IGBT过流保护电路的制作方法

本技术涉及igbt保护电路，具体涉及igbt过流保护电路。

背景技术：

1、igbt的全称是insulated gate bipolar transistor，中文名称是绝缘栅双极型晶体管，是由bjt(双极型三极管)和mos(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。

2、和其他晶体管一样，igbt的工作电流也有限定，当流通igbt的电流过大时将会导致igbt损坏，igbt损坏之后会导致后续电路功能失效，严重时还会导致后续电路损坏。

3、现有技术中普遍采用检测流通igbt的电流的方式对igbt进行过流保护，对电流的检测的方式通常采用电流采样传感器及相关电路，当电流采样传感器或相关电路损坏时，此时igbt将失去过流保护的功能，由此容易导致igbt因过流而损坏。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供igbt过流保护电路。

2、本实用新型采用以下技术方案：

3、igbt过流保护电路，包括igbt1，其特征在于，还包括电压检测电路、电压比较电路、参考电压发生电路、主控电路；

4、所述igbt1的门极接所述主控电路的pwm驱动信号端p1、集电极通过负载rl1接电源hv、发射极接地gnd，

5、所述电压检测电路包括电阻r1、电阻r2、电阻r3、电容c1、电容c2、二极管d1、二极管d2、二极管d3、二极管d4、稳压二极管zd1、npn型三极管q1；

6、所述二极管d1的阳极以及所述二极管d2的阳极接所述主控电路的pwm驱动信号端p1，

7、所述二极管d2的阴极通过所述电阻r2接所述稳压二极管zd1的阴极；

8、所述三极管q1的集电极通过所述电阻r3接电源vcc、集电极通过所述电容c2接地gnd、集电极接所述二极管d4的阴极、发射极接地gnd、基极接所述稳压二极管zd1的阳极，

9、所述稳压二极管zd1的阴极通过所述电阻r1接所述二极管d3的阳极、阴极通过所述电容c1接地gnd，

10、所述二极管d3的阴极接所述igbt1的集电极；

11、所述电压比较电路包括比较器u1、电阻r41、电阻r42；

12、所述比较器u1的同相输入端接所述二极管d4的阳极且通过所述电阻r42接电源vcc，反向输入端接参考电压发生电路的输出端，输出端通过所述电阻r41接电源vcc，输出端接所述二极管d1的阴极，输出端接所述主控电路的电压检测端p2；

13、所述igbt1的发射极与集电极之间正向连接二极管d5。

14、本实用新型提供的igbt过流保护电路，可通过实时检测igbt的导通压降的大小来判断igbt是否过流从而防止igbt过流损坏；依据igbt导通时电流与电压的变化特性进行限流动作，依据硬件电路进行关断igbt，具有动作快速、准确、可靠的优点；由于igbt的导通压降一般在0.7-5v以内变化，导通压降比较低，因此即使流通igbt的电流大幅度变化，导通电压的dv/dt也很小，因此电路不易受干扰。

技术特征：

1.igbt过流保护电路，包括igbt1，其特征在于，还包括电压检测电路、电压比较电路、参考电压发生电路、主控电路；

技术总结
本技术涉及IGBT保护电路技术领域。所提供的IGBT过流保护电路，包括IGBT1，其特征在于，还包括电压检测电路、电压比较电路、参考电压发生电路、主控电路。本技术提供的IGBT过流保护电路，可通过实时检测IGBT的导通压降的大小来判断IGBT是否过流从而防止IGBT过流损坏；依据IGBT导通时电流与电压的变化特性进行限流动作，依据硬件电路进行关断IGBT，具有动作快速、准确、可靠的优点；由于IGBT的导通压降一般在0.7‑5V以内变化，导通压降比较低，因此即使流通IGBT的电流大幅度变化，导通电压的dv/dt也很小，因此电路不易受干扰。

技术研发人员：甘健宏
受保护的技术使用者：深圳艾为电气技术有限公司
技术研发日：20220804
技术公布日：2024/1/13