信号生成系统、器件和生成脉冲宽度调制信号方法与流程

本申请的实施例涉及信号生成系统、器件和生成脉冲宽度调制信号方法。

背景技术：

1、由氮化镓(gan)高电子迁移率晶体管(hemt，high electron mobilitytransistor实施的高侧集成驱动器电路能够实现各种电路的高功率吞吐量。hemt具有多种应用，包括分立功率晶体管的驱动操作。

技术实现思路

1、根据本申请的实施例的一个方面，提供了一种信号生成系系统，包括：方波发生器，被配置为延迟输入方波信号以生成多个方波信号；以及逻辑器件，被配置为对多个方波信号中的两个方波信号执行逻辑操作，其中，逻辑操作生成脉冲宽度调制信号，脉冲宽度调制信号具有对应于两个方波信号的占空比。

2、根据本申请的实施例的一个方面，提供了一种信号生成系器件，包括：多个逻辑电路，包括多个增强型高电子迁移率晶体管(e-hemt)和多个耗尽型高电子迁移率晶体管(d-hemt)，多个逻辑电路被配置为基于多个逻辑电路的电压输入生成脉冲宽度调制(pwm)信号。

3、根据本申请的实施例的又一个方面，提供了一种生成脉冲宽度调制信号的方法，包括：使用方波发生器生成多个方波信号，以延迟输入方波信号；以及通过对多个方波信号中的两个方波信号执行逻辑操作来生成具有可变占空比调制的脉冲宽度调制(pwm)信号。

技术特征：

1.一种信号生成系统，包括：

2.根据权利要求1所述的信号生成系统，其中，所述逻辑器件包括多个增强型高电子迁移率晶体管和多个耗尽型高电子迁移率晶体管。

3.根据权利要求1所述的信号生成系统，其中，所述逻辑器件包括：

4.根据权利要求3所述的信号生成系统，其中，所述逻辑器件还包括耦接在所述第三逻辑电路和所述第四逻辑电路之间的第五逻辑电路，所述第五逻辑电路包括第六增强型高电子迁移率晶体管和第五耗尽型高电子迁移率晶体管。

5.根据权利要求2所述的信号生成系统，其中，所述多个增强型高电子迁移率晶体管和所述多个耗尽型高电子迁移率晶体管是n型晶体管。

6.根据权利要求1所述的信号生成系统，其中，所述逻辑操作包括非门、与非门或者或非门之中的至少一个。

7.根据权利要求1所述的信号生成系统，其中，所述方波发生器包括振荡器电路。

8.根据权利要求1所述的信号生成系统，其中，所述逻辑器件包括氮化镓组件。

9.一种信号生成器件，包括：

10.一种生成脉冲宽度调制信号的方法，包括：

技术总结
本文描述了用于生成具有特定占空比的脉冲宽度调制(PWM)信号的系统、方法和器件。在一个实施例中，系统包括方波发生器和逻辑器件。方波生成器用以延迟输入方波信号以生成多个方波信号。逻辑器件被配置为对多个方波信号中的两个方波信号执行逻辑操作，进而生成具有对应于两个方波信号的占空比的PWM信号。本申请的实施例还提供了信号生成系统、器件和生成脉冲宽度调制信号方法。

技术研发人员：赖昱安,陈建宏,谢正祥
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14