一种改善光学串扰的硅基OLED显示面板及其制备方法与流程

本发明涉及硅基oled显示，尤其涉及一种改善光学串扰的硅基oled显示面板及其制备方法。

背景技术：

1、为了实现更高的发光效率和亮度，硅基oled目前主流的器件结构式为两叠层甚至三叠层的woled器件结构，但在制备叠层结构时，由于金属材料如li的使用会导致相邻像素容易发生串流，严重影响光色。

2、而且在现有技术中，硅基oled叠层器件都主要围绕像素定义层(pdl)做出sio-sin-sio的三层膜结构，并且刻蚀成底部内切(undercut)结构，但是pdl undercut工艺困难，本身良率较低，同时pdl在后段使用水洗容易发生剥落(peeling)，造成不良。

3、如公开号为cn214477464u的专利公开了一种抗串扰oled显示面板结构，包括由内而外依次设置的驱动电路层、子像素定义层、发光层、阴极膜层和封装层，驱动电路层包括衬底及其上设置的多个阳极，相邻两个阳极之间设置子像素定义层和/或断线隔离区，两个子像素定义层之间设置断线隔离区。该显示面板结构中的相邻阳极之间仍然是连续的发光层，依然存在光学串扰的问题，而且整个显示面板结构复杂，工艺困难，良率较低。

技术实现思路

1、为了解决上述技术问题，本发明提供了一种改善光学串扰的硅基oled显示面板及其制备方法，其中的像素定义区能有效切断发光层，避免横向串扰的问题，而且避免了pdlundercut工艺导致的peeling问题。

2、为实现上述目的，本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：所述改善光学串扰的硅基oled显示面板，包括基板及其上间隔设置的阳极，相邻阳极之间设置有像素定义层，所述阳极和像素定义层上覆盖有发光层，所述像素定义层上的发光层与所述阳极上的发光层断开。

3、所述像素定义层上的发光层设置为多段断开结构。

4、相邻两个阳极之间的像素定义层设置为分段式结构，所述分段式结构包括覆盖在阳极端部的像素定义区ⅰ和位于两个阳极之间沟道的像素定义区ⅱ，所述像素定义区ⅰ的下表面与所述像素定义区ⅱ表面沿垂直方向相隔一段距离。

5、所述多段断开结构包括沉积在所述像素定义区ⅱ上顶面的发光层ⅰ和沉积在所述像素定义区ⅰ与像素定义区ⅱ之间的发光层ⅱ，所述发光层ⅰ和发光层ⅱ沿水平和垂直方向均相隔一段距离。

6、所述阳极的两端设置为底切轮廓，所述像素定义区ⅱ的截面设置为梯形结构。

7、所述阳极两端的底切轮廓的倾斜角度为45°～60°，所述阳极的厚度为所述像素定义层的厚度为

8、相邻两个阳极之间的像素定义层设置为中部内凹的阶梯结构，所述阶梯结构包括覆盖在阳极端部的像素定义区ⅲ和位于两个阳极之间沟道的像素定义区ⅳ，两个所述像素定义区ⅲ和所述像素定义区ⅳ相连。

9、所述阳极的厚度为所述像素定义层的厚度为所述像素定义区ⅲ的上表面高于所述像素定义区ⅳ的上表面，且所述像素定义区ⅲ的上表面与所述像素定义区ⅳ的上表面之间的垂直距离为

10、所述多段断开结构包括沉积在所述像素定义区ⅲ上表面的发光层ⅲ和沉积在所述像素定义区ⅳ上表面的发光层ⅳ，所述发光层ⅲ和发光层ⅳ沿垂直方向相隔一段距离。

11、一种所述的改善光学串扰的硅基oled显示面板的制备方法，包括以下步骤：

12、步骤1：在基板上制备间隔布置的阳极；

13、步骤2：在阳极和基板上制备像素定义层；

14、步骤3：在像素定义层和阳极上制备断开的发光层；

15、步骤4：在发光层上依次制备阴极层和封装层。

16、所述步骤1的具体制备方法为：在基板上整面沉积阳极层后，通过halftone刻蚀和过刻后得到间隔布置的阳极，所述阳极的中部设置刻蚀槽，所述阳极的两端为底切轮廓；所述步骤2中制备的像素定义层为单层膜结构。

17、本发明的有益效果是：

18、1、本发明提供了一种改善光学串扰的硅基oled显示面板，使相邻两个阳极上的发光层断开，通过halftone刻蚀和过刻工艺制备阳极，形成具有底切轮廓的阳极，使像素定义层在阳极边缘发生内凹，或通过制备厚度较大且中间内凹的阳极，形成阶梯结构的像素定义层，可使发光层发生断裂，避免了横向串扰的问题。

19、2、本发明通过采用halftone刻蚀和过刻工艺制备阳极，使阳极的中部形成刻蚀槽，在制备像素定义层时，只需要选用单层膜即可形成具有中部刻蚀形状的像素定义层，制备工艺简单，避免了pdl undercut工艺导致的peeling问题。

技术特征：

1.一种改善光学串扰的硅基oled显示面板，其特征在于，包括基板及其上间隔设置的阳极，相邻阳极之间设置有像素定义层，所述阳极和像素定义层上覆盖有发光层，所述像素定义层上的发光层与所述阳极上的发光层断开。

2.根据权利要求1所述的改善光学串扰的硅基oled显示面板，其特征在于：所述像素定义层上的发光层设置为多段断开结构。

3.根据权利要求2所述的改善光学串扰的硅基oled显示面板，其特征在于：相邻两个阳极之间的像素定义层设置为分段式结构，所述分段式结构包括覆盖在阳极端部的像素定义区ⅰ和位于两个阳极之间沟道的像素定义区ⅱ，所述像素定义区ⅰ的下表面与所述像素定义区ⅱ表面沿垂直方向相隔一段距离。

4.根据权利要求3所述的改善光学串扰的硅基oled显示面板，其特征在于：所述多段断开结构包括沉积在所述像素定义区ⅱ上顶面的发光层ⅰ和沉积在所述像素定义区ⅰ与像素定义区ⅱ之间的发光层ⅱ，所述发光层ⅰ和发光层ⅱ沿水平和垂直方向均相隔一段距离。

5.根据权利要求3所述的改善光学串扰的硅基oled显示面板，其特征在于：所述阳极的两端设置为底切轮廓，所述像素定义区ⅱ的截面设置为梯形结构，所述阳极两端的底切轮廓的倾斜角度为45°～60°，所述阳极的厚度为所述像素定义层的厚度为

6.根据权利要求2所述的改善光学串扰的硅基oled显示面板，其特征在于：相邻两个阳极之间的像素定义层设置为中部内凹的阶梯结构，所述阶梯结构包括覆盖在阳极端部的像素定义区ⅲ和位于两个阳极之间沟道的像素定义区ⅳ，两个所述像素定义区ⅲ和所述像素定义区ⅳ相连。

7.根据权利要求6所述的改善光学串扰的硅基oled显示面板，其特征在于：所述阳极的厚度为所述像素定义层的厚度为所述像素定义区ⅲ的上表面高于所述像素定义区ⅳ的上表面，且所述像素定义区ⅲ的上表面与所述像素定义区ⅳ的上表面之间的垂直距离为

8.根据权利要求6所述的改善光学串扰的硅基oled显示面板，其特征在于：所述多段断开结构包括沉积在所述像素定义区ⅲ上表面的发光层ⅲ和沉积在所述像素定义区ⅳ上表面的发光层ⅳ，所述发光层ⅲ和发光层ⅳ沿垂直方向相隔一段距离。

9.一种如权利要求1～8任意一项所述的改善光学串扰的硅基oled显示面板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

10.根据权利要求9所述的改善光学串扰的硅基oled显示面板的制备方法，其特征在于：所述步骤1的具体制备方法为：在基板上整面沉积阳极层后，通过halftone刻蚀和过刻后得到间隔布置的阳极，所述阳极的中部设置刻蚀槽，所述阳极的两端为底切轮廓；所述步骤2中制备的像素定义层为单层膜结构。

技术总结
一种改善光学串扰的硅基OLED显示面板及其制备方法，属于硅基OLED显示技术领域，其中的改善光学串扰的硅基OLED显示面板，包括基板及其上间隔设置的阳极，相邻阳极之间设置有像素定义层，所述阳极和像素定义层上覆盖有发光层，所述像素定义层上的发光层与所述阳极上的发光层断开，本发明的有益效果是，本发明通过设计相应结构的阳极，使其中的像素定义区能有效切断发光层，避免横向串扰的问题，而且制备工艺简单，避免了PDL undercut工艺导致的peeling问题。

技术研发人员：请求不公布姓名
受保护的技术使用者：安徽熙泰智能科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16