自驱动发光显示板

文档序号:34618582发布日期:2023-06-29 12:09阅读:34来源:国知局
自驱动发光显示板

本申请涉及发光显示的,尤其涉及自驱动发光显示板。


背景技术:

1、发光显示技术依靠光学信号实现信息显示,在智能家居、可穿戴设备、智慧医疗等领域应用广泛。交流电致发光具有冷发光、大面积发光的特点。传统电致发光显示板依靠外部交流电源驱动叠层状电致发光器件发光。外部交流电源产生交变高电压,作用在上下电极上,在极板间产生交变电场,驱动中间的电致发光层发光。但电致发光器件与电源通过电路连接,器件体积较大,不利于器件移动,便携性受限。另一方面,电能的消耗和随之产生的环境问题给生态环境带来压力。

2、现代技术的大力发展推动着发光显示领域朝着自驱动、柔性、透明、高分辨率、可穿戴方向发展。自驱动发光显示领域致力于将机械运动信号转为可见光学信号实现可视化发光显示,在力学传感、防伪鉴别、个性化显示等领域具有广阔的应用前景。

3、中国专利cn112143073a公开了应力发光地毯及其制备方法。该方案基于力致发光的技术也实现了应力发光显示,该方案依赖发光材料的形变产生自发光,无需供电,但需要较大的作用力产生明显形变激发发光。因此,力致发光灵敏度提升受限,且容易造成材料表面磨损,器件长效性受到影响。


技术实现思路

1、有鉴于此,本申请提供自驱动发光显示板,在实现自驱动发光的同时提高了发光的灵敏度。

2、本申请提供一种自驱动发光显示板,包括依次叠设的基底层、发光层、电极层、起电层和接触层:

3、其中,所述接触层、所述起电层的材质被配置成摩擦电极性差异较为明显,以使当所述接触层接受外界驱动力运动时,所述接触层、所述起电层因二者相互摩擦形成变化的电场,所述电极层用以增强该电场的变化速度,所述发光层用以在该电极层所增强的电场激发下发光,进而产生发光图案。

4、可选地,所述起电层的材质为尼龙或聚氨酯。

5、可选地,所述接触层的材质为聚四氟乙烯或全氟乙烯丙烯共聚物。

6、可选地,所述电极层为导电金属、氧化铟锡、银纳米线、离子导电体、高分子导电材料中的至少一种。

7、可选地,所述发光层为由硫化锌掺杂发光粉末与丙烯酸树脂所制备的交流电致发光层,或为通过原子层沉积微纳加工工艺制备的硫化锌掺杂电致发光层。

8、可选地,所述由硫化锌掺杂发光粉末与丙烯酸树脂所制备的交流电致发光层的厚度为20-200μm。

9、可选地,通过原子层沉积微纳加工工艺制备的硫化锌掺杂电致发光层的厚度为20-200nm。

10、可选地,所述基底层为柔性聚合物薄膜、刚性的玻璃、有机玻璃、石英玻璃中的至少一种。

11、以上提供的自驱动发光显示板,通过接触层接收外界驱动力,并在外界驱动力如人体运动、风能、水能等作用下在起电层表面移动,在相互接触运动的过程中,由于接触物与起电层之间的摩擦电极性差异产生电荷转移。在接触物移动的过程中,所带有的摩擦电荷产生变化的电场。电极层的存在可调节电场的分布,在电极边界形成了快速变化的电场,从而驱动电极边界处的发光材料高亮度发光,突出显示电极图案,进而实现了对发光灵敏度的提升。



技术特征:

1.一种自驱动发光显示板,其特征在于,包括依次叠设的基底层、发光层、电极层、起电层和接触层:

2.根据权利要求1所述自驱动发光显示板,其特征在于,所述起电层的材质为尼龙或聚氨酯。

3.根据权利要求1所述自驱动发光显示板,其特征在于,所述接触层的材质为聚四氟乙烯或全氟乙烯丙烯共聚物。

4.根据权利要求1所述自驱动发光显示板,其特征在于,所述电极层为导电金属、氧化铟锡、银纳米线、离子导电体、高分子导电材料中的至少一种。

5.根据权利要求1所述自驱动发光显示板,其特征在于,所述发光层为由硫化锌掺杂发光粉末与丙烯酸树脂所制备的交流电致发光层,或为通过原子层沉积微纳加工工艺制备的硫化锌掺杂电致发光层。

6.根据权利要求5所述自驱动发光显示板,其特征在于,所述由硫化锌掺杂发光粉末与丙烯酸树脂所制备的交流电致发光层的厚度为20-200μm。

7.根据权利要求5所述自驱动发光显示板,其特征在于,通过原子层沉积微纳加工工艺制备的硫化锌掺杂电致发光层的厚度为20-200nm。

8.根据权利要求1所述自驱动发光显示板,其特征在于,所述基底层为柔性聚合物薄膜、刚性的玻璃、有机玻璃、石英玻璃中的至少一种。


技术总结
本申请公开了自驱动发光显示板。通过接触层接收外界驱动力,并在外界驱动力如人体运动、风能、水能等作用下在起电层表面移动,在相互接触运动的过程中,由于接触物与起电层之间的摩擦电极性差异产生电荷转移。在接触物移动的过程中,所带有的摩擦电荷产生变化的电场。电极层的存在可调节电场的分布,在电极边界形成了快速变化的电场,从而驱动电极边界处的发光材料高亮度发光,突出显示电极图案,进而实现了对发光灵敏度的提升。

技术研发人员:位小艳,张晓星
受保护的技术使用者:湖北工业大学
技术研发日:
技术公布日:2024/1/13
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