竖直存储器件的制作方法

本发明构思的示例实施例涉及竖直存储器件。

背景技术：

1、目前，具有其中存储单元竖直堆叠的结构的竖直存储器件已经在开发中。竖直存储器件通常可以包括与形成在竖直存储器件中的每一层上的存储单元电连接的布线。

技术实现思路

1、根据本发明构思的示例实施例，一种竖直存储器件包括：下焊盘图案，设置在衬底上；单元堆叠结构，设置在下焊盘图案上，其中，单元堆叠结构包括交替且重复堆叠的第一绝缘层和栅极图案，其中，单元堆叠结构在与衬底的上表面平行的第一方向上延伸，并且具有阶梯形状；贯通单元接触部，包括第一贯通部分和第一突起，其中，第一贯通部分在竖直方向上延伸并穿过单元堆叠结构的具有阶梯形状的部分，并且其中，第一突起从第一贯通部分突出并接触栅极图案中的与第一贯通部分相邻的最上面栅极图案的侧壁；以及第一绝缘图案，至少部分地围绕第一贯通部分的位于第一突起下方的侧壁，其中，从第一贯通部分起，在水平方向上第一绝缘图案比从第一贯通部分突出的第一突起长，并且其中，贯通单元接触部的第一突起的竖直厚度大于接触第一突起的最上面栅极图案的竖直厚度。

2、根据本发明构思的示例实施例，一种竖直存储器件包括：下电路图案，设置在衬底上；下焊盘图案，电连接到下电路图案；基底图案，设置在下焊盘图案上；单元堆叠结构，设置在基底图案上，其中，单元堆叠结构包括交替且重复堆叠的第一绝缘层和栅极图案，其中，单元堆叠结构在与衬底的上表面平行的第一方向上延伸，并且具有阶梯形状；沟道结构，延伸到基底图案并穿过单元堆叠结构；绝缘夹层，覆盖单元堆叠结构；贯通单元接触部，包括第一贯通部分和第一突起，其中，第一贯通部分在竖直方向上延伸到下焊盘图案并穿过绝缘夹层和单元堆叠结构中的具有阶梯形状的部分，并且其中，第一突起从第一贯通部分突出并接触栅极图案中的与第一贯通部分相邻的最上面栅极图案的侧壁；以及第一绝缘图案，至少部分地围绕第一贯通部分的位于第一突起下方的侧壁，其中，第一绝缘图案在第一方向上的长度大于从第一贯通部分突出的第一突起在第一方向上的长度，并且其中，第一突起和最上面栅极图案之间的接触部分与第一绝缘图案和栅极图案中的设置在最上面栅极图案下方的栅极图案之间的接触部分之间的水平距离为大约15nm或更多。

3、根据本发明构思的示例实施例，一种竖直存储器件包括：单元堆叠结构，设置在衬底上，其中，所述单元堆叠结构包括交替且重复堆叠的第一绝缘层和栅极图案，其中，所述单元堆叠结构在其边缘处具有阶梯形状，并且其中，所述栅极图案中的在所述边缘处暴露的最上面栅极图案的厚度大于所述栅极图案中的设置在所述最上面栅极图案下方的栅极图案的厚度；贯通单元接触部，包括第一贯通部分和第一突起，其中，第一贯通部分在竖直方向上延伸并穿过单元堆叠结构，并且其中，第一突起从第一贯通部分突出并接触与第一贯通部分相邻的最上面栅极图案的侧壁；以及第一绝缘图案，至少部分地围绕第一贯通部分的位于第一突起下方的侧壁，其中，第一绝缘图案接触设置在最上面栅极图案下方的栅极图案的侧壁，以及其中，第一突起和最上面栅极图案之间的接触部分与第一绝缘图案和设置在最上面栅极图案下方的栅极图案之间的接触部分之间的水平距离为大约15nm或更多。

技术特征：

1.一种竖直存储器件，包括：

2.根据权利要求1所述的竖直存储器件，其中，所述第一绝缘图案接触所述栅极图案中的设置在所述最上面栅极图案下方的栅极图案的侧壁。

3.根据权利要求1所述的竖直存储器件，其中，接触所述第一突起的最上面栅极图案的竖直厚度大于所述栅极图案中的设置在所述最上面栅极图案下方的栅极图案的竖直厚度。

4.根据权利要求1所述的竖直存储器件，其中，所述第一突起和所述最上面栅极图案之间的接触部分与所述第一绝缘图案和所述栅极图案中的设置在所述最上面栅极图案下方的栅极图案之间的接触部分之间的水平距离为15nm或更多。

5.根据权利要求1所述的竖直存储器件，其中，所述贯通单元接触部的第一突起具有围绕所述第一贯通部分的环形形状。

6.根据权利要求1所述的竖直存储器件，其中，接触所述贯通单元接触部的最上面栅极图案的底表面的至少一部分面对所述第一绝缘图案。

7.根据权利要求1所述的竖直存储器件，其中，所述贯通单元接触部的第一突起的端部接触所述最上面栅极图案，并且所述贯通单元接触部的侧壁接触绝缘材料。

8.根据权利要求1所述的竖直存储器件，其中，所述贯通单元接触部的第一突起突出超过接触所述第一突起的最上面栅极图案的上表面和下表面。

9.根据权利要求1所述的竖直存储器件，其中，所述贯通单元接触部的底表面接触所述下焊盘图案。

10.一种竖直存储器件，包括：

11.根据权利要求10所述的竖直存储器件，其中，所述贯通单元接触部的第一突起的竖直厚度大于接触所述第一突起的最上面栅极图案的竖直厚度。

12.根据权利要求10所述的竖直存储器件，其中，所述第一绝缘图案接触设置在所述最上面栅极图案下方的栅极图案的侧壁。

13.根据权利要求10所述的竖直存储器件，其中，接触所述第一突起的最上面栅极图案的竖直厚度大于设置在所述最上面栅极图案下方的栅极图案的竖直厚度。

14.根据权利要求10所述的竖直存储器件，其中，所述贯通单元接触部的第一突起突出超过接触所述第一突起的最上面栅极图案的上表面和下表面。

15.根据权利要求10所述的竖直存储器件，还包括设置在所述下焊盘图案上的保护图案，并且

16.根据权利要求10所述的竖直存储器件，其中，所述栅极图案包括金属，并且所述贯通单元接触部包括金属。

17.根据权利要求10所述的竖直存储器件，其中，所述贯通单元接触部的第一突起的端部接触所述最上面栅极图案，并且所述贯通单元接触部的侧壁接触绝缘材料。

18.一种竖直存储器件，包括：

19.根据权利要求18所述的竖直存储器件，其中，所述贯通单元接触部的第一突起的竖直厚度大于接触所述第一突起的最上面栅极图案的竖直厚度。

20.根据权利要求18所述的竖直存储器件，其中，所述第一突起在水平方向上的长度等于或小于所述第一突起和所述最上面栅极图案之间的接触部分与所述第一绝缘图案和设置在所述最上面栅极图案下方的栅极图案之间的接触部分之间的水平距离。

技术总结
一种竖直存储器件，包括：下焊盘图案，设置在衬底上；单元堆叠结构，设置在下焊盘图案上并包括第一绝缘层和栅极图案，其中，单元堆叠结构具有阶梯形状；贯通单元接触部，包括第一贯通部分和第一突起，其中，第一贯通部分穿过单元堆叠结构的一部分，并且其中，第一突起从第一贯通部分突出并接触栅极图案中的最上面栅极图案；以及第一绝缘图案，至少部分地围绕第一贯通部分的在第一突起下方的侧壁，其中，从第一贯通部分起，在水平方向上第一绝缘图案比第一突起长，并且其中，第一突起的竖直厚度大于最上面栅极图案的竖直厚度。

技术研发人员：安钟善,金承允,金希锡,朴芮珍,沈载煌
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/3/11