闪存器件及其制备方法与流程

本发明属于集成电路制造，具体涉及一种闪存器件及其制备方法。

背景技术：

1、闪存元件由于具有可多次进行数据的存入、读取、擦除等动作，且存入的数据在断电后也不会消失的优点，所以已成为个人计算机和电子设备所广泛采用的一种挥发性存储器元件。闪存部分产品要求漏电流低于1μa，这导致闪存晶圆约2％的失效率。漏电的位置位于静电放电(esd)电路的n阱或p阱位置。失效热点位于静电放电(esd)电路的n阱或p阱区域，发现有小的损伤斑点。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种闪存器件及其制备方法，本发明在源漏离子注入前增加o2处理生成第二氧化层的步骤，提高有源区第二氧化层厚度，有效减少了由于源漏离子注入导致的有源区表面损伤斑点，且闪存器件的电性能不受影响。

2、本发明提供一种闪存器件的制备方法，包括：

3、提供衬底，所述衬底包括外围区，所述外围区包括浅沟槽隔离和位于所述浅沟槽隔离两侧的nmos区域和pmos区域；所述衬底上形成有第一氧化层，在所述nmos区域和所述pmos区域均形成位于所述第一氧化层上的栅极；

4、形成侧墙，所述侧墙位于所述nmos区域和所述pmos区域各自所述栅极的侧壁；

5、湿法刻蚀去除所述衬底表面裸露的所述第一氧化层；

6、o2处理形成第二氧化层，所述第二氧化层位于所述侧墙两侧的所述衬底上；

7、形成源区和漏区，在所述nmos区域和所述pmos区域分别进行各自区域的源漏离子注入以在所述栅极两侧的所述衬底表面形成源区和漏区。

8、进一步的，所述o2处理形成所述第二氧化层具体包括：通入o2，在温度200℃～300℃范围内在所述衬底上形成所述第二氧化层，o2通入量为800sccm～1200sccm。

9、进一步的，所述第二氧化层的厚度为18埃～23埃，所述o2通入时间为20s～60s。

10、进一步的，所述侧墙包括依次覆盖所述栅极侧壁的第一隔离层、氮化层和第二隔离层，所述第一隔离层还覆盖所述栅极的顶部，所述氮化层呈l形。

11、进一步的，形成所述侧墙之后，还包括：湿法清洗形成所述侧墙后的所述衬底。

12、进一步的，采用hf溶液湿法刻蚀去除所述衬底表面裸露的所述第一氧化层。

13、进一步的，形成源区和漏区，包括：对所述nmos区域的所述栅极两侧的衬底中进行n型杂质离子注入；以及对所述pmos区域的所述栅极两侧的所述衬底中进行p型杂质离子注入。

14、本发明还提供一种闪存器件，包括：

15、衬底，所述衬底包括外围区，所述外围区包括浅沟槽隔离和位于所述浅沟槽隔离两侧的nmos区域和pmos区域；所述衬底上形成有第一氧化层，在所述nmos区域和所述pmos区域均形成位于所述第一氧化层上的栅极；

16、侧墙，所述侧墙位于所述nmos区域和所述pmos区域各自所述栅极的侧壁；

17、第二氧化层，所述第二氧化层位于所述侧墙两侧的所述衬底上；

18、源区和漏区，在所述nmos区域和所述pmos区域各自区域的所述栅极两侧的所述衬底表面形成有所述源区和所述漏区。

19、进一步的，所述第二氧化层的厚度为18埃～23埃。

20、进一步的，所述侧墙包括依次覆盖所述栅极侧壁的第一隔离层、氮化层和第二隔离层，所述第一隔离层还覆盖所述栅极的顶部，所述氮化层呈l形。

21、与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：

22、本发明提供一种闪存器件及其制备方法，包括：提供衬底，衬底包括外围区，外围区包括浅沟槽隔离和位于浅沟槽隔离两侧的nmos区域和pmos区域；衬底上形成有第一氧化层和栅极；形成侧墙，侧墙位于nmos区域和pmos区域各自栅极的侧壁；湿法刻蚀去除衬底表面裸露的第一氧化层；o2处理形成第二氧化层，第二氧化层位于侧墙两侧的衬底上；形成源区和漏区，在nmos区域和pmos区域分别进行各自区域的源漏离子注入以在栅极两侧的衬底表面形成源区和漏区。本发明在源漏离子注入前增加o2处理生成第二氧化层的步骤，提高有源区第二氧化层厚度，有效减少了由于源漏离子注入导致的有源区表面损伤斑点，且闪存器件的电性能不受影响。

技术特征：

1.一种闪存器件的制备方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的闪存器件的制备方法，其特征在于，所述o2处理形成所述第二氧化层具体包括：通入o2，在温度200℃～300℃范围内在所述衬底上形成所述第二氧化层，o2通入量为800sccm～1200sccm。

3.如权利要求1所述的闪存器件的制备方法，其特征在于，所述第二氧化层的厚度为18埃～23埃，所述o2通入时间为20s～60s。

4.如权利要求1所述的闪存器件的制备方法，其特征在于，所述侧墙包括依次覆盖所述栅极侧壁的第一隔离层、氮化层和第二隔离层，所述第一隔离层还覆盖所述栅极的顶部，所述氮化层呈l形。

5.如权利要求1所述的闪存器件的制备方法，其特征在于，形成所述侧墙之后，还包括：湿法清洗形成所述侧墙后的所述衬底。

6.如权利要求1所述的闪存器件的制备方法，其特征在于，采用hf溶液湿法刻蚀去除所述衬底表面裸露的所述第一氧化层。

7.如权利要求1所述的闪存器件的制备方法，其特征在于，形成源区和漏区，包括：对所述nmos区域的所述栅极两侧的衬底中进行n型杂质离子注入；以及对所述pmos区域的所述栅极两侧的所述衬底中进行p型杂质离子注入。

8.一种闪存器件，其特征在于，包括：

9.如权利要求8所述的闪存器件，其特征在于，所述第二氧化层的厚度为18埃～23埃。

10.如权利要求8所述的闪存器件，其特征在于，所述侧墙包括依次覆盖所述栅极侧壁的第一隔离层、氮化层和第二隔离层，所述第一隔离层还覆盖所述栅极的顶部，所述氮化层呈l形。

技术总结
本发明提供一种闪存器件及其制备方法，包括：提供衬底，衬底包括外围区，外围区包括浅沟槽隔离和位于浅沟槽隔离两侧的NMOS区域和PMOS区域；衬底上形成有第一氧化层和栅极；形成侧墙，侧墙位于NMOS区域和PMOS区域各自栅极的侧壁；湿法刻蚀去除衬底表面裸露的第一氧化层；O<subgt;2</subgt;处理形成第二氧化层，第二氧化层位于侧墙两侧的衬底上；形成源区和漏区，在NMOS区域和PMOS区域分别进行各自区域的源漏离子注入以在栅极两侧的衬底表面形成源区和漏区。本发明在源漏离子注入前增加O<subgt;2</subgt;处理生成第二氧化层的步骤，提高有源区第二氧化层厚度，有效减少了由于源漏离子注入导致的有源区表面损伤斑点，且闪存器件的电性能不受影响。

技术研发人员：高毅,周婧涵,左睿昊,马开阳
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13