复合配线基板的制作方法

本发明涉及一种复合配线基板。

背景技术：

1、近年来，在半导体装置的高速化以及高度集成化的发展过程中，对于搭载半导体芯片的倒装芯片球栅阵列(flip chip-ball grid array)用配线基板、即fc-bga基板，也要求用于与半导体芯片的接合的接合端子的窄间距化以及基板内的配线的微细化。另一方面，对于fc-bga基板与主板的接合，要求基于以与当前几乎未变的间距排列的接合端子的接合。基于上述要求，采用在fc-bga基板与半导体芯片之间设置还称为中介层(interposer)的包含微细配线的多层配线基板的技术。

2、其中之一是硅中介层技术。该硅中介层技术是指在硅晶片上利用半导体电路的制造技术形成各层包含微细配线的多层配线构造而制造中介层。专利文献1中对此进行了公开。

3、另外，还开发了如下方法，即，不在硅晶片上形成上述多层配线构造，在fc-bga基板直接嵌入上述多层配线构造。关于该方法，在芯层例如由环氧玻璃基板构成的fc-bga基板的制造中，利用化学机械研磨(cmp)等而形成上述多层配线构造。专利文献2中对此进行了公开。

4、并且，还存在如下方式(下面称为转印方式)，即，在玻璃基板等支撑体上形成中介层，使该中介层与fc-bga基板接合，然后，使支撑体从中介层剥离而将上述多层配线构造设置在fc-bga基板上。专利文献3中对此进行了公开。

5、专利文献1：日本特开2002-280490号公报

6、专利文献2：日本特开2014-225671号公报

7、专利文献3：国际公开第2018/047861号

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种配线基板，用于与半导体芯片的接合的接合端子的窄间距化、基板内的配线的微细化、以及低成本化容易，能够达成较高的连接可靠性。

2、根据本发明的一个方式，提供一种复合配线基板，具有：第1配线基板；第2配线基板，其以与所述第1配线基板相对的方式与所述第1配线基板接合，周缘部与中央部相比而距所述第1配线基板的距离更大；以及密封树脂层，其介于所述第1及第2配线基板之间，并且将所述第2配线基板的端面覆盖。

3、根据本发明的另一方面，提供上述方面所涉及的复合配线基板，所述第2配线基板以所述中央部相对于所述周缘部朝向所述第1基板凸出的方式挠曲。

4、根据本发明的另一其他方面，提供上述方面的任一者所涉及的复合配线基板，从所述第1配线基板至所述周缘部的距离与从所述第1配线基板至所述中央部的距离之差，处于大于或等于5μm且小于或等于30μm的范围内。

5、根据本发明的另一其他方面，提供上述方面所涉及的复合配线基板，所述第2配线基板具有彼此层叠的大于或等于2个的层，所述大于或等于2个的层分别包含：绝缘层，其由包含有机绝缘体的材料构成，设置有凹部；以及导体层，其设置于所述绝缘层上，并且埋设于所述凹部。

6、根据本发明的另一其他方面，提供上述方面的任一者所涉及的复合配线基板，从所述第2配线基板的与所述第1配线基板相对的面的边缘至由所述大于或等于2个的层包含的所述导体层构成的多层配线构造为止的距离大于或等于100μm。

7、根据本发明的另一其他方面，提供上述方面所涉及的复合配线基板，从所述边缘至所述多层配线构造为止的所述距离小于或等于1000μm。

8、根据本发明的另一其他方面，提供上述方面的任一者所涉及的复合配线基板，所述第2配线基板的厚度处于大于或等于20μm且小于或等于100μm的范围内。

9、根据本发明的另一其他方面，提供上述方面的任一者所涉及的复合配线基板，所述周缘部的弯曲弹性模量处于大于或等于1.5gpa且小于或等于20gpa的范围内。

10、这里，“弯曲弹性模量”是基于jis k7171：2016“塑料-弯曲特性的求解方法”中规定的方法而获得的值。

11、根据本发明的另一其他方面，提供上述方面的任一者所涉及的复合配线基板，所述密封树脂层的线膨胀系数处于大于或等于20ppm/℃且小于或等于35ppm/℃的范围内。

12、根据本发明的另一其他方面，提供上述方面的任一者所涉及的复合配线基板，所述第1配线基板是倒装芯片球栅阵列用配线基板，所述第2配线基板是中介层。

13、根据本发明的另一其他方面，提供一种封装化设备，具有：上述方面的任一者所涉及的复合配线基板；以及功能设备，其安装于所述第1配线基板的与所述第2配线基板相反侧的面。

14、这里，“功能设备”是供给电力以及电信号的至少一者而执行动作的设备、因来自外部的刺激而将电力以及电信号的至少一者输出的设备、或者通过供给电力以及电信号的至少一者而执行动作且因来自外部的刺激而将电力以及电信号的至少一者输出的设备。功能设备例如为半导体芯片、如在玻璃基板等由除了半导体以外的材料构成的基板上形成了电路、元件的芯片那样的芯片的方式。功能设备例如可以包含大规模集成电路(lsi)、存储器、拍摄元件、发光元件以及mems(micro electro mechanical systems)的大于或等于1种。mems例如是压力传感器、加速度传感器、陀螺仪传感器、倾斜传感器、麦克风以及音响传感器的大于或等于1种。根据一个例子，功能设备是包含lsi的半导体芯片。

15、根据本发明的另一其他方面，提供一种复合配线基板的制造方法，包含如下步骤：使第1配线基板与第2配线基板以彼此相对的方式接合；以及将密封树脂注入所述第1及第2配线基板之间，形成介于所述第1及第2配线基板之间且将所述第2配线基板的端面覆盖的密封树脂层，并且使所述第2配线基板以中央部相对于周缘部朝向所述第1配线基板凸出的方式挠曲。

16、根据本发明的另一其他方面，提供上述方面所涉及的复合配线基板的制造方法，所述第1及第2配线基板的接合包含如下步骤，即，使得以能够剥离的方式支撑于支撑体上的所述第2配线基板从所述支撑体向所述第1配线基板转印。

17、根据本发明的另一其他方面，提供一种复合配线基板的制造方法，包含如下步骤：将密封树脂夹于中间而使得第1配线基板与第2配线基板重叠；以及在该状态下将第1配线基板及第2配线基板针对彼此进行加压，形成介于所述第1及第2配线基板之间且将所述第2配线基板的端面覆盖的密封树脂层，并且使得所述第2配线基板以中央部相对于周缘部朝向所述第1配线基板凸出的方式挠曲。

18、根据本发明的另一其他方面，提供上述方面所涉及的复合配线基板的制造方法，所述第1及第2配线基板的重叠包含如下步骤，即，使得以能够剥离的方式支撑于支撑体上的所述第2配线基板从所述支撑体以将所述密封树脂夹于中间的方式向所述第1配线基板转印。

技术特征：

1.一种复合配线基板，其中，

2.根据权利要求1所述的复合配线基板，其中，

3.根据权利要求1或2所述的复合配线基板，其中，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的复合配线基板，其中，

5.根据权利要求4所述的复合配线基板，其中，

6.根据权利要求5所述的复合配线基板，其中，

7.根据权利要求1至6中任一项所述的复合配线基板，其中，

8.根据权利要求1至7中任一项所述的复合配线基板，其中，

9.根据权利要求1至8中任一项所述的复合配线基板，其中，

10.根据权利要求1至9中任一项所述的复合配线基板，其中，

11.一种封装化设备，其中，

12.一种复合配线基板的制造方法，其中，

13.根据权利要求12所述的复合配线基板的制造方法，其中，

14.一种复合配线基板的制造方法，其中，

15.根据权利要求14所述的复合配线基板的制造方法，其中，

技术总结
提供一种配线基板，用于与半导体芯片的接合的接合端子的窄间距化、基板内的配线的微細化、以及低成本化容易，能够达成较高的连接可靠性。复合配线基板(10)具有：第1配线基板(11)；第2配线基板(12)，其以与所述第1配线基板(11)相对的方式与所述第1配线基板(11)接合，周缘部与中央部相比而距所述第1配线基板(11)的距离更大；以及密封树脂层(13)，其介于所述第1及第2配线基板(11、12)之间，并且将所述第2配线基板(12)的端面覆盖。

技术研发人员：泽田石将士
受保护的技术使用者：凸版印刷株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15