CMOS芯片和包括CMOS芯片的电子装置的制作方法

本公开的实施例涉及互补金属氧化物半导体(cmos)芯片和包括cmos芯片的电子装置，更具体地，涉及能够同时或同期地支持不同类型的终端的cmos芯片和包括cmos芯片的电子装置。

背景技术：

1、无线保真(wi-fi)终端可被分类为要求更高性能的旗舰终端和走量终端(volumeterminal)(例如，其不要求更高性能)。旗舰终端通过使用基于化合物(例如，gaas、sige等)的更高成本前端模块(fem)来实现聚焦于更高性能的前端解决方案。相比之下，走量终端不使用用于更高性能的更高成本fem。

2、然而，对走量终端中的wi-fi发送(tx)性能/效率提高的需求继续存在，并且附加地，除了现有频带(<5.9ghz)之外，对wi-fi 6e规范(～7.2ghz)的频率扩展也被要求。另外，即使旗舰终端在wi-fi性能上遭受一定程度的劣化，对使用更高成本fem的替代解决方案也在不断地被审视。

技术实现思路

1、本公开的实施例提供能够支持混合型收发器的cmos芯片和包括cmos芯片的电子装置，在混合型收发器中，基于化合物装置的功率单元(pc)和基于互补金属氧化物半导体(cmos)工艺的无源设计被组合。

2、根据本公开的实施例，一种cmos芯片包括：信号转换电路，被配置为转换基带信号和rf信号；多个端口，rf信号通过所述多个端口被发送或接收，所述多个端口分别包括在第一发送路径、第二发送路径和接收路径中；以及多个匹配网络，连接到信号转换电路，所述多个匹配网络分别连接到所述多个端口，所述多个匹配网络之中的第一匹配网络包括外部匹配网络，并且外部匹配网络被配置为执行化合物半导体装置的阻抗匹配。

3、根据本公开的实施例，一种电子装置包括：处理电路系统，被配置为生成第一基带信号；rf芯片，被配置为，基于第一基带信号来生成发送rf信号，或者处理接收rf信号以获得第二基带信号；fem，被配置为，将发送rf信号引导到第一发送路径或第二发送路径中的一个，并且将接收rf信号引导到接收路径；以及天线，被配置为发送发送rf信号或者接收接收rf信号，其中，rf芯片包括：cmos芯片，包括信号转换电路、第一多个端口和多个匹配网络，信号转换电路被配置为生成发送rf信号或者处理接收rf信号，所述第一多个端口分别包括在第一发送路径、第二发送路径和接收路径中，所述多个匹配网络连接到信号转换电路，所述多个匹配网络分别连接到所述第一多个端口；第二多个端口，连接到fem，所述第二多个端口分别包括在第一发送路径、第二发送路径和接收路径中；以及功率单元，在第一端口与第二端口之间，所述第一多个端口包括第一端口，所述第二多个端口包括第二端口，并且功率单元包括化合物半导体装置，并且所述多个匹配网络之中的第一匹配网络包括外部匹配网络，外部匹配网络被配置为执行化合物半导体装置的阻抗匹配。

4、根据本公开的实施例，一种电子装置包括：处理电路系统，被配置为生成第一基带信号；rf芯片，被配置为：基于第一基带信号来生成发送rf信号，或者处理接收rf信号以获得第二基带信号；fem，被配置为：放大发送rf信号以获得放大后的发送rf信号，并且将放大后的发送rf信号引导到第一发送路径，以及放大接收rf信号以获得放大后的接收rf信号，并且将放大后的发送rf信号引导到接收路径；以及天线，被配置为发送发送rf信号或者接收接收rf信号，其中，rf芯片包括：cmos芯片，包括信号转换电路、第一多个端口和多个匹配网络，信号转换电路被配置为生成发送rf信号或者处理接收rf信号，所述第一多个端口分别包括在第一发送路径、第二发送路径和接收路径中，所述多个匹配网络连接到信号转换电路，所述多个匹配网络分别连接到所述第一多个端口；以及第二多个端口，分别包括在第一发送路径、第二发送路径和接收路径中，并且所述多个匹配网络之中的第一匹配网络包括外部匹配网络，外部匹配网络被配置为执行化合物半导体装置的阻抗匹配，并且第二发送路径被去激活。

技术特征：

1.一种cmos芯片，包括：

2.根据权利要求1所述的cmos芯片，其中，信号转换电路被配置为基于化合物半导体装置是否被包括在第二发送路径中来激活或去激活第一匹配网络。

3.根据权利要求1所述的cmos芯片，其中，信号转换电路和所述多个匹配网络基于cmos工艺被实现。

4.根据权利要求1至3中的任何一项所述的cmos芯片，其中，信号转换电路包括：

5.根据权利要求4所述的cmos芯片，其中，切换单元被配置为：

6.根据权利要求4所述的cmos芯片，其中，第一匹配网络还包括：

7.根据权利要求1所述的cmos芯片，其中，外部匹配网络连接到所述多个端口之中的第一端口和天线端口。

8.一种电子装置，包括：

9.根据权利要求8所述的电子装置，其中，化合物半导体装置是iii-v族化合物半导体装置。

10.根据权利要求8所述的电子装置，其中，第一匹配网络还包括：

11.根据权利要求10所述的电子装置，其中，功率单元还包括：

12.根据权利要求11所述的电子装置，其中，外部匹配网络连接到第三引脚和第二端口。

13.根据权利要求10所述的电子装置，其中，源匹配网络和外部匹配网络基于cmos工艺被实现。

14.根据权利要求8至13中的任何一项所述的电子装置，其中，所述电子装置被配置为经由第二发送路径以比经由第一发送路径高的功率来发送发送射频信号。

15.根据权利要求8至13中的任何一项所述的电子装置，其中，所述电子装置被配置为：

16.一种电子装置，包括：

17.根据权利要求16所述的电子装置，其中，信号转换电路包括：

18.根据权利要求17所述的电子装置，其中，切换单元被配置为使第一匹配网络去激活。

19.根据权利要求16至18中的任何一项所述的电子装置，其中，前端模块包括：

20.根据权利要求19所述的电子装置，其中，所述电子装置被配置为经由第二分支路径以比经由第一分支路径高的功率来发送发送射频信号。

技术总结
提供CMOS芯片和包括CMOS芯片的电子装置。所述CMOS芯片包括：信号转换电路，被配置为转换基带信号和射频信号；多个端口，射频信号通过所述多个端口被发送或接收，所述多个端口分别包括在第一发送路径、第二发送路径和接收路径中；以及多个匹配网络，连接到信号转换电路，所述多个匹配网络分别连接到所述多个端口，所述多个匹配网络之中的第一匹配网络包括外部匹配网络，并且外部匹配网络被配置为执行化合物半导体装置的阻抗匹配。

技术研发人员：金荣敏,朴弘种,刘相珉,韩相昱
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15