组合物和使用了其的电子器件的制造方法与流程

本公开涉及组合物和使用了其的电子器件的制造方法。

背景技术：

1、对于多数的电子器件而言，为了使光吸收、发光、放大或整流等功能显现，采用使空穴传输层或电子传输层与光电转换层接触的结构，只将空穴或电子在一方向上取出或者供给。

2、空穴传输层是能够进行与相接的光电转换层的价电子带的空穴的存取、具有将该光电转换层的传导带的电子绝缘的功能的层。电子传输层是能够进行与相接的光电转换层的传导带的电子的存取、具有将该光电转换层的价电子带的空穴绝缘的功能的层。

3、作为构成空穴传输层的主材料，存在各种空穴传输材料，单独地具有作为电子器件的空穴传输层充分地发挥功能的空穴浓度的材料少。多数情况下，通过在空穴传输材料中加入添加剂，从而获得必要的空穴浓度。即，所述添加剂具有从空穴传输材料夺取价电子带的电子的功能。

4、钙钛矿太阳能电池例如具有依次形成了第一电极、光电转换层、空穴传输层和第二电极的结构。也有时在第一电极与光电转换层之间还存在电子传输层。在钙钛矿太阳能电池中，光电转换层为吸收光以产生电子和空穴的层。空穴传输层为只将光电转换层中生成的空穴传导至第二电极、将电子绝缘的层。电子传输层为只将光电转换层中生成的电子传导至第一电极、将空穴绝缘的层(非专利文献1)。

5、有机薄膜太阳能电池例如具有将第一电极、光电转换层、空穴传输层和第二电极依次形成而成的结构。工作原理的详细情况也有与钙钛矿太阳能电池不同的部分，但在空穴传输层为不传导电子而只传导空穴、传导至第二电极的层的方面，与钙钛矿太阳能电池相同(专利文献1)。

6、以有机化合物作为发光层的有机el发光元件例如具有将第一电极、发光层、空穴传输层和第二电极依次形成而成的结构。有机el发光元件中的空穴传输层在为对于发光层不传导电子而只传导空穴的功能层的方面，与上述的钙钛矿太阳能电池、有机薄膜太阳能电池的动作不同，但在空穴传输层具有不传导电子、只传导空穴的功能的方面相同(专利文献2)。

7、这样一来，空穴传输层为担负电子器件的动作的核心的部件。但是，在空穴传输层上通过墨涂布来制作电极的情况下，具有电子器件的性能降低的倾向(非专利文献2)。

8、专利文献3公开了包含对于电子传输层的掺杂剂的电极。

9、现有技术文献

10、非专利文献

11、非专利文献1：materials chemistry and physics 256，第123594页(2020)

12、非专利文献2：journral of materials chemistry a，3，第15996页(2015)

13、专利文献

14、专利文献1：日本特开2012-216673公报

15、专利文献2：日本特开2019-77685公报

16、专利文献3：国际公开第2011/052546号

技术实现思路

1、发明要解决的课题

2、本公开的目的在于提供适于提高电子器件的性能的组合物。

3、用于解决课题的手段

4、本公开的组合物包含导电材料、p型掺杂剂和溶剂。所述溶剂包含选自醇、脂肪族烃、硅氧烷、酯和醚中的至少一个化合物。

5、发明效果

6、本公开提供适于提高电子器件的性能的组合物。

技术特征：

1.一种组合物，其包含导电材料、p型掺杂剂和溶剂，所述溶剂包含选自醇、脂肪族烃、硅氧烷、酯和醚中的至少一个化合物。

2.根据权利要求1所述的组合物，其中，所述导电材料包含选自金属、导电性碳和导电性化合物中的至少一个。

3.根据权利要求1或2所述的组合物，其中，所述p型掺杂剂包含选自包含双(三氟甲磺酰)亚胺基的金属盐、包含双(氟磺酰)亚胺基的金属盐、包含双(五氟乙磺酰)亚胺基的金属盐、包含4，4，5，5-四氟-1，3，2-二噻唑烷-1，1，3，3-四氧化物基的金属盐、三(五氟苯基)硼烷、2，3，5，6-四氟-7，7，8，8-四氰基醌二甲烷、sncl4、sbcl5、fecl3和wo3中的至少一个。

4.根据权利要求3所述的组合物，其中，所述p型掺杂剂包含选自双(三氟甲磺酰)亚胺锂和三(五氟苯基)硼烷中的至少一个。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的组合物，其中，所述溶剂包含选自1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、1-戊醇、2-戊醇、3-戊醇、己醇、庚醇、辛醇、壬醇、癸醇、十一醇、十二醇、1，2-丙二醇、1，3-丙二醇、1，2-戊二醇，1，3-戊二醇、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、十一烷、十二烷、六甲基二硅氧烷、六甲氧基二硅氧烷、1，1，3，3-四甲基二硅氧烷、1，1，3，3，5，5，7，7，9，9，11，11-十二甲基六硅氧烷、1，1，5，5-四甲基-3，3-二苯基三硅氧烷、1，1，1，3，3-五甲基二硅氧烷、醋酸甲酯、醋酸乙酯、醋酸丙酯、醋酸丁酯、甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、丙基溶纤剂、丁基溶纤剂、二甲基溶纤剂、苯基溶纤剂、二异丙基醚、乙二醇单乙基醚乙酸酯、丙二醇单甲基醚乙酸酯、二甘醇单丁基醚乙酸酯、二甘醇单乙基醚乙酸酯、二甘醇单甲基醚、二甘醇单乙基醚、二甘醇单丁基醚、丙二醇单甲基醚、丙二醇单甲基醚丙酸酯、乙二醇二甲基醚、二甘醇二甲基醚、乙二醇二乙基醚、二甘醇二乙基醚、三甘醇二甲基醚、二甘醇二丁基醚、四甘醇二甲基醚和二丙二醇二甲基醚中的至少一个。

6.根据权利要求5所述的组合物，其中，所述溶剂包含2-丙醇。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的组合物，其中，在所述组合物中，所述p型掺杂剂的浓度为0.1质量％以上且低于100质量％。

8.根据权利要求7所述的组合物，其中，所述p型掺杂剂的浓度为0.1质量％以上且46.1质量％以下。

9.一种电子器件的制造方法，其包含：

10.根据权利要求9所述的制造方法，其中，在所述(b1)中，通过在所述空穴传输层上涂布所述组合物从而形成所述第二电极。

11.一种电子器件的制造方法，其包含：

12.根据权利要求11所述的制造方法，其中，在所述(a2)中，通过在基板上涂布所述组合物从而形成所述第二电极。

技术总结
本公开的组合物包含导电材料、p型掺杂剂和溶剂。该溶剂包含选自醇、脂肪族烃、硅氧烷、酯和醚中的至少一个化合物。本公开的电子器件的制造方法包含：使用本公开的组合物形成第二电极(6)；和依次层叠第一电极(2)、光电转换层(3)、空穴传输层(5)和第二电极(6)。

技术研发人员：樋口洋
受保护的技术使用者：松下控股株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15