串叠结构及电子装置的制作方法

本申请涉及半导体的领域，尤其涉及串叠结构及电子装置。

背景技术：

1、半导体器件是导电性介于良导电体与绝缘体之间，利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件。其中，串叠结构是一种常见的半导体器件，广泛应用于电子装置的控制电路中；然而，串叠结构易出现损坏等现象，串叠结构的稳定性差。

技术实现思路

1、本申请实施例提供串叠结构及电子装置，用以解决串叠结构易出现损坏等现象，串叠结构的稳定性差的问题。

2、本申请实施例第一方面提供一种串叠结构，包括第一器件、第二器件和保护器件，所述第一器件的稳态电压高于所述第二器件的稳态电压；

3、所述第一器件的第一端用于电连接于控制电路的第一端，所述第一器件的第二端电连接所述第二器件的第一端，所述第一器件的控制端电连接所述第二器件的第二端；所述第二器件的第二端用于电连接于所述控制电路的第二端，所述第二器件的控制端用于电连接于所述控制电路的信号输出端；

4、所述保护器件包括第一保护三极管和第二保护三极管中的至少一个；

5、所述保护器件包括所述第一保护三极管时，所述第一保护三极管的第一端电连接于所述第一器件的第二端，所述第一保护三极管的第二端电连接所述第二器件的第二端；

6、所述保护器件包括第二保护三极管时，所述第二保护三极管的第一端电连接于所述第二器件的控制端，所述第二保护三极管的第二端电连接所述第二器件的第二端。

7、通过采用上述技术方案，通过设置第一保护三极管，当串叠结构处于工作状态时，第一器件和第二器件均处于导通状态，电流自第一器件的第二端流动至第二器件的第一端，并流过第二器件；第一保护三极管能够起到一定的分流作用，使得电流的部分能够自第一器件的第二端通过第一保护三极管流动至第二器件的第二端，从而能够减小流经第二器件的电流，以对第二器件起到一定的保护作用，减小了第二器件出现损坏的可能性，提高了串叠结构的稳定性；

8、通过设置第二保护三极管，当串叠结构处于工作状态时，第一器件和第二器件均处于导通状态，控制电路的信号输出端向第二器件的控制端提供电流，第二保护三极管能够起到一定的分流作用，使得电流的部分能够通过第二保护三极管流动至第二器件的第二端，从而能够利用第二保护三极管对第二器件的控制端起到一定的保护作用，进一步减小了第二器件出现损坏的可能性，提高了串叠结构的稳定性。

9、在一些可能的实施方式中，所述保护器件包括所述第一保护三极管；所述第一保护三极管设置为npn型三极管，所述第一保护三极管的发射极电连接所述第二器件的第二端，所述第一保护三极管的集电极电连接所述第一器件的第二端，所述第一保护三极管的基极浮接；

10、或者，所述第一保护三极管设置为pnp型三极管，所述第一保护三极管的集电极电连接所述第二器件的第二端，所述第一保护三极管的发射极电连接所述第一器件的第二端，所述第一保护三极管的基极浮接。

11、在一些可能的实施方式中，所述保护器件包括所述第二保护三极管；所述第二保护三极管设置为npn型三极管，所述第二保护三极管的发射极电连接所述第二器件的第二端，所述第二保护三极管的集电极电连接所述第二器件的控制端，所述第二保护三极管的基极浮接；

12、或者，所述第二保护三极管设置为pnp型三极管，所述第二保护三极管的集电极电连接所述第二器件的控制端，所述第二保护三极管的发射极电连接所述第二器件的第二端，所述第二保护三极管的基极浮接。

13、在一些可能的实施方式中，所述保护器件包括所述第一保护三极管和所述第二保护三极管；

14、所述第一保护三极管设置为npn型三极管或pnp型三极管，所述第二保护三极管设置为npn型三极管或pnp型三极管。

15、在一些可能的实施方式中，所述第一保护三极管和所述第二保护三极管均设置为pnp型三极管；所述第一保护三极管的集电极电连接所述第二器件的第二端，所述第一保护三极管的发射极电连接所述第一器件的第二端，所述第一保护三极管的基极浮接；所述第二保护三极管的集电极电连接所述第二器件的控制端，所述第二保护三极管的发射极电连接所述第二器件的第二端，所述第二保护三极管的基极浮接；

16、或者，所述第一保护三极管和所述第二保护三极管均设置为npn型三极管；所述第一保护三极管的发射极电连接所述第二器件的第二端，所述第一保护三极管的集电极电连接所述第一器件的第二端，所述第一保护三极管的基极浮接；所述第二保护三极管的发射极电连接所述第二器件的第二端，所述第二保护三极管的集电极电连接所述第二器件的控制端，所述第二保护三极管的基极浮接。

17、在一些可能的实施方式中，所述串叠结构还包括调节器件，所述调节器件的第一端用于电连接于所述控制电路的信号输出端，所述调节器件的第二端电连接所述第二器件的控制端。

18、在一些可能的实施方式中，所述调节器件包括第一调节器件和第二调节器件；

19、所述第一调节器件的第一端电连接于电源，所述第一调节器件的第二端电连接所述第二器件的控制端，且所述第一调节器件的第二端还电连接所述第二调节器件的第一端，所述第二调节器件的第二端电连接于等电位端。

20、在一些可能的实施方式中，所述第一器件设置为结型场效应晶体管，且所述第二器件设置为金属氧化物半导体场效应晶体管。

21、在一些可能的实施方式中，所述第一器件的稳态电压设置为1200伏，所述第二器件的稳态电压设置为60伏。

22、本申请实施例第二方面提供一种电子装置，包括上述任一项所述的串叠结构。

23、由于电子装置包括上述任一项所述的串叠结构，因此，该电子装置包括上述任一项所述的串叠结构的优点，具体可参见上文相关描述，在此不再赘述。

技术特征：

1.一种串叠结构，其特征在于，包括第一器件、第二器件和保护器件，所述第一器件的稳态电压高于所述第二器件的稳态电压；

2.根据权利要求1所述的串叠结构，其特征在于，所述保护器件包括所述第一保护三极管；所述第一保护三极管设置为npn型三极管，所述第一保护三极管的发射极电连接所述第二器件的第二端，所述第一保护三极管的集电极电连接所述第一器件的第二端，所述第一保护三极管的基极浮接；

3.根据权利要求1所述的串叠结构，其特征在于，所述保护器件包括所述第二保护三极管；所述第二保护三极管设置为npn型三极管，所述第二保护三极管的发射极电连接所述第二器件的第二端，所述第二保护三极管的集电极电连接所述第二器件的控制端，所述第二保护三极管的基极浮接；

4.根据权利要求1所述的串叠结构，其特征在于，所述保护器件包括所述第一保护三极管和所述第二保护三极管；

5.根据权利要求4所述的串叠结构，其特征在于，所述第一保护三极管和所述第二保护三极管均设置为pnp型三极管；所述第一保护三极管的集电极电连接所述第二器件的第二端，所述第一保护三极管的发射极电连接所述第一器件的第二端，所述第一保护三极管的基极浮接；所述第二保护三极管的集电极电连接所述第二器件的控制端，所述第二保护三极管的发射极电连接所述第二器件的第二端，所述第二保护三极管的基极浮接；

6.根据权利要求1-5任一项所述的串叠结构，其特征在于，所述串叠结构还包括调节器件，所述调节器件的第一端用于电连接于所述控制电路的信号输出端，所述调节器件的第二端电连接所述第二器件的控制端。

7.根据权利要求6所述的串叠结构，其特征在于，所述调节器件包括第一调节器件和第二调节器件；

8.根据权利要求1-5任一项所述的串叠结构，其特征在于，所述第一器件设置为结型场效应晶体管，且所述第二器件设置为金属氧化物半导体场效应晶体管。

9.根据权利要求1-5任一项所述的串叠结构，其特征在于，所述第一器件的稳态电压设置为1200伏，所述第二器件的稳态电压设置为60伏。

10.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的串叠结构。

技术总结
本申请提供串叠结构及电子装置，涉及半导体的技术领域。该串叠结构包括第一器件、第二器件和保护器件；第一器件的第二端电连接第二器件的第一端，第一器件的控制端电连接第二器件的第二端；第二器件的控制端用于电连接于控制电路的信号输出端；保护器件包括第一保护三极管和第二保护三极管中的至少一个，第一保护三极管的第一端电连接于第一器件的第二端，第一保护三极管的第二端电连接第二器件的第二端；第二保护三极管的第一端电连接于第二器件的控制端，所述第二保护三极管的第二端电连接第二器件的第二端。本申请能够解决串叠结构易出现损坏等现象，串叠结构的稳定性差的问题。

技术研发人员：纪杰,陈伟梵,蔡国基
受保护的技术使用者：青岛嘉展力芯半导体有限责任公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15