半导体存储器装置的制作方法

本发明是关于半导体存储器装置，特别是关于具有三维结构的动态随机存取存储器(dynamic random access memory；dram)

背景技术：

1、为了达成存储器单元整合度的改善，具有三维结构的dram成为了潜在的候选者，在其中存储器单元阵列沿垂直于基板的主表面的方向堆叠。

技术实现思路

1、在本发明的一些实施例中，提供了一种半导体存储器装置。半导体存储器装置包含基板、垂直堆叠于基板之上的多个膜层。多个膜层中的第一层包含主动区，该主动区沿平行于基板的顶表面的第一方向延伸。半导体存储器装置还包含第一导线，其沿垂直于基板的顶表面的第二方向垂直延伸，且贯穿主动区。半导体存储器装置还包含电容器，其包含设置于主动区之中的第一电极。

2、在本发明的一些实施例中，提供了一种半导体存储器装置。半导体存储器装置包含多个存储器单元晶体管，其垂直堆叠于基板之上。每个存储器单元晶体管皆包含主动区以及栅电极层。半导体存储器装置还包含第一导线，其沿垂直于基板的顶表面的第一方向垂直延伸，且贯穿主动区的第一源极/漏极区。半导体存储器装置还包含多个第二导线，其沿平行于基板的顶表面的第二方向延伸。每个第二导线皆电性连接至对应的栅电极层。

3、在本发明的一些实施例中，提供了一种半导体存储器装置。半导体存储器装置包含第一主动区，其包含沿第一方向依序排列的第一源极/漏极区、第一通道区、第二源极/漏极区、第二通道区以及第三源极/漏极区。半导体存储器装置还包含位线，其垂直贯穿且电性连接至第一主动区的第二源极/漏极区。半导体存储器装置还包含第一电容器，其设置于第一主动区的第一源极/漏极区之中；及第二电容器，其设置于第一主动区的第三源极/漏极区之中。

技术特征：

1.一种半导体存储器装置，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体存储器装置，其特征在于，该主动区包含一第一源极/漏极区、一通道区以及一第二源极/漏极区，且该第一导线贯穿该主动区的该第二源极/漏极区。

3.如权利要求2所述的半导体存储器装置，其特征在于，该第一层还包括：

4.如权利要求3所述的半导体存储器装置，其特征在于，该第一层更包括：

5.如权利要求2所述的半导体存储器装置，其特征在于，更包括：

6.如权利要求5所述的半导体存储器装置，其特征在于，该电容器包括一第二电极，该第二电极包含该主动区所包围的该第三导线的一部份，且在平面视角中，该第二电极位于该第一电极之内。

7.一种半导体存储器装置，其特征在于，包括：

8.如权利要求7所述的半导体存储器装置，其特征在于，更包括：

9.如权利要求8所述的半导体存储器装置，其特征在于，更包括：

10.如权利要求9所述的半导体存储器装置，其特征在于，每个所述电容器皆包含一电容介电层，且所述电容介电层系由沿该第一方向延伸的一连续介电管所制成，且该连续介电管具有与该介电层交接的一侧壁。

11.如权利要求7所述的半导体存储器装置，其特征在于，更包括：

12.如权利要求7所述的半导体存储器装置，其特征在于，在平面视角中，其中一个所述栅电极层的形状为l形。

13.一种半导体存储器装置，其特征在于，包括：

14.如权利要求13所述的半导体存储器装置，其特征在于，更包括：

15.如权利要求13所述的半导体存储器装置，其特征在于，更包括：

16.如权利要求13所述的半导体存储器装置，其特征在于，更包括：

17.如权利要求16所述的半导体存储器装置，其特征在于，更包括：

技术总结
一种半导体存储器装置，包含基板以及垂直堆叠于基板之上的多个膜层。多个膜层中的第一层，包含沿平行于基板的顶表面的第一方向延伸的主动区。半导体存储器装置还包含第一导线，其沿垂直于基板的顶表面的第二方向垂直延伸，且贯穿主动区。半导体存储器装置还包含电容器，其包含设置于主动区之中的第一电极。

技术研发人员：陈达,田中义典,池田典昭
受保护的技术使用者：华邦电子股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/27