形成电容器的方法与电容器与流程

在此所描述的标的是有关于一种金属-绝缘体-金属(mim)电容器，且特别是有关于一种高密度金属-绝缘体-金属电容器。

背景技术：

1、半导体集成电路产业在过去几十年已历经快速成长。半导体材料与设计上的技术进步已经产生越来越小且越来越复杂的电路。这些材料与设计的进步已成为可能，因为与加工及制造相关的技术也经历了技术进步。在半导体发展过程中，随着可以可靠创建的最小组件的尺寸的减小，每单位面积的互连元件的数量增加。

2、金属-绝缘体-金属(mim)电容器使用在集成电路(ic)上的许多应用中，包含记忆电路、模拟电路、滤波器电路、以及去耦噪音抑制电路。

技术实现思路

1、一个创作态样为一种形成电容器的方法。此方法包含形成金属化层的一部分于基板上，形成介层窗层于基板上，以及形成第一电极于金属化层与介层窗层之间，其中第一电极电性连接金属化层。此方法亦包含形成第二电极于金属化层与介层窗层之间，其中第二电极电性连接介层窗层；以及形成介电层于第一电极与第二电极之间，其中除了通过金属化层外，第一电极不与任何其他导体电性连接，其中除了通过介层窗层外，第二电极不与任何其他导体电性连接。

2、另一个创作态样为一种形成电容器的方法。此方法包含形成金属化层的一部分于基板上，形成介层窗层于基板上，以及形成第一电极于金属化层与介层窗层之间，其中第一电极电性连接金属化层。此方法亦包含形成第二电极于金属化层与介层窗层之间，其中第二电极电性连接介层窗层；以及形成介电层于第一电极与第二电极之间，其中除了通过金属化层的此部分外，第一电极不与任何其他电子构件电性连接，其中除了通过介层窗层外，第二电极不与任何其他电子构件电性连接。

3、另一个创作态样为一种电容器，包含半导体基板、金属化层的一部分形成在半导体基板上、介层窗层形成在半导体基板上、以及第一电极介于金属化层与介层窗层之间，其中第一电极电性连接金属化层。此电容器亦包含第二电极介于金属化层与介层窗层之间，其中第二电极电性连接介层窗层；以及介电层介于第一电极与第二电极之间，其中第一电极包含第一下电极层与第二下电极层，其中第一下电极层与第二下电极层共同延伸至第一电极的外围边界，其中第二电极包含第一上电极层与第二上电极层，其中第一上电极层与第二上电极层共同延伸至第二电极的外围边界。

技术特征：

1.一种形成电容器的方法，其特征在于，该方法包含：

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该第一电极的一外围边界包围该金属化层的该部分的一外围边界。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该第一电极的一外围边界包围该第二电极的一外围边界。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该介电层与该第一电极共同延伸至该第一电极的一外围边界。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该第一电极包含一第一下电极层与一第二下电极层。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该第二电极包含一第一上电极层与一第二上电极层。

7.一种形成电容器的方法，其特征在于，该方法包含：

8.一种电容器，其特征在于，该电容器包含：

9.如权利要求8所述的电容器，其特征在于，该第一电极的一外围边界包围该金属化层的该部分的一外围边界。

10.如权利要求8所述的电容器，其特征在于，该第一电极的一外围边界包围该第二电极的一外围边界。

技术总结
揭露一种形成电容器的方法与电容器。此方法包含形成金属化层的一部分于基板上，形成介层窗层于基板上，以及形成第一电极于金属化层与介层窗层之间，其中第一电极电性连接金属化层。此方法亦包含形成第二电极于金属化层与介层窗层之间，其中第二电极电性连接介层窗层；以及形成介电层于第一电极与第二电极之间，其中除了通过金属化层外，第一电极不与任何其他导体电性连接，其中除了通过介层窗层外，第二电极不与任何其他导体电性连接。

技术研发人员：王培任,高境鸿,李梓光,何孟昌,巫昆懋
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13