集成电路装置的制作方法

本发明构思涉及一种集成电路装置，并且更具体地，涉及一种包括电容器结构的集成电路装置。

背景技术：

1、由于集成电路装置(例如，动态随机存取存储器(dram)装置)的缩小，包括在集成电路装置中的电容器结构的尺寸也减小。随着电容器结构的尺寸的减小，正在开发各种电容器结构以增大电容并改善泄漏特性。

技术实现思路

1、本发明构思提供包括电容器结构的集成电路装置，通过电容器结构，电容可被增大并且泄漏特性可被改善。

2、根据本发明构思的实施例，一种集成电路装置包括：电容器结构，其中，电容器结构包括：下电极，布置在基底上，其中，下电极包括沿与基底的上表面基本垂直的方向延伸的电极层，其中，电极层包括氮化铌；支撑件，布置在下电极的侧壁上；介电层，布置在下电极和支撑件上；第一界面层，布置在下电极的侧壁与介电层之间以及在下电极的顶表面与介电层之间，其中，第一界面层包括导电金属氮化物；以及上电极，布置在介电层上，其中，上电极覆盖下电极并且包括氮化铌。

3、根据本发明构思的实施例，一种集成电路装置包括：电容器结构，其中，电容器结构包括：下电极，布置在基底上，其中，下电极包括沿与基底的顶表面基本垂直的方向延伸的电极层，并且电极层包括氮化铌；支撑件，布置在下电极的侧壁上；介电层，布置在下电极和支撑件上；第一界面层，布置在电极层的侧壁与介电层之间以及在电极层的顶表面与介电层之间，其中，第一界面层包括导电金属氮化物；以及上电极，布置在介电层上，其中，上电极覆盖下电极并且包括氮化铌，并且其中，下电极还包括第一晶种层，第一晶种层至少部分地被支撑件围绕并且接触电极层的至少一部分。

4、根据本发明构思的实施例，一种集成电路装置包括：电容器结构，其中，电容器结构包括：下电极，布置在基底上，其中，下电极包括沿与基底的第一表面基本垂直的方向延伸的电极层，并且电极层包括氮化铌；支撑件，布置在下电极的侧壁上；介电层，布置在下电极和支撑件上；第一界面层，布置在电极层的侧壁与介电层之间以及在电极层的第一表面与介电层之间，其中，第一界面层包括导电金属氮化物；上电极，布置在介电层上，其中，上电极覆盖下电极并且包括氮化铌；以及第二界面层，布置在介电层与上电极之间，其中，第二界面层包括导电金属氧化物，其中，支撑件包括第一支撑件和第二支撑件，第一支撑件和第二支撑件分别被设置在下电极的侧壁的中间部分和下电极的侧壁的上部部分上，并且其中，下电极还包括布置在电极层上的覆盖层，其中，覆盖层的表面被布置为低于第二支撑件的表面。

技术特征：

1.一种集成电路装置，包括：

2.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，电极层包括单层和双层中的任一者，其中，所述单层包括氮化铌，其中，所述双层包括布置在基底上的第一子电极层和布置在第一子电极层上的第二子电极层，

3.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，电极层包括三层，所述三层包括布置在基底上的第一子电极层、布置在第一子电极层上的第二子电极层和布置在第二子电极层上的第三子电极层，

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的集成电路装置，还包括：第二界面层，布置在介电层与上电极之间，并且第二界面层包括导电金属氧化物。

5.根据权利要求1至3中的任一项所述的集成电路装置，其中，支撑件包括分别在下电极的侧壁的第一部分和下电极的侧壁的第二部分上的第一支撑件和第二支撑件，并且

6.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，上电极包括单层和双层中的任一者，其中，所述单层包括氮化铌，其中，所述双层包括布置在介电层上的第四子电极层和布置在第四子电极层上的第五子电极层，

7.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，上电极包括三层，所述三层包括布置在介电层上的第四子电极层、布置在第四子电极层上的第五子电极层和布置在第五子电极层上的第六子电极层，

8.一种集成电路装置，包括：

9.根据权利要求8所述的集成电路装置，其中，下电极还包括布置在电极层的底部上的第二晶种层，并且第一晶种层和第二晶种层中的每个包括氮化钛。

10.根据权利要求8所述的集成电路装置，其中，电极层包括第一侧壁部分和第二侧壁部分，

11.根据权利要求10所述的集成电路装置，其中，第一侧壁部分和第二侧壁部分彼此共面。

12.根据权利要求10所述的集成电路装置，其中，第二侧壁部分不接触支撑件，并且

13.根据权利要求8至12中的任一项所述的集成电路装置，还包括：第二界面层，在介电层与上电极之间，并且第二界面层包括导电金属氧化物。

14.根据权利要求8所述的集成电路装置，其中，电极层包括双层，所述双层包括布置在基底上的u形的第一子电极层和布置在u形的第一子电极层上的第二子电极层，

15.根据权利要求8所述的集成电路装置，其中，电极层包括三层，所述三层包括布置在基底上的u形的第一子电极层、布置在u形的第一子电极层上的u形的第二子电极层和布置在u形的第二子电极层上的第三子电极层，

16.根据权利要求8所述的集成电路装置，其中，支撑件包括分别在下电极的侧壁的第一部分和下电极的侧壁的第二部分上的第一支撑件和第二支撑件，并且

17.根据权利要求8所述的集成电路装置，其中，上电极包括单层和双层中的任一者，其中，所述单层被布置在介电层上，其中，所述双层包括布置在介电层上的第四子电极层和布置在第四子电极层上的第五子电极层，

18.根据权利要求8所述的集成电路装置，其中，上电极包括布置在介电层上的第四子电极层、布置在第四子电极层上的第五子电极层和布置在第五子电极层上的第六子电极层，

19.一种集成电路装置，包括：

20.根据权利要求19所述的集成电路装置，其中，电极层和上电极中的每个包括单层、双层和三层中的一个，所述单层包括氮化铌，所述双层包括包含氮化铌的第一层和包含氮化钛的第二层，所述三层包括包含氮化钛的第三层、包含氮化铌的第四层和包含氮化钛的第五层。

技术总结
提供了一种集成电路装置。所述集成电路装置包括：电容器结构，其中，电容器结构包括：下电极，布置在基底上，其中，下电极包括沿与基底的上表面基本垂直的方向延伸的电极层，其中，电极层包括氮化铌；支撑件，布置在下电极的侧壁上；介电层，布置在下电极和支撑件上；第一界面层，布置在下电极的侧壁与介电层之间以及在下电极的顶表面与介电层之间，其中，第一界面层包括导电金属氮化物；以及上电极，布置在介电层上，其中，上电极覆盖下电极并且包括氮化铌。

技术研发人员：姜埈求,南多妍,尹晟准,李东建
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15