半导体存储器装置的制作方法

本文所描述的实施例大体上涉及半导体存储器装置。

背景技术：

1、半导体存储器装置(例如三维非易失性存储器)通常具有其中堆叠多个导电层的结构。当在制造过程期间受到应力时，这种堆叠结构有时会导致此类堆叠结构中的组件之间的位置关系发生偏离，达到产品操作或质量控制方面不可接受的程度。

技术实现思路

1、一般来说，根据一个实施例，半导体存储器装置包含：堆叠主体，其中多个导电层及多个绝缘层一个接一个地交替堆叠，所述堆叠主体包含布置在与所述多个导电层的堆叠方向相交的第一方向上的存储器区域及阶梯区域；板状部分，其在所述堆叠方向上及所述第一方向上的所述堆叠主体中延伸，且在与所述堆叠方向及所述第一方向相交的第二方向上划分所述堆叠主体；多个第一柱，其分散地布置在所述存储器区域中并在所述堆叠方向上的所述堆叠主体中延伸；第一阶梯部分，其布置在所述堆叠方向上与所述板状部分重叠的位置处的所述阶梯区域中，其中所述多个导电层在所述第一方向上呈台阶状；第二阶梯部分及第三阶梯部分，其布置在所述板状部分的所述第二方向上的两侧上的所述阶梯区域中，且具有某些结构，在所述结构中的每一者中，所述多个导电层呈台阶状，且所述结构相对于所述板状部分在所述第二方向上相互反向；多个第一接触件，其布置在所述板状部分的所述第二方向上的一侧上的所述阶梯区域中并沿着所述板状部分，且个别地连接到所述第一阶梯部分中的所述多个台阶状导电层之间的至少下部导电层；及多个第二接触件，其布置在所述板状部分的所述第二方向上的另一侧上的所述阶梯区域中并沿着所述板状部分，且个别地连接到所述第一阶梯部分中的所述至少下部导电层，其中所述多个第一接触件取决于所述第一方向上的位置而相对于所述板状部分在所述第二方向上个别地布置在不同的位置处，且所述多个第二接触件相对于所述板状部分个别地布置在与所述多个第一接触件的所述相应位置在所述第二方向上反向的位置处。

技术特征：

1.一种半导体存储器装置，其包括：

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中

3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中

4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其进一步包括：

5.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中

6.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其进一步包括：

7.根据权利要求6所述的半导体存储器装置，其中

8.根据权利要求6所述的半导体存储器装置，其中

9.根据权利要求8所述的半导体存储器装置，其中

10.一种半导体存储器装置，其包括：

11.一种半导体存储器装置，其包括：

12.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中

13.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中

14.根据权利要求13所述的半导体存储器装置，其中

15.根据权利要求14所述的半导体存储器装置，其中

16.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其进一步包括：

17.根据权利要求16所述的半导体存储器装置，其中

18.根据权利要求16所述的半导体存储器装置，其进一步包括：

19.根据权利要求18所述的半导体存储器装置，其中

20.根据权利要求19所述的半导体存储器装置，其中

技术总结
根据一个实施例，一种半导体存储器装置包含：多个第一接触件，其布置在板状部分的第二方向上的一侧上的阶梯区域中并沿着所述板状部分，且个别地连接到第一阶梯部分中的多个台阶状导电层之间的至少下部导电层；及多个第二接触件，其布置在所述板状部分的所述第二方向上的另一侧上的所述阶梯区域中并沿着所述板状部分，且个别地连接到所述第一阶梯部分中的所述至少下部导电层，其中所述多个第一接触件取决于第一方向上的位置而相对于所述板状部分在所述第二方向上个别地布置在不同的位置处，且所述多个第二接触件相对于所述板状部分个别地布置在与所述多个第一接触件的所述相应位置在所述第二方向上反向的位置处。

技术研发人员：河村大辅,佐伯郁弥,阪口智则
受保护的技术使用者：铠侠股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15