背景技术:
技术实现思路
技术特征:pct国内申请,权利要求书已公开。
技术总结本公开提供了一种量子点发光二极管,其中,包括:第一电极、第二电极、设置在所述第一电极与所述第二电极之间的量子点发光层,所述第一电极和所述第二电极中之一为反射电极,另一为透射电极或半透半反电极;在所述第一电极与所述第二电极之间设置有至少一层光调控层,所述光调控层配置为与所述反射电极构成微腔结构,使所述量子点发光二极管的光取出效率P满足:25%≤P≤98%。本公开实施例还提供了一种量子点发光二极管的制备方法和显示面板。
技术研发人员:冯靖雯
受保护的技术使用者:京东方科技集团股份有限公司
技术研发日:技术公布日:2024/1/5