一临时基底的步骤后，所述方法还包括：

9.如权利要求7所述的量子点光转换薄膜制作方法，其特征在于，提供一目标基底的步骤包括：

10.如权利要求1所述的量子点光转换薄膜制作方法，其特征在于，在将所述图案化量子点转移至目标基底的步骤之后，所述方法还包括：

技术总结
本申请提供了一种量子点光转换薄膜制作方法，涉及半导体技术领域。首先提供一凹模板，其中，凹模板上设置有多个图案化凹槽，再沿凹模板的表面旋涂量子点聚合物复合材料，并形成量子点聚合物薄膜层，接着提供一临时基底，并将量子点聚合物薄膜层转移至临时衬底，并在临时基底上去除量子点聚合物薄膜层中多余的量子点聚合物复合材料，并在临时基底上形成多个图案化量子点，最后将图案化量子点转移至目标基底。本申请提供的量子点光转换薄膜制作方法具有制作的图案化量子点的效果更好的优点。

技术研发人员：邹胜晗,龚政,郭婵,李育智,陈志涛
受保护的技术使用者：广东省科学院半导体研究所
技术研发日：
技术公布日：2024/1/11