显示装置和制造显示装置的方法与流程

一个或多个实施方式涉及显示装置和制造显示装置的方法。

背景技术：

1、显示装置可视地显示数据。显示装置用作诸如移动电话和类似物的小型产品或诸如电视和类似物的大型产品的显示器。

2、显示装置包括接收电信号并且发射光以向外部显示图像的多个像素。每个像素包括显示元件。例如，有机发光显示装置包括有机发光二极管(oled)作为显示元件。在通常的有机发光显示装置中，薄膜晶体管和有机发光二极管形成在衬底上。当有机发光二极管自身发射光时，有机发光显示装置进行操作。

3、近来，随着显示装置的用途多样化，已进行各种尝试以改善显示装置的品质。

技术实现思路

1、一个或多个实施方式包括可执行像素电路的阵列测试以使得改善了制造工艺的产量的显示装置和制造显示装置的方法。

2、然而，这种目的为实例，并且本公开的范围不由此限制。

3、附加的方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地将通过描述而显而易见，或者可通过实践本公开的实施方式而习得。

4、根据一个或多个实施方式，显示装置包括衬底、布置在衬底上并且包括第一晶体管和第二晶体管的像素电路、连接到像素电路的有机发光二极管、包括连接到第一晶体管的第一连接线和连接到第二晶体管的第二连接线的连接线以及将第一连接线和第二连接线彼此断开的断开部分。

5、在实施方式中，第一连接线和第二连接线可形成在相同的层中并且包括相同的材料。

6、在实施方式中，第一晶体管可包括布置在衬底上的第一半导体层和与第一半导体层绝缘的第一栅电极，并且第二晶体管可包括布置在衬底上的第二半导体层和与第二半导体层绝缘的第二栅电极。

7、在实施方式中，像素电路还可包括第一电容器和第二电容器，第一电容器包括布置在衬底上的第一下电极和与第一下电极绝缘的第一上电极，第二电容器包括与第一下电极间隔开的第二下电极并且包括与第二下电极绝缘的第二上电极。

8、在实施方式中，第一栅电极和第一下电极可形成在相同的层中并且包括相同的材料。

9、在实施方式中，连接线可布置在与第一栅电极相同的层中。

10、在实施方式中，连接线可布置在与第一上电极相同的层中。

11、在实施方式中，第一连接线可连接到第一半导体层，并且第二连接线可连接到第二半导体层。

12、在实施方式中，显示装置还可包括将第一连接线和第一半导体层连接的第一线以及将第二连接线和第二半导体层连接的第二线。

13、在实施方式中，显示装置还可包括覆盖第一线的第一有机绝缘层，

14、其中，在第一有机绝缘层中限定有与断开部分对应的第一孔。

15、在实施方式中，显示装置还可包括布置在第一有机绝缘层上的第三线和覆盖第三线的第二有机绝缘层，其中，在第二有机绝缘层中限定有与断开部分对应的第二孔。

16、在实施方式中，第一孔的宽度可大于第二孔的宽度。

17、在实施方式中，有机发光二极管可包括像素电极、发光层和相对电极，并且像素电极可不与断开部分重叠。

18、在实施方式中，显示装置还可包括暴露像素电极的至少一部分的像素限定层，其中像素限定层的至少一部分可布置在断开部分中。

19、在实施方式中，像素限定层可与连接线直接接触。

20、根据一个或多个实施方式，公开了制造显示装置的方法，该方法包括：在衬底上形成包括第一晶体管和第二晶体管的像素电路以及将第一晶体管与第二晶体管连接的连接线；对像素电路执行阵列测试；以及将连接线断开。

21、在实施方式中，在衬底上形成包括第一晶体管和第二晶体管的像素电路以及将第一晶体管与第二晶体管连接的连接线可包括：在衬底上形成第一半导体层和第二半导体层；在第一半导体层和第二半导体层上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成连接线；在连接线上形成第二绝缘层，其中在第二绝缘层中限定有用于暴露连接线的至少一部分的第一孔；在第二绝缘层上形成第一线和第二线；在第一线和第二线上形成第一有机绝缘层，其中在第一有机绝缘层中限定有用于暴露连接线的至少一部分的第二孔；以及在第一有机绝缘层上形成第三线。

22、在实施方式中，第一晶体管还可包括与第一半导体层绝缘的第一栅电极，并且第一栅电极和连接线可形成在相同的层中并且包括相同的材料。

23、在实施方式中，第一半导体层和连接线可通过第一线彼此连接。

24、在实施方式中，第二半导体层和连接线可通过第二线彼此连接。

25、在实施方式中，该方法还可包括：在形成第三线之后，在第三线上形成第二有机绝缘层，其中在第二有机绝缘层中限定有用于暴露连接线的至少一部分的第三孔；以及在连接线和第二有机绝缘层上形成图案材料。

26、在实施方式中，第一孔的宽度可大于第二孔的宽度。

27、在实施方式中，第二孔的宽度可大于第三孔的宽度。

28、在实施方式中，在将连接线断开时，可蚀刻图案材料以形成像素电极，并且可蚀刻连接线以形成断开部分。

29、在实施方式中，像素电极可不与断开部分重叠。

30、在实施方式中，该方法还可包括：在将连接线断开之后，形成用于暴露像素电极的至少一部分的像素限定层。

31、在实施方式中，像素限定层的至少一部分可形成在断开部分中。

32、在实施方式中，像素限定层可与连接线直接接触。

33、在实施方式中，像素电路可包括第一电容器和第二电容器。

34、在实施方式中，第一电容器可包括第一下电极和与第一下电极绝缘的第一上电极，并且第二电容器可包括与第一下电极间隔开的第二下电极和与第二下电极绝缘的第二上电极。

35、通过本公开的下面的附图、权利要求书和详细描述，除了以上描述的那些以外的方面、特征和优点将变得显而易见。

技术特征：

1.一种显示装置，包括：

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一连接线和所述第二连接线形成在相同的层中并且包括相同的材料。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一晶体管包括布置在所述衬底上的第一半导体层和与所述第一半导体层绝缘的第一栅电极，并且

4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述像素电路还包括：

5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一栅电极和所述第一下电极形成在相同的层中并且包括相同的材料。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述连接线布置在与所述第一栅电极相同的层中。

7.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述连接线布置在与所述第一上电极相同的层中。

8.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第一连接线连接到所述第一半导体层，并且所述第二连接线连接到所述第二半导体层。

9.根据权利要求8所述的显示装置，还包括：

10.根据权利要求9所述的显示装置，还包括：

11.根据权利要求10所述的显示装置，还包括：

12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第一孔的宽度大于所述第二孔的宽度。

13.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述有机发光二极管包括像素电极、发光层和相对电极，并且

14.根据权利要求13所述的显示装置，还包括暴露所述像素电极的至少一部分的像素限定层，

15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述像素限定层与所述连接线直接接触。

16.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：

17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述在衬底上形成包括第一晶体管和第二晶体管的像素电路以及将所述第一晶体管和所述第二晶体管连接的连接线包括：

18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述第一晶体管还包括与所述第一半导体层绝缘的第一栅电极，并且

19.根据权利要求17所述的方法，其中，所述第一半导体层和所述连接线通过所述第一线彼此连接。

20.根据权利要求17所述的方法，其中，所述第二半导体层和所述连接线通过所述第二线彼此连接。

21.根据权利要求17所述的方法，还包括：在形成所述第三线之后，

22.根据权利要求21所述的方法，其中，所述第一孔的宽度大于所述第二孔的宽度。

23.根据权利要求21所述的方法，其中，所述第二孔的宽度大于所述第三孔的宽度。

24.根据权利要求21所述的方法，其中，在将所述连接线断开时，蚀刻所述图案材料以形成像素电极，并且蚀刻所述连接线以形成断开部分。

25.根据权利要求24所述的方法，其中，所述像素电极不与所述断开部分重叠。

26.根据权利要求24所述的方法，还包括：在将所述连接线断开之后，形成用于暴露所述像素电极的至少一部分的像素限定层。

27.根据权利要求26所述的方法，其中，所述像素限定层的至少一部分形成在所述断开部分中。

28.根据权利要求27所述的方法，其中，所述像素限定层与所述连接线直接接触。

29.根据权利要求16所述的方法，其中，所述像素电路还包括第一电容器和第二电容器。

30.根据权利要求29所述的方法，其中，所述第一电容器包括第一下电极和与所述第一下电极绝缘的第一上电极，并且

技术总结
公开了显示装置和制造显示装置的方法。显示装置包括衬底、包括第一晶体管和第二晶体管的像素电路、连接到像素电路的有机发光二极管、包括连接到第一晶体管的第一连接线和连接到第二晶体管的第二连接线的连接线以及将第一连接线和第二连接线彼此断开的断开部分。

技术研发人员：黄度渊,金光民,金起旭,郭源奎
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16