高频开关及半导体装置的制作方法

本发明的实施方式涉及高频开关及半导体装置。

背景技术：

1、以往，作为用于对高频信号的传送路径进行切换的开关，已知高频开关。

2、高频开关例如在如移动电话或者无线lan(local area network)等那样的无线通信设备中，用于对各频带进行切换，或者对发送信号的传送路径和接收信号的传送路径相互地进行切换。

3、在如上所述的高频开关中，在以高隔离性为目的的高频开关中，通常在直通连接于端口之间的mosfet开关电路之间连接有一个或多个对地连接mosfet开关电路。

4、在采用如上所述的结构的情况下，在高频区域中无法忽略由从半导体芯片向封装件框体的连接中使用的引线键合引起的寄生电感成分影响，隔离特性有可能劣化。

技术实现思路

1、实施方式的高频开关在具有n(n为2以上的整数)个rf端子及1个rf公共端子的spnt(single pole n throw，单刀多掷)型的高频开关中，具有：m(m为2以上的整数)个第一mos晶体管，串联连接于n个rf端子之中的1个rf端子与rf公共端子之间；(m－1)个第二mos晶体管，一端分别连接在m个第一mos晶体管之中的相邻的第一mos晶体管间；以及电容器，连接于如下的第二mos晶体管的另一端与接地之间，该第二mos晶体管的一端与一端被连接于1个rf端子的第一mos晶体管的另一端连接。

2、根据本实施方式，能够提供一种抑制由引线键合引起的隔离特性的劣化、并能够以高隔离性可靠地对信号传送路径进行切换的高频开关及半导体装置。

技术特征：

1.一种高频开关，是具有n个rf端子及1个rf公共端子的spnt型即单刀多掷型的高频开关，其中，n为2以上的整数，

2.如权利要求1所述的高频开关，其中，

3.如权利要求1所述的高频开关，其中，

4.如权利要求1所述的高频开关，其中，

5.如权利要求4所述的高频开关，其中，

6.一种半导体装置，其中，具有：

7.如权利要求6所述的半导体装置，其中，

8.如权利要求6所述的半导体装置，其中，

9.如权利要求6所述的半导体装置，其中，

10.如权利要求9所述的半导体装置，其中，

技术总结
本发明的实施方式涉及高频开关及半导体装置。实施方式的高频开关在具有n个RF端子及1个RF公共端子的SPnT型即单刀多掷型的高频开关中，具有：m个第一MOS晶体管，串联连接于n个RF端子之中的1个RF端子和RF公共端子之间；m－1个第二MOS晶体管，分别将一端连接于m个第一MOS晶体管之中的相邻的第一MOS晶体管间；以及电容器，连接于如下的第二MOS晶体管的另一端与接地之间，该第二MOS晶体管的一端与一端被连接于1个RF端子的第一MOS晶体管的另一端连接，其中n为2以上的整数，m为2以上的整数。

技术研发人员：寺口贵之
受保护的技术使用者：株式会社东芝
技术研发日：
技术公布日：2024/3/24