本技术涉及汽车电子电路,特别是域控制器上车载用双晶体管低边输出电路及车载用电路。
背景技术:
1、随着车辆的电子化程度逐渐提高,汽车电子软件爆炸式增长,对电子电气构架带来了巨大的挑战,而域控制器可以将汽车电子各部分功能划分成几个领域,如动力传动域、车身电子域、辅助驾驶域等等,然后利用处理能力强大的多核中央处理器(centralprocessing unit,cpu)/图形处理器(graphics processing unit,gpu)芯片相对集中的控制域内原本归属各个电子控制单元(electronic control unit,ecu)的大部分功能,以此来取代传统的分布式架构,其中用了到电子控制模块以控制不同的功能领域。
2、现有许多电子控制模块不具备过流保护功能,当负载过载或线路短路等原因导致模块内部功率管过流时,功率管极易损坏。在另一些具备功率保护功能的电子控制模块中,其过流保护往往是在负载主回路串联大电流取样电阻,这样可以进行过流保护,但大电流取样电阻体积较大、占用电路板面积较大,更有一些电路过于复杂、保护动作滞后,这都使成本上升、故障率增加,对于专用的具有过流保护的功率集成电路来说,一方面其设计和制造周期长成本高、另一方面其耐压值较低易于被击穿,对于耐压值较高的功率芯片其成本更高,所以经常发生功率控制模块损坏,特别是其功率管的击穿,一般功率控制模块造价较高,若模块损坏,则耽误设备工作进程并带来经济损失。
技术实现思路
1、本实用新型提供域控制器上车载用双晶体管低边输出电路及车载用电路,实现对负载的过流保护,以及对功率控制器件本身的过流保护。
2、本实用新型提供的技术方案是:
3、一种域控制器上车载用双晶体管低边输出电路,包括三极管q1、三极管q2、电阻r1、电阻r2和电阻r3,所述三极管q1基极通过电阻r1连接至控制器输出端,三极管q1基极还与三极管q2集电极连接,三极管q1集电极与负载连接,三极管q1发射极通过电阻r3接地,三极管q1发射极与三极管q2基极连接,三极管q2发射极接地,控制器输出端与电阻r1的一端连接,所述电阻r1的另一端与电阻r2的一端连接,所述电阻r2的另一端接地。
4、进一步的,所述三极管q1为npn三极管,所述三极管q2为npn三极管。
5、进一步的,所述三极管q2导通的最小电流为vbe/r3,其中,vbe为三极管q2基极与发射极之间的电压,r3为电阻r3的阻值。
6、一种车载用电路,包括域控制器和负载,还包括所述的域控制器上车载用双晶体管低边输出电路。
7、与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
8、本实用新型通过三极管q1基极还与三极管q2集电极连接,三极管q1集电极与负载连接,三极管q1发射极与三极管q2基极连接,三极管q2发射极接地,利用三极管q2检测负载电流,当负载电流到达三极管q2的导通条件时,三极管q2导通使三极管q1的基极接地,三极管q1的基极接地后使三极管q1关断,切断负载电流,通过开关模块和控制电路的配合,可以实现在所述低边输出电路发生过流故障时,对所述低边开关进行限流保护。由于故障诊断和处理过程并未利用软件,而三极管的开关速度为纳秒级,当发生过流故障时,电路的硬件响应时间最长微秒级。采用分立器件组成,无集成芯片,成本低,可以实现响应快,电路功耗低,可以避免晶体管因负载电流大而烧坏的问题,提高安全性,电路结构简单,降低制造成本。
1.一种域控制器上车载用双晶体管低边输出电路,其特征在于:包括三极管q1、三极管q2、电阻r1、电阻r2和电阻r3,所述三极管q1基极通过电阻r1连接至控制器输出端,所述三极管q1基极还与所述三极管q2集电极连接,所述三极管q1集电极与负载连接,所述三极管q1发射极通过所述电阻r3接地,所述三极管q1发射极与所述三极管q2基极连接,所述三极管q2发射极接地,控制器输出端与所述电阻r1的一端连接,所述电阻r1的另一端与所述电阻r2的一端连接,所述电阻r2的另一端接地。
2.根据权利要求1所述的域控制器上车载用双晶体管低边输出电路,其特征在于,所述三极管q1为npn三极管,所述三极管q2为npn三极管。
3.根据权利要求1所述的域控制器上车载用双晶体管低边输出电路,其特征在于,所述三极管q2导通的最小电流为vbe/r3,其中,vbe为三极管q2基极与发射极之间的电压,r3为电阻r3的阻值。
4.一种车载用电路,包括域控制器和负载,其特征在于,还包括权利要求1-3任一项所述的域控制器上车载用双晶体管低边输出电路。