非易失性存储器件及其操作方法与流程

本公开涉及非易失性存储器件及其操作方法。

背景技术：

1、作为半导体存储器件，非易失性存储器件即使在电源被关闭时也保持信息，并包括在电源接通时可再次使用所存储的信息的许多存储单元。非易失性存储器件可以用于移动电话、数码相机、便携式数字助理(pda)、移动计算机装置、固定计算机装置以及其它装置。

2、正在进行关于在下一代神经形态计算平台或芯片上使用三维(或垂直)nand(vnand)来形成神经网络的研究。

技术实现思路

1、提供一种包括导电柱的非易失性存储器件及其操作方法。

2、提供一种能够向半导体层施加具有小强度的电压的非易失性存储器件及其操作方法。

3、附加方面将部分地在以下描述中阐述，并部分地将从该描述变得明显，或者可以通过实施本公开的所给出的实施方式而获知。

4、根据一实施方式，一种非易失性存储器件可以包括导电柱、围绕导电柱的侧表面的电阻变化层、围绕电阻变化层的侧表面的半导体层、围绕半导体层的侧表面的栅极绝缘层、多个绝缘图案和多个栅电极、第一位线和第二位线。所述多个绝缘图案和所述多个栅电极可以沿着栅极绝缘层的表面交替地布置。所述多个绝缘图案和所述多个栅电极可以围绕栅极绝缘层的侧表面。第一位线可以电连接到导电柱。第一位线可以配置为向导电柱提供第一电压。第二位线可以与第一位线电绝缘。第二位线可以电连接到半导体层，第二位线可以配置为向半导体层提供第二电压。

5、在一些实施方式中，第一电压和第二电压可以彼此不同。

6、在一些实施方式中，第一电压可以大于第二电压。

7、在一些实施方式中，在第一电压和第二电压之间的差可以小于第二电压的绝对值。

8、在一些实施方式中，第二电压的绝对值可以是约5v或更小。

9、在一些实施方式中，非易失性存储器件还可以包括控制器。控制器可以配置为向所述多个栅电极当中的与选择存储单元相对应的栅电极施加关断电压，控制器可以配置为向所述多个栅电极当中的与未选择存储单元相对应的栅电极施加导通电压。

10、在一些实施方式中，关断电压可以小于第一电压和第二电压中的至少一个。

11、在一些实施方式中，导通电压可以大于第一电压和第二电压中的至少一个。

12、在一些实施方式中，在第一电压和第二电压之间的差可以小于在导通电压和关断电压之间的差。

13、在一些实施方式中，导电柱的所有区域可以在空间上与半导体层的所有区域间隔开。

14、在一些实施方式中，非易失性存储器件还可以包括在电阻变化层和导电柱之间的绝缘层。

15、在一些实施方式中，绝缘层可以包括硅氧化物。

16、在一些实施方式中，非易失性存储器件还可以包括在导电柱中的绝缘层。

17、在一些实施方式中，在导电柱中的绝缘层可以接触电阻变化层。

18、另外，根据一实施方式，提供一种非易失性存储器件的操作方法。该非易失性存储器件可以包括导电柱和沿着导电柱的一侧依次布置的存储单元列。该操作方法可以包括：向存储单元列中的选择存储单元施加关断电压；向存储单元列中的未选择存储单元施加导通电压；以及在对选择存储单元的操作期间，向导电柱施加第一电压并且向存储单元列施加第二电压。第二电压可以不同于第一电压。

19、在一些实施方式中，第一电压可以大于第二电压。

20、在一些实施方式中，在第一电压和第二电压之间的差可以小于第二电压的绝对值。

21、在一些实施方式中，第二电压的绝对值可以是5v或更小。

22、在一些实施方式中，关断电压可以小于第一电压和第二电压中的至少一个。

23、在一些实施方式中，导通电压可以大于第一电压和第二电压中的至少一个。

24、在一些实施方式中，在第一电压和第二电压之间的差可以小于在导通电压和关断电压之间的差。

技术特征：

1.一种非易失性存储器件，包括：

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述第一电压和所述第二电压彼此不同。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述第一电压大于所述第二电压。

4.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中在所述第一电压和所述第二电压之间的差小于所述第二电压的绝对值。

5.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述第二电压的绝对值是5v或更小。

6.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，还包括：

7.根据权利要求6所述的非易失性存储器件，其中所述关断电压小于所述第一电压和所述第二电压中的至少一个。

8.根据权利要求6所述的非易失性存储器件，其中所述导通电压大于所述第一电压和所述第二电压中的至少一个。

9.根据权利要求6所述的非易失性存储器件，其中在所述第一电压和所述第二电压之间的差小于在所述导通电压和所述关断电压之间的差。

10.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述导电柱的所有区域在空间上与所述半导体层的所有区域间隔开。

11.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，还包括：

12.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，还包括：

13.根据权利要求12所述的非易失性存储器件，其中

14.一种非易失性存储器件的操作方法，所述非易失性存储器件包括导电柱和沿着所述导电柱的一侧的存储单元列，所述操作方法包括：

15.根据权利要求14所述的操作方法，其中所述第一电压大于所述第二电压。

16.根据权利要求14所述的操作方法，其中在所述第一电压和所述第二电压之间的差小于所述第二电压的绝对值。

17.根据权利要求14所述的操作方法，其中所述第二电压的绝对值是5v或更小。

18.根据权利要求14所述的操作方法，其中所述关断电压小于所述第一电压和所述第二电压中的至少一个。

19.根据权利要求14所述的操作方法，其中所述导通电压大于所述第一电压和所述第二电压中的至少一个。

20.根据权利要求14所述的操作方法，其中在所述第一电压和所述第二电压之间的差小于在所述导通电压和所述关断电压之间的差。

技术总结
提供一种非易失性存储器件及其操作方法。该非易失性存储器件可以包括导电柱、围绕导电柱的侧表面的电阻变化层、围绕电阻变化层的侧表面的半导体层、围绕半导体层的侧表面的栅极绝缘层、以及沿着栅极绝缘层的表面交替布置的多个绝缘图案和多个栅电极。所述多个绝缘图案和所述多个栅电极可以围绕栅极绝缘层的侧表面。

技术研发人员：金裕珉,姜周宪,金宣浩,金世润,朴可篮,宋伣在,安东浩,杨承烈,禹明勋,李镇宇
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/2/25