一种硅基OLED显示器件制备方法与流程

本发明属于显示，更具体地说，涉及一种硅基oled显示器件制备方法。

背景技术：

1、随着元宇宙概念的崛起，目前市场上的ar,vr等设备的需求越来越大。目前市场上的现有micro oled全彩产品种类繁多，花样百出。首先作为便携性终端，首要考虑设备便携度，但是目前市场上眼睛重量普遍较重，大大影响了使用者的感受，使用场景亦受到制约；其次目前市面上的硅基微显示芯片多为平面显示，受限与芯片本身，不能跟人眼相匹配，需要通过一连串镜组去模仿曲面，故沉浸感相对较差，这些终端问题，都需要解决。

2、而在硅基oled领域中，没有可弯曲形成复合人眼要求的micro oled产品。现有技术中存在的柔性产品不能很好的满足适度弯折要求；将硬质基底玻璃的柔性基板，其工艺步骤繁琐，存在剥离基底缺陷，易导致剥离损伤。

技术实现思路

1、本发明的目的是解决现有技术存在的问题，提供一种结构简单，具有一定的可弯曲性的硅基oled显示器件制备方法。

2、为了实现上述目的，本发明采取的技术方案为：所提供的这种硅基oled显示器件制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1)在硅基板上进行复合阳极膜层制作；步骤2)在步骤1)得到的具有阳极膜层的基板上制作形成有机发光层和阴极膜层；所述阴极膜层是复合阴极膜层；步骤3)在阴极膜层上制作封装膜层；。步骤4)在封装后的基板上制备cf和oc膜层；步骤5)在oc膜层上制作保护层；步骤6)将基板底部的硅基板进行背面减薄处理；步骤7)基板切割及折弯。

3、为使上述技术方案更加详尽和具体，本发明还提供以下更进一步的优选技术方案，以获得满意的实用效果：

4、步骤1)中，将带有cmos电路驱动的硅基板传入pvd设备中制作金属膜层，厚度在40-60nm；金属膜层可选用al金属膜层；然后在金属膜层上方制作ito膜层，厚度在10-100nm。

5、步骤2)中，将步骤1之后得到的具有阳极膜层的基板传入蒸镀设备中，对基板进行有机白光oled薄膜制备形成有机发光层。

6、步骤2)中，在有机发光层上制备复合阴极膜层，所述复合阴极膜层包括mg和ag混合材料蒸镀形成的mg和ag阴极膜层，在蒸镀的mg和ag阴极膜层上沉积形成tco阴极膜层。

7、所述mg和ag阴极膜层厚度10-20nm；所述tco阴极膜层沉积厚度60-120nm。

8、步骤3)中，所述封装膜层包括第一层封装层和第二层封装膜层，所述第一封装膜层为sin封装膜层，所述第二封装膜层为ijp封装膜层。

9、在所述阴极膜层上沉积形成sin封装膜层，所述sin封装膜层厚度范围500-1000nm；再将基板传入ijp设备中，再使用ink材料对基板进行有机薄膜封装，形成厚度在900-1100nm的所述ijp封装膜层。

10、步骤5)中，将步骤4)的基板传入odf设备中对基板进行保护层制作，在oc膜层上进行围堰胶和面胶涂布，再选用柔性玻璃材料在基板进行贴合。

11、所述柔性玻璃材料选用厚度0.1-0.3mm的高铝玻璃。

12、步骤6)中，将步骤5)后的基板传入cmp减薄设备中，对硅基板背面进行减薄，减薄至10-100um

13、本发明与现有技术相比，具有以下优点：本发明硅基oled显示器件制备方法，结构简单，生产的产品具有一定的可弯曲性，更好的满足使用需求，具有较强的实用性和较好的应用前景。

技术特征：

1.一种硅基oled显示器件制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1)在硅基板上进行复合阳极膜层制作；步骤2)在步骤1)得到的具有阳极膜层的基板上制作形成有机发光层和阴极膜层；所述阴极膜层是复合阴极膜层；步骤3)在阴极膜层上制作封装膜层；。步骤4)在封装后的基板上制备cf和oc膜层；步骤5)在oc膜层上制作保护层；步骤6)将基板底部的硅基板进行背面减薄处理；步骤7)基板切割及折弯。

2.按照权利要求1所述的硅基oled显示器件制备方法，其特征在于：步骤1)中，将带有cmos电路驱动的硅基板传入pvd设备中制作金属膜层，厚度在40-60nm；金属膜层可选用al金属膜层；然后在金属膜层上方制作ito膜层，厚度在10-100nm。

3.按照权利要求1所述的硅基oled显示器件制备方法，其特征在于：步骤2)中，将步骤1之后得到的具有阳极膜层的基板传入蒸镀设备中，对基板进行有机白光oled薄膜制备形成有机发光层。

4.按照权利要求3所述的硅基oled显示器件制备方法，其特征在于：步骤2)中，在有机发光层上制备复合阴极膜层，所述复合阴极膜层包括mg和ag混合材料蒸镀形成的mg和ag阴极膜层，在蒸镀的mg和ag阴极膜层上沉积形成tco阴极膜层。

5.按照权利要求4所述的硅基oled显示器件制备方法，其特征在于：所述mg和ag阴极膜层厚度10-20nm；所述tco阴极膜层沉积厚度60-120nm。

6.按照权利要求1所述的硅基oled显示器件制备方法，其特征在于：步骤3)中，所述封装膜层包括第一层封装层和第二层封装膜层，所述第一封装膜层为sin封装膜层，所述第二封装膜层为ijp封装膜层。

7.按照权利要求6所述的硅基oled显示器件制备方法，其特征在于：在所述阴极膜层上沉积形成sin封装膜层，所述sin封装膜层厚度范围500-1000nm；再将基板传入ijp设备中，再使用ink材料对基板进行有机薄膜封装，形成厚度在900-1100nm的所述ijp封装膜层。

8.按照权利要求1所述的硅基oled显示器件制备方法，其特征在于：步骤5)中，将步骤4)的基板传入odf设备中对基板进行保护层制作，在oc膜层上进行围堰胶和面胶涂布，再选用柔性玻璃材料在基板进行贴合。

9.按照权利要求8所述的硅基oled显示器件制备方法，其特征在于：所述柔性玻璃材料选用厚度0.1-0.3mm的高铝玻璃。

10.按照权利要求1所述的硅基oled显示器件制备方法，其特征在于：步骤6)中，将步骤5)后的基板传入cmp减薄设备中，对硅基板背面进行减薄，减薄至10-100um。

技术总结
本发明公开了一种堆叠微显示器结构及其制作工艺，其特征在于：包括基板，所述基板的正面设有像素电路，所述基本背面设有驱动电路；制作工艺：步骤1)准备基板；步骤2)基板背面朝上，在基板背面上制备驱动电路层；步骤3)将基板翻转，驱动电路层贴附到载片；步骤4)在基板正面制备像素电路层；步骤5)制备导通孔；步骤6)制备互连件；步骤7)制备阳极电极；步骤8)制备发光层和阴极；制备封装层。本发明堆叠微显示器结构及其制作工艺，集成兼容性好，面积小，良率高，成本低具有较强的实用性和较好的应用前景。

技术研发人员：荣长停,曹绪文,晋芳铭,孙圣,张良睿,李亮亮,陈天佑
受保护的技术使用者：安徽芯视佳半导体显示科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16