一种具有插入膜层的体声波谐振结构及滤波器的制作方法

本技术属于体声波谐振器领域，具体涉及一种具有插入膜层的体声波谐振结构。

背景技术：

1、在广泛使用的诸如移动电话的通信设备中，通常包括使用声波的声波器件作为通讯设备的滤波器。作为声波器件的示例，存在使用表面声波(surface acoustic wave，saw)的器件，或者使用体声波(bulk acoustic wave，baw)的器件等。声波器件的性能会影响通信设备的通信效果。

2、随着通讯技术的发展，如何在顺应通信设备集成化和小型化发展趋势的同时，提高声波器件的性能成为亟待解决的问题。

3、现有技术的框架结构、桥结构或悬臂结构等凸出结构会使上电极或修补层在凸出结构附近爬坡困难，出现断裂等技术问题。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于，提供一种具有插入膜层的体声波谐振结构，在对修频层刻蚀时，整体均匀性比较好，上电极在爬坡处也不容易断裂，提升了结构稳定性，同时达到抑制侧向波的效果。

2、为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案为：一种具有插入膜层的体声波谐振结构，包括衬底，在衬底上依次设有下电极、压电层、上电极；

3、所述的衬底与下电极之间设有反射结构；以及

4、位于谐振区边缘外侧的插入膜层，所插入膜层沿所述压电层延伸，所述插入膜层与所述压电层的顶部齐平，使得位于谐振区的上电极上表面平坦。

5、所述压电层中设有若干个沿厚度方向间隔设置的槽结构，所述槽结构位于谐振区边缘的内侧。

6、所述槽结构内填充低声阻抗材料。

7、至少部分所述的槽结构与所述插入膜层连通。

8、所述的反射结构为空腔或布拉格反射层。

9、所述的反射结构顶部边缘为台阶形。

10、所述的插入膜层为低声阻抗材料层。

11、所述槽结构的宽度沿长度方向渐变或不变。

12、所述槽结构的厚度渐变或不变。

13、还提供一种滤波器，包括上述任一项所述的体声波谐振结构。

14、与现有技术相比，本实用新型的有益效果为：

15、本实用新型位于谐振区处的上电极上表面平坦，避免出现在谐振区边缘形成凸出结构导致的上电极或修补层在凸出结构附近爬坡困难，出现断裂的问题，同时，通过在谐振区边缘设置插入膜层能有效抑制侧向波，提升谐振器的q值，同时在对修频层刻蚀时，整体均匀性比较好，上电极在爬坡处也不容易断裂，提升结构稳定性。

技术特征：

1.一种具有插入膜层的体声波谐振结构，包括衬底，在衬底上依次设有下电极、压电层、上电极；其特征在于：

2.根据权利要求1所述的一种具有插入膜层的体声波谐振结构，其特征在于：所述压电层中设有若干个沿厚度方向间隔设置的槽结构，所述槽结构位于谐振区边缘的内侧。

3.根据权利要求2所述的一种具有插入膜层的体声波谐振结构，其特征在于：所述槽结构内填充低声阻抗材料。

4.根据权利要求2所述的一种具有插入膜层的体声波谐振结构，其特征在于：至少部分所述的槽结构与所述插入膜层连通。

5.根据权利要求1所述的一种具有插入膜层的体声波谐振结构，其特征在于：所述的反射结构为空腔或布拉格反射层。

6.根据权利要求1所述的一种具有插入膜层的体声波谐振结构，其特征在于：所述的反射结构顶部边缘为台阶形。

7.根据权利要求1所述的一种具有插入膜层的体声波谐振结构，其特征在于：所述的插入膜层为低声阻抗材料层。

8.根据权利要求2所述的一种具有插入膜层的体声波谐振结构，其特征在于：所述槽结构的宽度沿长度方向渐变或不变。

9.根据权利要求2所述的一种具有插入膜层的体声波谐振结构，其特征在于：所述槽结构的厚度渐变或不变。

10.一种滤波器，其特征在于：包括权利要求1-9中任一项所述的体声波谐振结构。

技术总结
本技术公开了一种具有插入膜层的体声波谐振结构，包括衬底，在衬底上依次设有下电极、压电层、上电极和修频层；所述的衬底与下电极之间设有反射结构；压电层的边缘与上电极之间设有低声阻抗材料的插入膜层，插入膜层与压电层的顶部齐平，使得位于谐振区的上电极上表面是平坦的；上电极与修频层堆叠且完全覆盖插入膜层。本技术位于谐振区处的上电极上表面平坦，能抑制侧向波，提升谐振器的Q值，同时在对修频层刻蚀时，整体均匀性比较好，上电极在爬坡处也不容易断裂，提升调频后的稳定性。

技术研发人员：高智伟,林瑞钦
受保护的技术使用者：武汉光钜微电子有限公司
技术研发日：20221222
技术公布日：2024/1/12