半导体存储装置的制作方法

文档序号:37021600发布日期:2024-02-09 13:15阅读:16来源:国知局
半导体存储装置的制作方法

本发明的实施方式涉及半导体存储装置。


背景技术:

1、已知具备基板和安装于基板的电子器件的半导体存储装置。对于半导体存储装置,期待散热性的提高。


技术实现思路

1、本发明的实施方式提供一种能够提高散热性的半导体存储装置。

2、实施方式的半导体存储装置具有基板、电子器件、电容器以及散热器。电子器件安装于基板。电容器安装于基板,且在基板的厚度方向上与电子器件重叠。散热器具有支撑电容器的支撑部和空气流动路径。散热器连接于电子器件。



技术特征:

1.一种半导体存储装置,具备:

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中,

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中,具有:

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置,其中,

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中,具有:

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置,其中,

7.根据权利要求5所述的半导体存储装置,其中,

8.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中,具有:

9.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中,具有:


技术总结
本发明提供能够提高散热性的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具有基板(21)、电子器件(25)、电容器(50)以及散热器(60)。电子器件(25)安装于基板(21)。电容器(50)安装于基板(21),且在基板(21)的厚度方向上与电子器件(25)重叠。散热器(60)具有支撑电容器(50)的支撑部(65)和空气流动路径(64)。散热器(60)连接于电子器件(25)。

技术研发人员:粟贺宏介
受保护的技术使用者:铠侠股份有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/2/8
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1