有机发光显示面板的制作方法

文档序号:35406428发布日期:2023-09-09 19:52阅读:26来源:国知局
有机发光显示面板的制作方法

本公开在此涉及一种显示面板及其制造方法,更具体地,涉及一种具有简化的制造工艺的显示面板及其制造方法。


背景技术:

1、显示面板响应于电信号显示图像,并通过图像向用户提供信息。显示面板可包括各种实施例,例如,液晶显示面板、有机发光显示面板、电泳显示面板、电润湿显示面板等。

2、有机发光显示面板具有快的响应时间、通过低电压驱动以及包括作为自发光型器件的有机发光二极管。因此,有机发光显示面板具有许多优点,诸如由于可省略光源而导致的质轻且薄、具有优异的亮度、不依赖于视角等。

3、有机发光显示面板包括多个有机层和无机层。可通过形成多个层的各种制造工艺来形成有机发光显示面板。


技术实现思路

1、实施例提供一种有机发光显示面板,所述有机发光显示面板包括:第一电极;第二电极,设置在第一电极上;有机层,设置在第一电极与第二电极之间,并包括至少一个发光层;有机覆盖层,设置在第二电极上;下层,设置在有机覆盖层与第二电极之间,并包括彼此不同且顺序层叠的第一层、第二层和第三层;以及上层,设置在有机覆盖层上,其中,第一层与第二电极接触,第二层和第三层均包括硅化合物。

2、第二层的光程由第二层的折射率和第二层的厚度的乘积定义,并且可在从大约至大约的范围。

3、在实施例中,第二层可具有比第一层的折射率低的折射率,第二层的折射率与第一层的折射率之间的差可等于或大于0.2。

4、在实施例中,第二层可包括氧化硅。

5、在实施例中,第二层的厚度可在从大约至大约的范围内。

6、在实施例中,第三层可包括氮氧化硅或氮化硅。

7、在实施例中,当第三层包括氮化硅时第三层与第二层的厚度比可以相对地小于当第三层包括氮氧化硅时第三层与第二层的厚度比。

8、在实施例中,下层还可包括设置在第三层与有机覆盖层之间并与第三层接触的第四层,其中,第四层可包括硅化合物。

9、在实施例中,第四层可具有比第三层高的氧含量。

10、在实施例中,有机层还可包括设置在发光层与第一电极之间的第一电荷控制层以及设置在发光层与第二电极之间的第二电荷控制层,第一层可包括第一电荷控制层或第二电荷控制层的主体材料。

11、在实施例中,第一电极可设置为多个;发光层可包括设置在多个第一电极之中的一个第一电极上并产生第一颜色光的第一有机图案以及设置在多个第一电极之中的另一第一电极上并产生与第一颜色光不同的第二颜色光的第二有机图案;第一有机图案和第二有机图案可具有彼此不同的厚度;第二层的与第一有机图案叠置的部分的厚度可与第二层的与第二有机图案叠置的部分的厚度基本上相同。

12、在实施例中,一种制造有机发光显示面板的方法包括:在基底上形成第一电极、设置在第一电极上的有机层以及设置在有机层上的第二电极;在第二电极上形成接触第二电极的第一层;在第一层上顺序层叠均包括硅化合物的第二层和第三层;在第三层上形成有机材料的有机覆盖层,在第三层上形成无机材料的上层,其中,通过相同的工艺形成第二层和第三层。

13、在实施例中,第二层可由氧化硅形成。

14、在实施例中,第三层可由氮化硅或氮氧化硅形成。

15、在实施例中,第二层和第三层可以均通过化学气相沉积来形成。

16、在实施例中,第二层和第三层可在同一腔室中连续地形成。



技术特征:

1.一种有机发光显示面板,所述有机发光显示面板包括:

2.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其中,所述第一层包括与所述第二层和所述第三层的所述硅化合物相同的硅化合物,并且其中,所述第一层、所述第二层和所述第三层是基本上无边界的单个层。

3.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其中,所述第三层包括氮化硅。

4.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其中,所述上层包括与所述第二层的所述硅化合物相同的硅化合物。

5.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其中,所述第二层和所述第三层的厚度的和在至内。

6.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其中,所述第二层的折射率不同于所述第三层的折射率。

7.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其中,所述第二层具有比所述第一层的折射率低的折射率,并且所述第二层的所述折射率与所述第一层的所述折射率之间的差大于或等于0.2。

8.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其中,所述有机层还包括:


技术总结
提供一种有机发光显示面板,所述有机发光显示面板包括:第一电极;第二电极,位于所述第一电极上;有机层,位于所述第一电极与所述第二电极之间,所述有机层包括发光层;第一层,位于所述第二电极上并且接触所述第二电极;第二层,位于所述第一层上并且接触所述第一层;第三层,位于所述第二层上并且接触所述第二层;有机覆盖层,位于所述第三层上并且接触所述第三层;以及上层,位于所述有机覆盖层上,其中,所述第二层和所述第三层中的每个包括硅化合物。

技术研发人员:金宰贤,徐硕焄
受保护的技术使用者:三星显示有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/15
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