本申请涉及半导体领域,具体而言,涉及一种可控硅的控制方法、装置及电路、存储介质、电子装置。
背景技术:
1、可控硅具有体积小,寿命长,效率高,开关频率高等优点,因此目前广泛应用于各种控制器环境下,但半导体器件特性均和温升相关,控制器难免工作在高温或低温情况下,从而导致其可靠性下降。
2、针对上述可控硅的可靠性较低的问题,目前尚未提出有效的解决方案。
技术实现思路
1、本申请实施例提供了一种可控硅的控制方法、装置及电路、存储介质、电子装置,以至少解决相关技术中可控硅的运行可靠性较低的技术问题。
2、根据本申请实施例的一个方面,提供了一种可控硅的控制电路,包括:多个驱动电路,多个驱动电路均与可控硅器件连接,驱动电路用于向可控硅器件提供驱动电流;温度传感器,用于采集可控硅器件的当前环境温度;控制器,分别与温度传感器和多个驱动电路连接,用于根据当前环境温度控制多个驱动电路输出的驱动电流,以满足可控硅器件所需的驱动电流。
3、可选地,每个驱动电路包括:电阻,电阻的一端与控制器的芯片口连接,电阻的一端与可控硅器件连接。
4、可选地,不同的驱动电路中电阻的阻值不同。
5、可选地,不同的驱动电路中的电阻所连接至的芯片口不同。
6、可选地,控制器还用于:确定多个温度范围内当前环境温度所在的目标温度范围,控制多个驱动电路中与目标温度范围对应的驱动电路输出驱动电流,其中,多个驱动电路中的每个驱动电路对应于多个温度范围中的一个温度范围。
7、根据本申请实施例的另一个方面,还提供了一种可控硅的控制方法,包括:采集可控硅器件的当前环境温度;根据当前环境温度控制多个驱动电路输出的驱动电流,以满足可控硅器件所需的驱动电流。
8、可选地,根据当前环境温度控制多个驱动电路输出的驱动电流,以满足可控硅器件所需的驱动电流,包括:确定多个温度范围内当前环境温度所在的目标温度范围,其中,多个驱动电路中的每个驱动电路对应于多个温度范围中的一个温度范围;控制多个驱动电路中与目标温度范围对应的驱动电路输出驱动电流。
9、根据本申请实施例的另一方面,还提供了一种可控硅的控制装置,包括:采集单元,用于采集可控硅器件的当前环境温度;控制单元,用于根据当前环境温度控制多个驱动电路输出的驱动电流,以满足可控硅器件所需的驱动电流。
10、可选地,控制单元还用于:确定多个温度范围内当前环境温度所在的目标温度范围,其中,多个驱动电路中的每个驱动电路对应于多个温度范围中的一个温度范围;控制多个驱动电路中与目标温度范围对应的驱动电路输出驱动电流。
11、根据本申请实施例的另一方面,还提供了一种存储介质,该存储介质包括存储的程序,程序运行时执行上述的方法。
12、根据本申请实施例的另一方面,还提供了一种电子装置,包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序,处理器通过计算机程序执行上述的方法。
13、在本申请实施例中,采集可控硅器件的当前环境温度;根据当前环境温度控制多个驱动电路输出的驱动电流,以满足可控硅器件所需的驱动电流,可以解决相关技术中可控硅的运行可靠性较低的技术问题。
1.一种可控硅的控制电路,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的控制电路,其特征在于,每个所述驱动电路包括:
3.根据权利要求2所述的控制电路,其特征在于,不同的所述驱动电路中电阻的阻值不同。
4.根据权利要求2所述的控制电路,其特征在于,不同的所述驱动电路中的电阻所连接至的芯片口不同。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的控制电路,其特征在于,所述控制器还用于:
6.一种可控硅的控制方法,其特征在于,包括:
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,根据所述当前环境温度控制多个驱动电路输出的驱动电流,以满足所述可控硅器件所需的驱动电流,包括:
8.一种可控硅的控制装置,其特征在于,包括:
9.一种存储介质,其特征在于,所述存储介质包括存储的程序,其中,所述程序运行时执行上述权利要求6至7任一项中所述的方法。
10.一种电子装置,包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序,其特征在于,所述处理器通过所述计算机程序执行上述权利要求6至7任一项中所述的方法。