本申请涉及磁存储器领域，特别是涉及一种磁存储器及其制作方法。
背景技术：
1、在制作磁存储器过程中，在底部电路结构上方制作出底部电极，然后在底部电极上制作存储单元材料层，并在存储单元材料层上制作金属硬掩膜，以金属硬掩膜作为掩膜，刻蚀存储单元材料层以形成存储单元。在刻蚀过程中会发生反溅，反溅导致存储单元中关键膜层被金属短路，进而影响磁存储器的良率。反溅的产生包括两部分，一部分是由金属硬掩膜会引起的反溅，另一部分是由于底部电极的尺寸大于存储单元尺寸，由底部电极引起的反溅。
2、因此，如何解决上述技术问题应是本领域技术人员重点关注的。
技术实现思路
1、本申请的目的是提供一种磁存储器及其制作方法，以最大程度缓解反溅的问题，提升良率。
2、为解决上述技术问题，本申请提供一种磁存储器的制作方法，包括：
3、获得磁存储器的预制结构体；所述预制结构体包括底部电路结构、底部电极、存储单元材料层、掩膜结构体，所述掩膜结构体包括硬掩膜，且所述硬掩膜之间不连通；
4、氧化所述掩膜结构体，在所述掩膜结构体的侧壁形成氧化层，得到处理后掩膜结构体；
5、以所述处理后掩膜结构体作为掩膜，刻蚀所述存储单元材料层，形成存储单元；所述底部电极位于所述存储单元在水平面的投影范围内；
6、在所述存储单元的上表面制作顶部电路结构，得到磁存储器。
7、可选的，当所述硬掩膜为金属硬掩膜时，获得磁存储器的预制结构体包括：
8、在所述底部电路结构的上表面形成底电极结构；所述底电极结构包括电极介质层和所述底部电极；
9、在所述底电极结构的上表面依次沉积层叠的所述存储单元材料层、掩膜介质层；
10、对所述掩膜介质层进行图形化处理，在所述掩膜介质层中形成第一通孔；
11、在所述第一通孔内填充金属材料并进行平坦化处理，形成金属硬掩膜；所述金属硬掩膜为所述掩膜结构体；
12、去除所述掩膜介质层。
13、可选的，当所述硬掩膜为碳硬掩膜时，获得磁存储器的预制结构体包括：
14、在所述底部电路结构的上表面形成底电极结构；所述底电极结构包括电极介质层和所述底部电极；
15、在所述底电极结构的上表面依次沉积层叠的所述存储单元材料层、第一牺牲层、掩膜介质层；
16、对所述掩膜介质层进行图形化处理，在所述掩膜介质层中形成第一通孔；
17、在所述第一通孔内填充碳材料并进行平坦化处理，形成碳硬掩膜；
18、去除所述掩膜介质层，并刻蚀未与所述碳硬掩膜对应的所述第一牺牲层，所述掩膜结构体包括所述碳硬掩膜和刻蚀后第一牺牲层，所述第一牺牲层的刻蚀深度小于所述第一牺牲层的厚度。
19、可选的，还包括：
20、在所述存储单元材料层和所述掩膜介质层之间沉积第二牺牲层；
21、相应的，氧化所述掩膜结构体包括：
22、氧化所述掩膜结构体和暴露的所述第二牺牲层；
23、相应的，以所述处理后掩膜结构体作为掩膜，刻蚀所述存储单元材料层，形成存储单元包括：
24、以所述处理后掩膜结构体作为掩膜，刻蚀所述存储单元材料层和所述第二牺牲层，对应形成存储单元和图形化第二牺牲层。
25、可选的，所述金属硬掩膜的材料为钨。
26、可选的，氧化所述掩膜结构体包括：
27、利用湿法氧化方式氧化所述掩膜结构体。
28、可选的，氧化所述掩膜结构体包括：
29、利用干法氧化方式氧化所述掩膜结构体。
30、可选的，利用干法氧化方式氧化所述掩膜结构体包括：
31、在刻蚀腔体内，利用氧气，或者，氧气和惰性气体的混合气，电离出等离子体，对所述掩膜结构体进行氧化处理。
32、可选的，利用干法氧化方式氧化所述掩膜结构体包括：
33、在去胶机台内，在高温的环境下，利用氧气，或者，氧气和惰性气体的混合气，电离出等离子体，对所述掩膜结构体进行氧化处理。
34、可选的，去除所述掩膜介质层包括：
35、利用氧气或者氟基气体刻蚀所述掩膜介质层。
36、可选的，去除所述掩膜介质层包括：
37、利用氟基气体刻蚀所述掩膜介质层。
38、可选的，以所述处理后掩膜结构体作为掩膜，刻蚀所述存储单元材料层，形成存储单元之后，还包括：
39、沉积存储单元保护层。
40、可选的，所述底部电极与所述存储单元一一对应。
41、本申请还提供一种磁存储器，所述磁存储器采用上述任一种所述的磁存储器的制作方法制得。
42、本申请所提供的一种磁存储器的制作方法，包括：获得磁存储器的预制结构体；所述预制结构体包括底部电路结构、底部电极、存储单元材料层、掩膜结构体，所述掩膜结构体包括硬掩膜，且所述硬掩膜之间不连通；氧化所述掩膜结构体，在所述掩膜结构体的侧壁形成氧化层，得到处理后掩膜结构体；以所述处理后掩膜结构体作为掩膜，刻蚀所述存储单元材料层，形成存储单元；所述底部电极位于所述存储单元在水平面的投影范围内；在所述存储单元的上表面制作顶部电路结构，得到磁存储器。
43、可见，本申请的制作方法在得到磁存储器的预制结构体后，对预制结构体中的掩膜结构体进行氧化，在掩膜结构体的侧壁形成氧化层，其中，掩膜结构体中包括硬掩膜。在刻蚀存储单元材料层时，由于氧化层的存在，可以抑制掩膜结构体反溅，将因掩膜结构体反溅导致存储单元短路的可能性降到最低；并且，底部电极在存储单元的水平投影范围内，即底部电极的尺寸小于或等于存储单元的尺寸，在刻蚀过程中，底部电极不会发生反溅，因此，本申请中的制作方法可以极大地降低发生反溅的情况，提升磁存储器的良率。
44、此外，本申请还提供一种具有上述优点的磁存储器。
1.一种磁存储器的制作方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的磁存储器的制作方法，其特征在于，当所述硬掩膜为金属硬掩膜时，获得磁存储器的预制结构体包括：
3.如权利要求1所述的磁存储器的制作方法，其特征在于，当所述硬掩膜为碳硬掩膜时，获得磁存储器的预制结构体包括：
4.如权利要求2所述的磁存储器的制作方法，其特征在于，还包括：
5.如权利要求2所述的磁存储器的制作方法，其特征在于，所述金属硬掩膜的材料为钨。
6.如权利要求1所述的磁存储器的制作方法，其特征在于，氧化所述掩膜结构体包括：
7.如权利要求1所述的磁存储器的制作方法，其特征在于，氧化所述掩膜结构体包括：
8.如权利要求7所述的磁存储器的制作方法，其特征在于，利用干法氧化方式氧化所述掩膜结构体包括：
9.如权利要求7所述的磁存储器的制作方法，其特征在于，利用干法氧化方式氧化所述掩膜结构体包括：
10.如权利要求2所述的磁存储器的制作方法，其特征在于，去除所述掩膜介质层包括：
11.如权利要求3所述的磁存储器的制作方法，其特征在于，去除所述掩膜介质层包括：
12.如权利要求1所述的磁存储器的制作方法，其特征在于，以所述处理后掩膜结构体作为掩膜，刻蚀所述存储单元材料层，形成存储单元之后，还包括：
13.如权利要求1至12任一项所述的磁存储器的制作方法，其特征在于，所述底部电极与所述存储单元一一对应。
14.一种磁存储器，其特征在于，所述磁存储器采用如权利要求1至13任一项所述的磁存储器的制作方法制得。