一种显示面板的制作方法

本申请涉及显示，尤其涉及一种显示面板。

背景技术：

1、随着显示技术的发展，lcd和oled等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。

2、随着面板行业的不断发展，对显示面板有窄边框、高开口率、高亮度、高分辨率等参数提出了越来越高的要求，面板的制造也面临新的挑战。特别是在新兴显示技术领域，例如vr/ar显示、面板系统集成等领域，需要阵列基板具有超高ppi和亚微米级别的器件尺寸。为了达到这些要求，需求阵列器件的尺寸和占用面积尽可能减小。

3、其中，如何减小阵列器件中沟道层的长度是一个重要的问题研究方向。

4、申请内容

5、本申请的目的在于提供一种显示面板，旨在使有源层中沟道层的长度减小到1微米以内。

6、一方面，本申请提供一种显示面板，所述显示面板至少包括：

7、有源层，沿第一方向设置且包括沟道层；

8、栅极，对应所述沟道层的上方，且所述栅极沿所述第一方向的宽度等于所述沟道层沿所述第一方向的长度；

9、栅极辅助结构，所述栅极辅助结构与所述栅极相邻设置；

10、其中，所述栅极沿第一方向的宽度小于1微米。

11、在一些实施例中，所述有源层还包括：

12、第一欧姆接触层和第二欧姆接触层，所述第一欧姆接触层和第二欧姆接触层分别位于所述有源层的两端，所述沟道层位于所述第一欧姆接触层和第二欧姆接触层之间；

13、第一过渡层，所述第一过渡层位于所述第一欧姆接触层和所述沟道层之间。

14、在一些实施例中，所述栅极辅助结构位于所述栅极沿所述第一方向的侧壁，且所述第一过渡层在所述栅极辅助结构上的正投影位于所述栅极辅助结构内。

15、在一些实施例中，所述栅极辅助结构位于所述栅极沿所述第一方向的侧壁，所述第一欧姆接触层在所述栅极辅助结构上的正投影位于所述栅极辅助结构内。

16、在一些实施例中，所述显示面板还包括源极和漏极，所述源极和漏极分别与第一欧姆接触层和第二欧姆接触层连接，所示源极贯穿所述栅极辅助结构。

17、在一些实施例中，所述有源层还包括第二过渡层，所述第二过渡层位于所述第二欧姆接触层和所述沟道层之间。

18、在一些实施例中，所述栅极辅助结构位于所述栅极上，所述栅极辅助结构沿所述第一方向的宽度等于所述栅极沿所述第一方向的宽度。

19、在一些实施例中，所述栅极辅助结构还位于第二欧姆接触层的上方，以及栅极走线沿第一方向的两侧壁。

20、在一些实施例中，所述第一欧姆接触层和第二欧姆接触层掺杂有n型半导体材料，所述第一过渡层掺杂有p型半导体材料；所述第一欧姆接触层和第二欧姆接触层的掺杂浓度，大于所述第一过渡层的掺杂浓度。

21、在一些实施例中，所述第二欧姆接触层包括靠近所述沟道层的第一浓度区和远离所述沟道层的第二浓度区，所述第一浓度区的掺杂浓度小于所述第二浓度区的掺杂浓度。

22、本申请的有益效果是：提供一种显示面板，该显示面板至少包括有源层、栅极和栅极辅助结构，有源层沿第一方向设置且包括沟道层，栅极对应沟道层的上方，且栅极沿第一方向的宽度等于沟道层沿第一方向的长度，栅极辅助结构与所述栅极相邻设置。其中，栅极沿第一方向的宽度小于1微米，因此沟道层沿第一方向的长度也小于1微米。本申请可以实现极小宽度的栅极，进而实现极小长度的沟道层，不仅能提高迁移率，减小器件的面积，提高面板的开口率，还有利于开发高分辨率、高刷新率的产品。

技术实现思路

技术特征：

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板至少包括：

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述有源层还包括：

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述栅极辅助结构位于所述栅极沿所述第一方向的侧壁，且所述第一过渡层在所述栅极辅助结构上的正投影位于所述栅极辅助结构内。

4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述栅极辅助结构位于所述栅极沿所述第一方向的侧壁，所述第一欧姆接触层在所述栅极辅助结构上的正投影位于所述栅极辅助结构内。

5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括源极和漏极，所述源极和漏极分别与第一欧姆接触层和第二欧姆接触层连接，所示源极贯穿所述栅极辅助结构。

6.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述有源层还包括第二过渡层，所述第二过渡层位于所述第二欧姆接触层和所述沟道层之间。

7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述栅极辅助结构位于所述栅极上，所述栅极辅助结构沿所述第一方向的宽度等于所述栅极沿所述第一方向的宽度。

8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述栅极辅助结构还位于第二欧姆接触层的上方，以及栅极走线沿第一方向的两侧壁。

9.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一欧姆接触层和第二欧姆接触层掺杂有n型半导体材料，所述第一过渡层掺杂有p型半导体材料；所述第一欧姆接触层和第二欧姆接触层的掺杂浓度，大于所述第一过渡层的掺杂浓度。

10.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第二欧姆接触层包括靠近所述沟道层的第一浓度区和远离所述沟道层的第二浓度区，所述第一浓度区的掺杂浓度小于所述第二浓度区的掺杂浓度。

技术总结
本申请提供一种显示面板，该显示面板至少包括有源层、栅极和栅极辅助结构，有源层沿第一方向设置且包括沟道层，栅极对应沟道层的上方，且栅极沿第一方向的宽度等于沟道层沿第一方向的长度，栅极辅助结构与栅极相邻设置。其中，栅极沿第一方向的宽度小于1微米，因此沟道层沿第一方向的长度也小于1微米。本申请可以实现极小宽度的栅极，进而实现极小长度的沟道层。不仅能提高迁移率，减小器件的面积，提高面板的开口率，还有利于开发高分辨率、高刷新率的产品。

技术研发人员：艾飞,宋德伟,罗成志
受保护的技术使用者：武汉华星光电技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/8