功率放大电路以及功率放大器的制作方法

本发明实施例涉及电子电路，具体涉及一种功率放大电路以及功率放大器。

背景技术：

1、功率放大电路是一种能实现信号功率放大的电路，其具有输出功率高、功率转换效率高、非线性失真小等特点，从而被广泛应用在多种电路及电子器件中。

2、在功率放大电路中，增益及稳定性是衡量功率放大电路的两个重要指标。目前的功率放大电路在部署后，功率放大电路的增益及稳定性相对固定，无法动态调整，从而无法满足多样化的场景需求。

技术实现思路

1、鉴于上述问题，提出了本发明实施例以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的功率放大电路以及功率放大器。

2、根据本发明实施例的一个方面，提供了一种功率放大电路，所述功率放大电路包括：第一场效应晶体管、第二场效应晶体管、第一高阻器件以及第一增益调节模块；

3、其中，所述功率放大电路的输入信号由所述第一场效应晶体管的栅端或源端输入，所述功率放大电路的输出信号由所述第二场效应晶体管的漏端输出；

4、所述第一场效应晶体管的漏端与所述第二场效应晶体管的源端连接；所述第二场效应晶体管的栅端与第一高阻器件的第一端连接；所述第一高阻器件的第二端与偏置电压连接；

5、所述第一增益调节模块的第一端与所述第二场效应晶体管的栅端连接，所述第一增益调节模块的第二端接地，所述第一增益调节模块中包含电容器件，所述第一增益调节模块通过控制所述电容器件来调节接入所述功率放大电路的解耦电容值。

6、在一种可选的实施方式中，所述功率放大电路还包括：第三场效应晶体管、第四场效应晶体管、第二高阻器件以及第二增益调节模块；

7、所述功率放大电路的输入信号由所述第三场效应晶体管的栅端或源端输入，所述功率放大电路的输出信号由所述第四场效应晶体管的漏端输出；

8、所述第三场效应晶体管的漏端与所述第四场效应晶体管的源端连接；所述第四场效应晶体管的栅端与第二高阻器件的第一端连接；所述第二高阻器件的第二端与偏置电压连接；

9、所述第二增益调节模块的第一端与所述第四场效应晶体管的栅端连接，所述第二增益调节模块的第二端接地，所述第二增益调节模块中包含电容器件，所述第二增益调节模块通过控制所述电容器件来调节接入所述功率放大电路的解耦电容值。

10、在一种可选的实施方式中，所述第一增益调节模块和/或所述第二增益调节模块中的电容器件包括可变电容；

11、所述第一增益调节模块和/或所述第二增益调节模块还包括与所述可变电容连接的电容调节器；其中，所述电容调节器用于调节所述可变电容的电容值。

12、在一种可选的实施方式中，所述第一增益调节模块和/或所述第二增益调节模块中的电容器件包括多个固定电容；其中，所述多个固定电容的电容值不同；

13、则所述第一增益调节模块和/或所述第二增益调节模块还包括用于控制所述多个固定电容接入所述功率放大电路的多控开关。

14、在一种可选的实施方式中，所述输入信号由所述第一场效应晶体管的栅端输入，所述第一场效应晶体管的源端接地；

15、或者，所述输入信号由所述第一场效应晶体管的源端输入，所述第一场效应晶体管的源端与第一电感的第一端连接，所述第一电感的第二端接地，以及所述第一场效应晶体管的源端与第一预设电容器的第一端连接，所述第一预设电容器的第二端连接输入信号。

16、在一种可选的实施方式中，若所述解耦电容值大于或等于预设电容值，则所述功率放大电路的增益为第一级别增益；

17、若所述解耦电容值小于预设电容值，所述功率放大电路的增益为第二级别增益；

18、若所述解耦电容值为空，则所述功率放大电路的增益为第三级别增益；

19、其中，所述第一级别增益大于所述第二级别增益，所述第二级别增益大于所述第三级别增益。

20、在一种可选的实施方式中，所述预设电容值根据所述场效应晶体管的寄生电容值确定。

21、在一种可选的实施方式中，所述预设电容值为所述场效应晶体管的寄生电容值的预设倍数。

22、在一种可选的实施方式中，所述高阻器件根据所述输入信号的频率选取。

23、根据本发明实施例的另一个方面，提供了一种功率放大器，包括上述功率放大电路。

24、本发明提供的功率放大电路以及功率放大器中，在功率放大电路的基础上增设高阻器件以及增益调节模块，能够动态调整功率放大电路的增益以及稳定性，满足多样化的场景需求。

25、上述说明仅是本发明实施例技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明实施例的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明实施例的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本发明实施例的具体实施方式。

技术特征：

1.一种功率放大电路，其特征在于，所述功率放大电路包括：第一场效应晶体管、第二场效应晶体管、第一高阻器件以及第一增益调节模块；

2.根据权利要求1所述的功率放大电路，其特征在于，所述功率放大电路还包括：第三场效应晶体管、第四场效应晶体管、第二高阻器件以及第二增益调节模块；

3.根据权利要求2所述的功率放大电路，其特征在于，所述第一增益调节模块和/或所述第二增益调节模块中的电容器件包括可变电容；

4.根据权利要求2所述的功率放大电路，其特征在于，所述第一增益调节模块和/或所述第二增益调节模块中的电容器件包括多个固定电容；其中，所述多个固定电容的电容值不同；

5.根据权利要求1-4中任一项所述的功率放大电路，其特征在于，

6.根据权利要求1-4中任一项所述的功率放大电路，其特征在于，若所述解耦电容值大于或等于预设电容值，则所述功率放大电路的增益为第一级别增益；

7.根据权利要求6所述的功率放大电路，其特征在于，所述预设电容值根据所述场效应晶体管的寄生电容值确定。

8.根据权利要求7所述的功率放大电路，其特征在于，所述预设电容值为所述场效应晶体管的寄生电容值的预设倍数。

9.根据权利要求1-4中任一项所述的功率放大电路，其特征在于，所述高阻器件根据所述输入信号的频率选取。

10.一种功率放大器，其特征在于，包括：如权利要求1-9中任一项所述的功率放大电路。

技术总结
本发明实施例公开了一种功率放大电路以及功率放大器。该电路包括：第一场效应晶体管、第二场效应晶体管、第一高阻器件及第一增益调节模块，其中，输入信号由第一场效应晶体管的栅端或源端输入，输出信号由第二场效应晶体管的漏端输出；第一场效应晶体管的漏端与第二场效应晶体管的源端连接；第二场效应晶体管的栅端与第一高阻器件的第一端连接；第一高阻器件的第二端与偏置电压连接；第一增益调节模块的第一端与第二场效应晶体管的栅端连接，第一增益调节模块的第二端接地，第一增益调节模块用于调节接入功率放大电路的解耦电容值。采用本方案，能够动态调整功率放大电路的增益以及稳定性，满足多样化的场景需求。

技术研发人员：周佳
受保护的技术使用者：瓴钛科技（上海）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14