用于增强型薄膜声学封装件（TFAP）的耐腐蚀焊盘的制作方法

本公开总体上涉及集成电路(ic)和微机电系统(mems)封装件，并且更具体但不排他地涉及在诸如薄膜声学封装件(tfap)等器件封装件中使用的耐腐蚀或耐化学焊盘。

背景技术：

1、随着更小的电子器件和封装几何形状能够为小型电子器件提供更多应用，现代电子器件正变得越来越普遍。现代电子器件的基本组成部分中的一个是集成电路(ic)封装件。ic封装件为ic封装件中的电子器件(诸如逻辑裸片、半导体裸片、有源器件和无源器件)提供支持、保护和路由路径。

2、存在用以减小或小型化传统ic封装件的尺寸或占地面积，同时最小化并且有助于防止腐蚀和制造过程中遇到的任何其他有害化学物质或不利氧化的有害影响的持续需求。由于不同的机制或工艺步骤，各种组件(诸如电焊盘)可能会腐蚀或损坏。这可能会对其功能、性能和未来可靠性产生不利影响。

3、因此，存在能够克服传统方法的缺陷的装置和方法，包括本文中提供的装置和方法的需要。

技术实现思路

1、以下呈现与本文中公开的装置和方法相关的一个或多个方面和/或示例的简化
技术实现要素：
。因此，以下发明内容不应当被视为与所有预期方面和/或示例相关的广泛概述，也不应当将以下发明内容认为确定与所有预期的方面和/或示例相关的关键或重要元素、或者界定与任何特定方面和/或示例相关联的范围。因此，以下发明内容的唯一目的是以简化的形式呈现与一个或多个方面相关的某些概念和/或与本文中公开的装置和方法相关的示例，以在下面呈现的详细描述之前呈现。

2、在一个方面，一种装置包括声学滤波器封装件，并且还包括基层；支撑层，被设置在基层上；压电结构，被设置在支撑层上；其中压电结构还包括：压电层；顶部电极，在压电层的顶部表面上；底部电极，在压电层的底部表面上；接触焊盘，耦合到底部电极，该接触焊盘延伸穿过压电层中的开口并且被耦合到底部电极或顶部电极；以及耐腐蚀焊盘，被设置在接触焊盘上；以及封盖结构，被设置在压电结构上。

3、在另一方面，一种用于形成包括声学滤波器封装件的装置的方法还包括：形成基层；形成支撑层，该支撑层被设置在基层上；形成压电结构，该压电结构被设置在支撑层上；其中压电结构还包括：形成压电层；在压电层的顶部表面上形成顶部电极；在压电层的底部表面上形成底部电极；形成接触焊盘，该接触焊盘被耦合到底部电极，接触焊盘延伸穿过压电层中的开口并且被耦合到底部电极或顶部电极；以及形成耐腐蚀焊盘，该耐腐蚀焊盘被设置在接触焊盘上；以及形成封盖结构，该封盖结构被设置在压电结构上。

4、基于附图和详细描述，与本文中公开的装置和方法相关的其他特征和技术优势对本领域技术人员来说将是清楚的。

技术特征：

1.一种包括声学滤波器封装件的装置，包括：

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述基层还包括：

3.根据权利要求2所述的装置，其中所述衬底是硅(si)，并且所述钝化层是二氧化硅(sio2)。

4.根据权利要求1所述的装置，其中所述支撑层包括一个或多个介电层。

5.根据权利要求4所述的装置，其中所述支撑层包括一个或多个金属层，每个金属层由所述一个或多个介电层中的至少一个介电层分开。

6.根据权利要求5所述的装置，其中所述一个或多个金属层包括：

7.根据权利要求6所述的装置，其中所述一个或多个金属层各自包括被沉积在钛(ti)上的钨(w)。

8.根据权利要求1所述的装置，还包括：

9.根据权利要求8所述的装置，其中所述接触件包括导电柱和焊帽。

10.根据权利要求9所述的装置，其中所述导电柱是铜，并且所述焊帽是锡银(snag)焊帽。

11.根据权利要求1所述的装置，其中所述封盖结构包括：

12.根据权利要求11所述的装置，其中所述封盖结构还包括：

13.根据权利要求12所述的装置，其中所述封盖结构还包括：

14.根据权利要求13所述的装置，其中所述封盖层是sio2或氮化硅(sin)，所述密封层是苯并环丁烯(bcb)、环氧树脂或聚酰亚胺，并且所述增强层是氮化硅(sin)。

15.根据权利要求1所述的装置，其中所述压电结构还包括：

16.根据权利要求15所述的装置，其中所述第一介电层和所述第二介电层都是氮化硅(sin)。

17.根据权利要求1所述的装置，其中所述压电层是氮化铝钪(alscn)。

18.根据权利要求17所述的装置，其中所述耐腐蚀焊盘具有延伸部分。

19.根据权利要求1所述的装置，其中所述声学滤波器封装件还包括多个电容器。

20.根据权利要求1所述的装置，其中所述耐腐蚀焊盘由多个层形成。

21.根据权利要求20所述的装置，其中所述耐腐蚀焊盘由被沉积在晶种层上的耐腐蚀层形成。

22.根据权利要求21所述的装置，其中所述耐腐蚀层是钼(mo)、钨(w)、铬(cr)和钌(ru)中的至少一种，并且所述晶种层是ti、tin或cr。

23.根据权利要求21所述的装置，其中所述耐腐蚀层由多个层形成。

24.根据权利要求23所述的装置，其中所述多个层包括在被沉积在钼(mo)上的金(au)上所沉积的钼(mo)。

25.根据权利要求23所述的装置，其中所述多个层包括被沉积在钨(w)上的钼(mo)。

26.根据权利要求1所述的装置，其中所述接触焊盘由多个层形成。

27.根据权利要求26所述的装置，其中所述接触焊盘由被沉积在晶种层上的铝铜(alcu)形成。

28.根据权利要求26所述的装置，其中所述接触焊盘是铝(al)、铜(cu)、al(si、pd、sc)或其合金中的至少一种。

29.根据权利要求1所述的装置，其中所述装置选自由以下组成的组：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板电脑、计算机、可穿戴设备、膝上型计算机、服务器、基站和机动交通工具中的设备。

30.一种用于制造包括声学滤波器封装件的装置的方法，包括：

31.根据权利要求30所述的方法，其中所述基层还包括：

32.根据权利要求31所述的方法，其中所述衬底是硅，并且所述钝化层是二氧化硅。

33.根据权利要求30所述的方法，其中所述支撑层包括一个或多个介电层。

34.根据权利要求33所述的方法，其中所述支撑层包括一个或多个金属层，每个金属层由所述一个或多个介电层中的至少一个介电层分开。

35.根据权利要求34所述的方法，其中所述一个或多个金属层包括：

36.根据权利要求35所述的方法，其中所述一个或多个金属层各自包括被沉积在钛(ti)上的钨(w)。

37.根据权利要求30所述的方法，还包括：

38.根据权利要求37所述的方法，其中所述接触件包括导电柱和焊料凸块。

39.根据权利要求38所述的方法，其中所述导电柱是铜。

40.根据权利要求30所述的方法，其中所述封盖结构包括：

41.根据权利要求40所述的方法，其中所述封盖结构还包括：

42.根据权利要求41所述的方法，其中所述封盖层是sio2，所述密封层是苯并环丁烯(bcb)，并且所述增强层是氮化硅(sin)。

43.根据权利要求30所述的方法，其中所述压电结构还包括：

44.根据权利要求43所述的方法，其中所述第一介电层和所述第二介电层都是氮化硅(sin)。

45.根据权利要求30所述的方法，其中所述压电层是氮化铝钪(alscn)。

46.根据权利要求30所述的方法，其中所述耐腐蚀焊盘在形状上通常为圆形。

47.根据权利要求46所述的方法，其中所述耐腐蚀焊盘具有延伸部分。

48.根据权利要求30所述的方法，其中所述声学滤波器封装件还包括多个电容器。

49.根据权利要求30所述的方法，其中所述耐腐蚀焊盘由多个层形成。

50.根据权利要求49所述的方法，其中所述耐腐蚀焊盘由被沉积在晶种层上的耐腐蚀层形成。

51.根据权利要求50所述的方法，其中所述耐腐蚀层是钼(mo)、钨(w)、铬(cr)和钌(ru)中的至少一种，并且所述晶种层是ti、tin或cr。

52.根据权利要求50所述的方法，其中所述耐腐蚀层由多个层形成。

53.根据权利要求52所述的方法，其中所述多个层包括在被沉积在钼(mo)上的金(au)上所沉积的钼(mo)。

54.根据权利要求52所述的方法，其中所述多个层包括被沉积在钨(w)上的钼(mo)。

55.根据权利要求30所述的方法，其中所述接触焊盘由多个层形成。

56.根据权利要求55所述的方法，其中所述接触焊盘由被沉积在晶种层上的铝铜(alcu)形成。

57.根据权利要求55所述的方法，其中所述接触焊盘是铝(al)、铜(cu)、al(si、pd、sc)或其合金中的至少一种。

58.根据权利要求30所述的方法，其中所述装置选自由以下组成的组：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板电脑、计算机、可穿戴设备、膝上型计算机、服务器、基站和机动交通工具中的设备。

技术总结
一种用于制造声学滤波器封装件的装置和方法，其中该装置包括基层(110)；设置在基层上的支撑层(150)；设置在支撑层上的压电结构(120)；其中压电结构包括：压电层(122)；顶部电极(124)，在压电层的顶部表面上；底部电极(121)，在压电层的底部表面上；接触焊盘(123)，耦合到底部电极，接触焊盘延伸穿过压电层中的开口并且被耦合到底部电极或顶部电极；以及耐腐蚀焊盘(125)，被设置在接触焊盘上；以及封盖结构(131，132，133，134)，被设置在压电结构上。

技术研发人员：R·F·比瓦莱兹,U·施泰因霍伊泽
受保护的技术使用者：RF360新加坡私人有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16