弹性波装置的制作方法

本发明涉及具有含有钪的氮化铝膜的弹性波装置。

背景技术：

1、以往，已知作为压电膜使用了含有钪(sc)的氮化铝(aln)膜即scaln膜的弹性波装置。例如，在下述的专利文献1中，公开了使用了添加有钪的氮化铝膜的baw装置。在baw装置中，在scaln膜的上表面以及下表面，设置有用于施加交流电场的电极。而且，在scaln膜的下方设置有空洞部。此外，在下述的专利文献2也公开了具有同样的构造的baw装置。

2、在先技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2009-010926号公报

5、专利文献2：us2015/0084719a1

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、在使用了添加有sc的氮化铝膜的以往的弹性波装置中，若sc的浓度变高则压电性提高。然而，若sc浓度变高，则有时scaln膜翘曲或者发生剥离。因而，也有时压电特性劣化。

3、本发明的目的在于，提供一种具有不易产生膜的翘曲、剥离且不易产生特性的劣化的、含有钪的氮化铝膜的弹性波装置。

4、用于解决问题的技术方案

5、本发明涉及的弹性波装置具备具有相互对置的第1主面和第2主面的、含有钪的氮化铝膜、和设置在所述第1主面的第1电极以及设置在所述第2主面的第2电极，所述含有钪的氮化铝膜具有位于所述第1电极的附近的第1电极附近区域、位于所述第2电极的附近的第2电极附近区域、以及位于所述第1电极附近区域与所述第2电极附近区域之间的中央区域，将对所述含有钪的氮化铝膜中的晶粒进行了椭圆近似时的长径以及短径之中的短径设为晶粒粒径，在各区域中，将所述晶粒粒径的平均值设为平均粒径ravg时，所述第1电极附近区域的所述ravg小于所述中央区域的所述ravg，在所述第1电极附近区域中的晶体方位不同的晶粒间、和所述第1电极与所述含有钪的氮化铝膜的界面包含微小粒子群，在各区域中，将所述晶粒粒径的面积加权平均值设为面积加权平均粒径rsavg时，所述微小粒子群中的晶粒的粒径为所述中央区域的所述rsavg的1/2以下，并且所述第1电极附近区域的所述微小粒子群中的晶粒的个数为所述第1电极附近区域中的晶粒的整体的个数的50％以上。

6、发明效果

7、根据本发明，能够提供一种具有不易产生膜的翘曲、剥离且不易产生特性的劣化的、含有钪的氮化铝膜的弹性波装置。

技术特征：

1.一种弹性波装置，具备：

2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，

3.根据权利要求2所述的弹性波装置，其中，

4.根据权利要求1～3中任一项所述的弹性波装置，其中，

5.根据权利要求4所述的弹性波装置，其中，

6.根据权利要求1～5中任一项所述的弹性波装置，其中，

7.根据权利要求6所述的弹性波装置，其中，

8.根据权利要求1～7中任一项所述的弹性波装置，其中，

9.根据权利要求1～7中任一项所述的弹性波装置，其中，

10.根据权利要求1～9中任一项所述的弹性波装置，其中，

11.根据权利要求1～9中任一项所述的弹性波装置，其中，

12.根据权利要求11所述的弹性波装置，其中，

13.根据权利要求12所述的弹性波装置，其中，

技术总结
本发明提供一种不易产生膜的翘曲、剥离且不易产生特性的劣化的弹性波装置。弹性波装置(1)具备具有相互对置的第1主面和第2主面的ScAlN膜(3)、和设置在第1主面的第1激励电极(4)以及设置在第2主面的第2激励电极(5)。ScAlN膜(3)具有位于第1电极的附近的第1电极附近区域(E1)、位于第2电极的附近的第2电极附近区域(E2)、以及中央区域(C)。将对ScAlN膜(3)中的晶粒进行了椭圆近似时的长径以及短径之中的短径设为晶粒粒径，在各区域中，将晶粒粒径的平均值设为平均粒径R<subgt;avg</subgt;时，第1电极附近区域(E1)的R<subgt;avg</subgt;小于中央区域(C)的R<subgt;avg</subgt;。在第1电极附近区域(E1)中的晶体方位不同的晶粒间、和第1激励电极(4)与ScAlN膜(3)的界面，包含微小粒子群。在各区域中，将晶粒粒径的面积加权平均值设为面积加权平均粒径R<subgt;Savg</subgt;时，微小粒子群中的晶粒的粒径为中央区域(C)的R<subgt;savg</subgt;的1/2以下，并且第1电极附近区域(E1)的微小粒子群中的晶粒的个数为第1电极附近区域(E1)中的晶粒的整体的个数的50％以上。

技术研发人员：中村健太郎,木村哲也
受保护的技术使用者：株式会社村田制作所
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15