集成电路器件的制作方法

发明构思涉及集成电路器件和制造其的方法，更具体地，涉及包括电容器的集成电路器件和制造该集成电路器件的方法。

背景技术：

1、随着近来小型化半导体工艺技术的快速发展，集成电路器件的高集成密度已经加速，并且每个单元的面积已经减小。因此，每个单元中电容器可占据的面积也已减小。例如，随着诸如动态随机存取存储器(dram)的集成电路器件的集成密度的增加，每个单元的面积已经减小，同时所需的电容已经保持或增大。因此，需要一种结构，用于通过克服电容器的空间限制和设计规则的限制并增大电容器的电容来保持期望的电特性。

技术实现思路

1、发明构思提供了集成电路器件和制造其的方法，该集成电路器件用于通过允许支撑下电极的支撑件的部分材料扩散到电容器电介质膜中而减小流过相邻下电极之间的电容器电介质膜的泄漏电流。

2、发明构思不限于上面提到的内容，并且将从下面的描述中由本领域技术人员清楚地理解。

3、根据发明构思的实施方式，一种集成电路器件可以包括在衬底上方的多个下电极、在所述多个下电极之间的支撑件、在所述多个下电极上的上电极、以及在上电极和所述多个下电极之间的电容器电介质膜。支撑件可以包括金属氧化物、金属氮化物和金属氮氧化物中的一种。电容器电介质膜的一部分可以包括掺杂剂。电容器电介质膜的所述一部分中的掺杂剂和支撑件中的金属可以是相同的金属。

4、根据发明构思的实施方式，一种集成电路器件可以包括在衬底上方的多个下电极、在所述多个下电极之间的支撑件、在所述多个下电极上的上电极、以及在上电极和所述多个下电极之间的电容器电介质膜。支撑件可以包括第一支撑件和第二支撑件。第一支撑件可以包括金属氧化物、金属氮化物和金属氮氧化物中的一种。第一支撑件可以与电容器电介质膜接触。第二支撑件可以不包括金属。第二支撑件可以被第一支撑件围绕，并且可以不与电容器电介质膜接触。电容器电介质膜的一部分可以包括掺杂剂。电容器电介质膜的所述一部分中的掺杂剂和第一支撑件中的金属可以是相同的金属。

5、根据发明构思的实施方式，一种集成电路器件可以包括：衬底，包括由隔离膜限定的有源区；在衬底上的栅极结构，栅极结构与有源区交叉并在第一方向上延伸；源极/漏极，分别在栅极结构的相反侧的有源区中；在衬底上的位线结构，位线结构在第二方向上延伸，第二方向垂直于第一方向；分别在源极/漏极上的多个接触结构；分别在所述多个接触结构上的多个电容器结构；以及连接并支撑所述多个下电极的支撑件。所述多个电容器结构可以分别包括多个下电极。所述多个电容器结构中的每个可以包括所述多个下电极当中的对应的下电极、电容器电介质膜和上电极。支撑件可以包括金属氧化物、金属氮化物和金属氮氧化物中的一种。电容器电介质膜的一部分可以包括掺杂剂。电容器电介质膜的所述一部分中的掺杂剂和支撑件中的金属可以是相同的金属。

技术特征：

1.一种集成电路器件，包括：

2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中

3.根据权利要求2所述的集成电路器件，其中

4.根据权利要求3所述的集成电路器件，其中

5.根据权利要求4所述的集成电路器件，其中随着离开所述支撑件和所述电容器电介质膜之间的所述界面的距离增加，所述电容器电介质膜的所述一部分中的所述金属的浓度降低。

6.根据权利要求5所述的集成电路器件，其中

7.根据权利要求5所述的集成电路器件，其中

8.根据权利要求7所述的集成电路器件，其中

9.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述多个下电极中的每个具有柱形或圆筒形，并且在垂直于所述衬底的方向上延伸。

10.根据权利要求9所述的集成电路器件，其中

11.一种集成电路器件，包括：

12.根据权利要求11所述的集成电路器件，其中

13.根据权利要求12所述的集成电路器件，其中

14.根据权利要求11所述的集成电路器件，其中

15.根据权利要求14所述的集成电路器件，其中

16.一种集成电路器件，包括：

17.根据权利要求16所述的集成电路器件，其中

18.根据权利要求17所述的集成电路器件，其中

19.根据权利要求16所述的集成电路器件，其中

20.根据权利要求16所述的集成电路器件，其中所述金属减少所述多个下电极之间的所述电容器电介质膜中的泄漏电流的流动。

技术总结
一种集成电路器件可以包括在衬底上方的多个下电极、在所述多个下电极之间的支撑件、在所述多个下电极上的上电极、以及在上电极和所述多个下电极之间的电容器电介质膜。支撑件可以包括金属氧化物、金属氮化物和金属氮氧化物中的一种。电容器电介质膜的一部分可以包括掺杂剂。电容器电介质膜的所述一部分中的掺杂剂和支撑件中的金属可以是相同的金属。

技术研发人员：郑圭镐,闵淙渶,白智睿,李睿璱,李真旭,崔原湜
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15