显示装置和制造该显示装置的方法与流程

公开在此涉及一种包括石墨烯层的显示装置和制造该显示装置的方法，所述方法包括形成石墨烯层。

背景技术：

1、近年来，作为图像显示装置的有机电致发光显示装置等的开发已经积极地进行。有机电致发光显示装置是包括所谓的自发射型发光元件的装置，其通过使从第一电极和第二电极注入的空穴和电子在发射层中复合并使发射层的发光材料发射光来实现显示。

技术实现思路

1、在有机电致发光显示装置中，会发生通过使发射层的发光材料发光而在发光元件中产生的光由于全内反射等不能被发射并且损失的现象。

2、公开提供了一种具有改善的发光效率的显示装置。

3、公开还提供了一种具有改善的制造效率的制造显示装置的方法。

4、发明的实施例提供了一种显示装置，所述显示装置包括：电路层；显示元件层，设置在电路层的上表面上，其中，显示元件层包括发光元件和像素限定膜，穿过像素限定膜限定像素开口，其中发光元件包括通过像素开口暴露的第一电极、与第一电极相对设置的第二电极以及设置在第一电极与第二电极之间的发光层，第一电极包括金属层和设置在金属层的上表面上的石墨烯层，并且金属层和石墨烯层中的每个具有六方密堆积结构。

5、在实施例中，金属层可以包括zn或ti。

6、在实施例中，金属层可以包括单一金属。

7、在实施例中，金属层可以具有约或更大的厚度。

8、在实施例中，第一电极还可以包括设置在金属层下方的金属氧化物层，其中金属氧化物层可以包括透明导电氧化物。

9、在实施例中，透明导电氧化物可以包括选自于氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)和氧化铟镓锌(igzo)中的至少一种。

10、在实施例中，金属氧化物层可以比金属层薄并且比石墨烯层厚。

11、在实施例中，电路层可以包括晶体管和设置在晶体管的上表面上的绝缘层，其中绝缘层可以是平坦化层并且与第一电极接触。

12、在实施例中，绝缘层可以包括选自于聚酰亚胺光致抗蚀剂(pspi)、硅氧烷和丙烯酸树脂中的至少一种。

13、在发明的实施例中，一种显示装置包括：电路层；以及显示元件层，设置在电路层的上表面上，其中显示元件层包括发光元件和像素限定膜，穿过像素限定膜限定像素开口，其中发光元件包括通过像素开口暴露的第一电极、与第一电极相对设置的第二电极以及设置在第一电极与第二电极之间的发光层，并且第一电极包括包含石墨烯的第一层、设置在第一层下方并且包含zn或ti的第二层以及设置在第二层下方并且包含透明导电氧化物的第三层。

14、在实施例中，第一层和第二层中的每个可以具有六方密堆积结构。

15、在实施例中，透明导电氧化物可以包括选自于氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)和氧化铟镓锌(igzo)中的至少一种。

16、在发明的实施例中，一种制造显示装置的方法包括：制备电路层；在电路层的上表面上形成第一电极；在第一电极的上表面上形成发光层；以及在发光层的上表面上形成第二电极，其中形成第一电极的步骤包括形成初步金属层、在室温下在初步金属层的上表面上形成初步石墨烯层以及蚀刻包括初步金属层和初步石墨烯层的初步第一电极以形成第一电极，并且初步金属层和初步石墨烯层中的每个具有六方密堆积结构。

17、在实施例中，初步金属层可以包括zn或ti。

18、在实施例中，可以在初步金属层的上表面上直接形成初步石墨烯层。

19、在实施例中，可以通过等离子体增强化学气相沉积(pecvd)方法设置初步石墨烯层。

20、在实施例中，在蚀刻初步第一电极的步骤中，可以用蚀刻剂湿法蚀刻初步第一电极。

21、在实施例中，蚀刻剂可以包括选自于磷酸、乙酸和硝酸中的至少一种。

22、在实施例中，形成第一电极的步骤还可以包括：在形成初步金属层之前形成初步金属氧化物层，以及在初步金属氧化物层的上表面上形成初步金属层。

23、在实施例中，在蚀刻初步金属层和初步石墨烯层的步骤中，可以将初步金属氧化物层与初步金属层和初步石墨烯层一起蚀刻。

24、在实施例中，初步金属氧化物层可以包括透明导电氧化物。

25、在实施例中，透明导电氧化物可以包括选自于氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)和氧化铟镓锌(igzo)中的至少一种。

技术特征：

1.一种显示装置，所述显示装置包括：

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述金属层包括zn或ti。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述金属层包括单一金属。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一电极还包括设置在所述金属层下方的金属氧化物层，其中，所述金属氧化物层包括透明导电氧化物，并且

5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述金属氧化物层比所述金属层薄并且比所述石墨烯层厚。

6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述电路层包括晶体管和设置在所述晶体管的上表面上的绝缘层，

7.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述初步金属层包括zn或ti。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，在所述初步金属层的所述上表面上直接形成所述初步石墨烯层。

10.根据权利要求7所述的方法，其中，通过等离子体增强化学气相沉积方法形成所述初步石墨烯层。

11.根据权利要求7所述的方法，其中，在蚀刻所述初步第一电极的步骤中，用蚀刻剂湿法蚀刻所述初步第一电极，并且

12.根据权利要求7所述的方法，其中，

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述初步金属氧化物层包括透明导电氧化物，并且

技术总结
提供了一种显示装置和制造该显示装置的方法。所述显示装置包括：电路层；以及显示元件层，在电路层上。显示元件层包括发光元件和像素限定膜，穿过像素限定膜限定像素开口，并且发光元件包括通过像素开口暴露的第一电极、与第一电极相对设置的第二电极以及设置在第一电极与第二电极之间的发光层。第一电极包括金属层和设置在金属层的上表面上的石墨烯层，并且金属层和石墨烯层各自具有六方密堆积结构。

技术研发人员：申铉亿,姜泰旭,权圣周,朴俊龙,李周炫,李昌熙,郑参台,郑镕彬
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/4