功率放大器及电子设备的制作方法

本申请涉及电子，涉及一种功率放大器及电子设备。

背景技术：

1、现有的功率放大器，使用幅度调制对幅度调制失真(am-am)、幅度调制对相位调制失真(am-pm)可以表征前端功率功率放大器放大后的输出功率和相邻通信频段泄漏比(aclr)的性能，现有的功率放大器中的反馈电阻的阻值是固定阻值，因此输入的功率增大时，功率放大器的增益如am-am和am-pm，会出现下降以及压缩，由于增益的不稳定导致了功率放大器的非线性失真。

技术实现思路

1、本申请提供一种功率放大器及电子设备。

2、根据本申请的第一方面，提供一种功率放大器，所述功率放大器至少包括：放大电路、偏置电路、第一电阻及旁路电路；

3、所述放大电路，用于对输入的第一射频信号进行放大，并输出放大后的第二射频信号；

4、所述偏置电路，用于给所述放大电路提供偏置电流；

5、所述第一电阻的第一端与所述偏置电路的输出端相连接，第二端与所述放大电路的输入端相连接；

6、所述旁路电路连接在所述偏置电路与所述放大电路之间，用于旁路所述第一电阻，以使输入的第一射频信号通过所述旁路电路输入至所述偏置电路和/或通过所述旁路电路输入至地。

7、在一些实施例中，所述旁路电路，包括：第一电容和/或第二电容；其中，

8、所述第一电容的第一端与所述第一电阻的第一端连接，所述第一电容的第二端与所述放大电路输入端连接；其中，所述第一电容，用于令输入的第一射频信号经所述第一电容输入至所述偏置电路；

9、和/或，

10、所述第二电容的第一端与所述第一电阻的第一端连接，所述第二电容的第二端接地；其中，所述第二电容，用于令输入的第一射频信号经所述第二电容输入至地。

11、在一些实施例中，所述放大电路，包括：第一晶体管；

12、所述第一晶体管的第一端与所述第一电阻的第二端连接；和/或，所述第一晶体管的第一端与所述第一电容的第二端连接；

13、所述第一晶体管的第二端接地；

14、所述第一晶体管，用于基于输入第一端的所述偏置电流将输入第一端的所述第一射频信号放大以获得所述第二射频信号经第三端输出。

15、在一些实施例中，所述第一电阻，用于在所述第一晶体管温度升高或降低时调节所述偏置电流在预定范围内。

16、在一些实施例中，所述第一电容和/或所述第二电容容值可调，用于调节其电容以匹配所述放大电路不同频段的所述第一射频信号。

17、在一些实施例中，所述功率放大器为多级功率放大器，所述功率放大器包括第1至第n个所述放大电路；其中，所述n为正整数，所述旁路电路至少与末级所述放大电路相连接。

18、在一些实施例中，所述旁路电路为多个，所述旁路电路用于分别连接对应的所述偏置电路和所述放大电路。

19、在一些实施例中，所述旁路电路的两端均具有开关器件；其中，所述开关器件，用于切换至其中一级放大电路及所述其中一级放大电路对应的偏置电路。

20、在一些实施例中，所述第一晶体管为n型mos管；所述第一晶体管的第一端为栅极；所述第一晶体管的第二端为源极；所述第一晶体管的第三端为漏极；

21、或者，

22、所述第一晶体管为p型mos管；所述第一晶体管的第一端为栅极；所述第一晶体管的第二端为漏极；所述第一晶体管的第三端为源极；

23、或者，

24、所述第一晶体管为bjt管；所述第一晶体管的第一端为基极；所述第一晶体管的第二端为发射极；所述第一晶体管的第三端为集电极；

25、或者，

26、所述第一晶体管为igbt管；所述第一晶体管的第一端为栅极；所述第一晶体管的第二端为发射极；所述第一晶体管的第三端为集电极。

27、根据本申请的第二方面，提供一种电子设备，所述电子设备包括：前述第一方提供的任一项所述功率放大器。

28、本申请的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：所述功率放大器至少包括：放大电路、偏置电路、第一电阻及旁路电路；所述放大电路，用于对输入的第一射频信号进行放大，并输出放大后的第二射频信号；所述偏置电路，用于给所述放大电路提供偏置电流；所述第一电阻的第一端与所述偏置电路的输出端相连接，第二端与所述放大电路的输入端相连接；所述旁路电路连接在所述偏置电路与所述放大电路之间，用于旁路所述第一电阻，以使输入的第一射频信号通过所述旁路电路输入至所述偏置电路和/或通过所述旁路电路输入至地。

29、如此，旁路电路连接在偏置电路与放大电路之间，若旁路电路用于将输入的第一射频信号通过旁路电路输入至偏置电路，可以绕开第一电阻从而降低因第一射频信号经第一电阻输入至偏置电路所带来的损耗，从而提高放大电路的线性度；若旁路电路用于将输入的第一射频信号通过旁路电路输入至地，可以根据预定场景需求反向调节放大电路的线性度，以满足不同场景的需求，提升用户的体验感。

30、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。

技术特征：

1.一种功率放大器，其特征在于，所述功率放大器至少包括：放大电路、偏置电路、第一电阻及旁路电路；

2.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述旁路电路，包括：第一电容和/或第二电容；其中，

3.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述放大电路，包括：第一晶体管；

4.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述第一电阻，用于在所述第一晶体管温度升高或降低时调节所述偏置电流在预定范围内。

5.根据权利要求2所述的功率放大器，其特征在于，所述第一电容和/或所述第二电容容值可调，用于调节其电容以匹配所述放大电路不同频段的所述第一射频信号。

6.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大器为多级功率放大器，所述功率放大器包括第1至第n个所述放大电路；其中，所述n为正整数，所述旁路电路至少与末级所述放大电路相连接。

7.根据权利要求6所述的功率放大器，其特征在于，所述旁路电路为多个，所述旁路电路用于分别连接对应的所述偏置电路和所述放大电路。

8.根据权利要求7所述的功率放大器，其特征在于，所述旁路电路的两端均具有开关器件；其中，所述开关器件，用于切换至其中一级放大电路及所述其中一级放大电路对应的偏置电路。

9.根据权利要求3所述的功率放大器，其特征在于，

10.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括：权利要求1至9任一项所述的功率放大器。

技术总结
本申请提供了功率放大器及电子设备，所述功率放大器至少包括：放大电路、偏置电路、第一电阻及旁路电路；所述放大电路，用于对输入的第一射频信号进行放大，并输出放大后的第二射频信号；所述偏置电路，用于给所述放大电路提供偏置电流；所述第一电阻的第一端与所述偏置电路的输出端相连接，第二端与所述放大电路的输入端相连接；所述旁路电路连接在所述偏置电路与所述放大电路之间，用于旁路所述第一电阻，以使输入的第一射频信号通过所述旁路电路输入至所述偏置电路和/或通过所述旁路电路输入至地。

技术研发人员：侯阳,牛旭
受保护的技术使用者：广州慧智微电子股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13