一种硅基OLED显示器件防串扰的阳极制作方法与流程

本发明属于oled显示器制造，尤其涉及一种硅基oled显示器件防串扰的阳极制作方法。

背景技术：

1、在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

2、现有阳极防串扰制作过程是通过做pdl(pixel definition layer)再通过干法刻蚀做成undercut，将像素与像素之间断开，让蒸镀材料cgl断开，从而防止窜扰的发生。现有阳极防窜扰制作方法比较繁琐，主要存在以下几个方面的不足：1)pdl制作过程需要增加cvd、黄光、刻蚀等工序共同参与，制作过程相对繁琐；2)产品工序增多，产品良率降低的风险就会增加。3)制作过程复杂，相应的成本也会增加。

3、cn111668276a-有机发光显示面板及其制备方法、显示装置，公开了一种有机发光显示面板及其制备方法、显示装置。该有机发光显示面板包括：基板；多个有机发光二极管，多个所述有机发光二极管位于所述基板上，且所述有机发光二极管具有阳极、阴极，以及位于所述阳极和阴极之间的发光层和空穴注入层；防串扰隔离电极，所述防串扰隔离电极位于相邻的两个所述有机发光二极管之间的间隔处，也无法解决上述技术问题。

技术实现思路

1、本发明所要解决的技术问题是提供一种硅基oled显示器件防串扰的阳极制作方法，新型硅基oled显示器防窜扰的阳极制作过程更简单，有效提高了硅基oled阳极制作效率。

2、为了解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案是：一种硅基oled显示器件防串扰的阳极制作方法，包括如下步骤：

3、1)将带有cmos电路驱动的硅基板传入pvd设备中分别制作tin-al-ito复合膜；

4、2)将复合膜的基板进行光刻制程；

5、3)将步骤2)的基板送至干法刻蚀设备，制作具有al膜层内嵌的rgb三像素；

6、4)将步骤3)基板送至蒸镀设备，实现cgl断裂。

7、上述第1)步中，tin采用磁控溅射法制备，靶材为金属ti靶，工艺气体为ar和n2，直流电源8kw，ar/n2流量分别为45/80sccm。

8、上述第1)步中，al采用磁控溅射法制备，靶材为金属al靶，工艺气体为ar，直流电源10kw，ar气流量50sccm。

9、上述第1)步中，ito采用磁控溅射法制备，靶材为粉末冶金ito靶材，工艺气体为ar和o2，直流电源1kw，ar/o2流量分别为80/4sccm。

10、上述第2)步包括如下步骤：①涂胶；②曝光；③显影。

11、所述第2)步的第①步中，选用北科华c7600光刻胶，匀胶设备spin涂覆，光刻胶厚度8000a。

12、所述第2)步的第②步中，选用i-line光刻机，曝光能量选用2000j/㎡，spacecd：b-b 450nm±50nm；g-b或b-g 200nm±50nm；r-g或g-r 500nm±50nm，r-b或b-r 200nm±50nm。

13、所述第2)步的第③步中，显影液选用2.38％tmah液，显影时间115.5s。

14、所述第3)步包括如下步骤：①先进行ito/al/tin刻蚀，气体bcl310-200sccm或cl210-100sccm或n2 10-100sccm或ar 10-200sccm，上射频功率500-2500w，下射频功率10-500w，压力5-50mt，形成60°的rgb三像素；②利用ito相对于al选择比低的刻蚀recipe实现对al的横向刻蚀：气体bcl310-200sccm或cl2 10-100sccm或ar 10-200sccm，上射频功率500-2500w，下射频功率10-500w，压力5-50mt；③光刻胶去除：用氧气和氮气，功率500-3000mt，氧气50-5000mt，氮气50-500，压力500-9000mt。

15、上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点或有益效果，新型硅基oled显示器防窜扰的阳极制作过程更简单，有效提高了硅基oled阳极制作效率。

技术特征：

1.一种硅基oled显示器件防串扰的阳极制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求硅基oled显示器件防串扰的阳极制作方法，其特征在于，上述第1)步中，tin采用磁控溅射法制备，靶材为金属ti靶，工艺气体为ar和n2，直流电源8kw，ar/n2流量分别为45/80sccm。

3.如权利要求硅基oled显示器件防串扰的阳极制作方法，其特征在于，上述第1)步中，al采用磁控溅射法制备，靶材为金属al靶，工艺气体为ar，直流电源10kw，ar气流量50sccm。

4.如权利要求硅基oled显示器件防串扰的阳极制作方法，其特征在于，上述第1)步中，ito采用磁控溅射法制备，靶材为粉末冶金ito靶材，工艺气体为ar和o2，直流电源1kw，ar/o2流量分别为80/4sccm。

5.如权利要求硅基oled显示器件防串扰的阳极制作方法，其特征在于，上述第2)步包括如下步骤：①涂胶；②曝光；③显影。

6.如权利要求硅基oled显示器件防串扰的阳极制作方法，其特征在于，所述第2)步的第①步中，选用北科华c7600光刻胶，匀胶设备spin涂覆，光刻胶厚度8000a。

7.如权利要求硅基oled显示器件防串扰的阳极制作方法，其特征在于，所述第2)步的第②步中，选用i-line光刻机，曝光能量选用2000j/㎡，space cd：b-b 450nm±50nm；g-b或b-g 200nm±50nm；r-g或g-r 500nm±50nm，r-b或b-r 200nm±50nm。

8.如权利要求硅基oled显示器件防串扰的阳极制作方法，其特征在于，所述第2)步的第③步中，显影液选用2.38％tmah液，显影时间115.5s。

9.如权利要求硅基oled显示器件防串扰的阳极制作方法，其特征在于，所述第3)步包括如下步骤：①先进行ito/al/tin刻蚀，气体bcl3 10-200sccm或cl2 10-100sccm或n2 10-100sccm或ar 10-200sccm，上射频功率500-2500w，下射频功率10-500w，压力5-50mt，形成60°的rgb三像素；②利用ito相对于al选择比低的刻蚀recipe实现对al的横向刻蚀：气体bcl3 10-200sccm或cl2 10-100sccm或ar 10-200sccm，上射频功率500-2500w，下射频功率10-500w，压力5-50mt；③光刻胶去除：用氧气和氮气，功率500-3000mt，氧气50-5000mt，氮气50-500，压力500-9000mt。

技术总结
本发明公开了一种硅基OLED显示器件防串扰的阳极制作方法，包括如下步骤：1)将带有CMOS电路驱动的硅基板传入PVD设备中分别制作TIN‑AL‑ITO复合膜；2)将复合膜的基板进行光刻制程；3)将步骤2)的基板送至干法刻蚀设备，制作具有AL膜层内嵌的RGB三像素；4)将步骤3)基板送至蒸镀设备，实现CGL断裂，新型硅基OLED显示器防窜扰的阳极制作过程更简单，有效提高了硅基OLED阳极制作效率。

技术研发人员：陆炎,曹绪文,晋芳铭,孙圣,张良睿,李亮亮,荣长停,陈蒙,李启明,李阳阳,林进志
受保护的技术使用者：安徽芯视佳半导体显示科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14