存储器元件的制作方法

本申请案主张美国第17/824,011及17/824,507号专利申请案的优先权(即优先权日为“2022年5月25日”)，其内容以全文引用的方式并入本文中。本公开关于一种存储器元件，特别是有关于一种具有突出字元线的存储器元件。

背景技术：

1、随着电子工业的快速发展，集成电路(ic)的发展已经实现高性能与小型化。在集成电路材料与设计技术的进步产生数代的集成电路，而每一代都比上一代的电路更小、更复杂。

2、动态随机存取存储器(dram)元件是一种随机存取存储器，它将每一位元数据存储在集成电路内的一个单独的电容器中。通常情况下，dram被安排在一个方形阵列中，每个单元有一个电容器和晶体管。4f2 dram单元的垂直晶体管已经被开发，其中f代表微影的最小特征宽度或关键尺寸(cd)。然而，最近随着字元线间距的不断缩小，dram制造商面临着缩小存储单元面积的巨大挑战。例如，位元线的通道很容易与字元线接触，以致由于微影制程的叠置误差而诱发短路。

3、上文的“先前技术”说明仅的提供背景技术，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。

技术实现思路

1、本公开的一个方面提供一种存储器元件。该存储器元件包括一基底、一介电质层、一第一金属化层、一第一通道层、一第二金属化层以及一第二通道层。该介电质层设置于该基底上。该第一金属化层设置于该介电质层内，并沿一第一方向延伸。该第一通道层被该第一金属化层所包围。该第二金属化层设置于该介电质层内并沿该第一方向延伸。该第二通道层被该第二金属化层所包围。该第一金属化层包括朝向该第二金属化层突出的一第一突出部。

2、本公开的另一个方面提供另一种存储器元件。该存储器元件包括一底部基底、一第一底部单元、一顶部基底、一第一顶部单元以及一共用位元线。该第一底部单元包括设置于该底部基底内的一第一底部电容器。该第一底部单元还包括设置于该底部基底上并沿一第一方向延伸的一第一底部字元线。该第一底部单元更包括被该第一底部字元线所包围的一第一底部通道层。该第一顶部单元包括设置于该顶部基底内的一第一顶部电容器。该第一顶部单元还包括设置于该顶部基底上并沿该第一方向延伸的一第一顶部字元线。该第一顶部单元更包括被该第一顶部字元线所包围的一第一顶部通道层。该共用位元线设置于该第一底部单元与该第一顶部单元之间，并沿实质上垂直于该第一方向的一第二方向延伸。

3、本公开的另一个方面提供一种存储器元件的制备方法。该制备方法包括提供一基底。该制备方法还包括在该基底上形成一导电层。该制备方法更包括对该导电层进行定图形，以形成沿一第一方向延伸的一第一金属化层及一第二金属化层。该第一金属化层具有向该第二金属化层突出的一第一突出部。此外，该制备方法还包括在该第一金属化层内形成一第一通道层，在该第二金属化层内形成一第二通道层。

4、在一些实施例中，该第一顶部字元线形成于该第一顶部电容器与该共用位元线之间。

5、在一些实施例中，该第一顶部字元线形成于该第一顶部电容器与该第一底字元线之间。

6、在一些实施例中，形成该第一顶部字元线包括形成朝向该第二顶部字元线突出的一突出部。

7、在一些实施例中，该制备方法更包括形成一第二底部单元，其包括：在该底部基底上形成一第二底部字元线并沿该第一方向延伸；以及形成被该第二底部字元线所包围的一第二底部通道层；其中该第一底部字元线包括朝向该第二底部字元线突出的一突出部。

8、在一些实施例中，该第二底部字元线包括朝向该第一底部字元线突出的一突出部。

9、在一些实施例中，该第一底部字元线的该突出部与该第二底部字元线的该突出部沿该第二方向交错排列。

10、在一些实施例中，该第一底部通道层与该第二底部通道层沿该第二方向交错排列。

11、在一些实施例中，该第一顶部字元线有一突出部。

12、在一些实施例中，该第一底部字元线的该突出部沿一第三方向与该第一顶部字元线的该突出部重叠，该第三方向实质上垂直于该第一方向与该第二方向。

13、在一些实施例中，该第一顶部通道层沿该第二方向与该第一顶部字元线的该突出部重叠。

14、在一些实施例中，该制备方法更包括：形成一第二顶部单元，其包括：在该顶部基底上形成一第二顶部字元线并沿该第一方向延伸；以及形成被该第二顶部字元线所包围的一第二顶部通道层；其中该第二顶部字元线包括朝向该第一顶部字元线突出的一突出部。

15、在一些实施例中，该第一顶部字元线有一第一侧壁及与该第一侧壁相对的一第二侧壁，该第二侧壁面对该第二顶部字元线，该第一侧壁与该第一顶部通道层之间的一第一距离与该第二侧壁与该第一顶部通道层之间的一第二距离不同。

16、在一些实施例中，该第二顶部字元线有一第三侧壁及一第四侧壁，该第三侧壁面对该第一顶部字元线，该第三侧壁与该第二顶部通道层之间的一第三距离不同于该第四侧壁与该第二顶部通道层之间的一第四距离。

17、本公开的实施例提供一种存储器元件。该存储器元件可包括具有突出部的字元线。突出部可以使字元线定图形的叠置误差相对较大，以形成一个开口(其中形成一通道层)，这可以防止字元线与通道层之间的电泄漏。

18、上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属技术领域中具有通常知识者应了解，可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或过程而实现与本公开相同的目的。本公开所属技术领域中具有通常知识者亦应了解，这类等效建构无法脱离后附的权利要求所界定的本公开的精神和范围。

技术特征：

1.一种存储器元件，包括：

2.如权利要求1所述的存储器元件，其中该第一顶部字元线设置于该第一顶部电容器与该共用位元线之间。

3.如权利要求1所述的存储器元件，其中该第一顶部字元线设置于该第一顶部电容器与该第一底部字元线之间。

4.如权利要求1所述的存储器元件，其中该第一顶部字元线包括朝向一第二顶部字元线突出的一突出部。

5.如权利要求4所述的存储器元件，更包括：

6.如权利要求5所述的存储器元件，其中该第二底部字元线包括朝向该第一底部字元线突出的一突出部。

7.如权利要求5所述的存储器元件，其中该第一底部字元线的该突出部与该第二底部字元线的该突出部沿一第二方向交错排列。

8.如权利要求5所述的存储器元件，其中该第一底部通道层与该第二底部通道层沿该第二方向交错排列。

9.如权利要求5所述的存储器元件，其中该第一顶部字元线有一突出部。

10.如权利要求9所述的存储器元件，其中该第一底部字元线的该突出部沿一第三方向与该第一顶部字元线的该突出部重叠，该第三方向实质上垂直于该第一方向与该第二方向。

11.如权利要求9所述的存储器元件，其中该第一顶部通道层沿该第二方向与该第一顶部字元线的该突出部重叠。

12.如权利要求9所述的存储器元件，更包括：

13.如权利要求12所述的存储器元件，其中该第一顶部字元线有一第一侧壁及与该第一侧壁相对的一第二侧壁，该第二侧壁面对该第二顶部字元线，并且该第一侧壁与该第一顶部通道层之间的一第一距离与该第二侧壁与该第一顶部通道层之间的一第二距离不同。

14.如权利要求13所述的存储器元件，其中该第二顶部字元线有一第三侧壁及一第四侧壁，该第三侧壁面对该第一顶部字元线，该第三侧壁与该第二顶部通道层之间的一第三距离与该第四侧壁与该第二顶部通道层之间的一第四距离不同。

技术总结
本公开提供一种存储器元件。该存储器元件包括一基底、一介电质层、一第一金属化层、一第一通道层、一第二金属化层以及一第二通道层。该介电质层设置于该基底上。该第一金属化层设置于该介电质层内，并沿一第一方向延伸。该第一通道层被该第一金属化层所包围。该第二金属化层设置于该介电质层内并沿该第一方向延伸。该第二通道层被该第二金属化层所包围。该第一金属化层包括朝向该第二金属化层突出的一第一突出部。

技术研发人员：何家铭
受保护的技术使用者：南亚科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16