半导体装置的制作方法

本发明涉及半导体装置。

背景技术：

1、在半导体装置中，为了提高集成度，要求进一步减小工艺尺寸，但伴随此，由于在形成于半导体装置的元件中产生的漏电流，省电性能降低的问题变得显著。

2、为了应对这样的问题，在专利文献1中，提出了在连接功能不同的多个半导体芯片并安装在一个封装中的半导体装置中，具备停止从一个半导体芯片向其他半导体芯片供应电源电压的切断单元的半导体集成电路。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开2008-183576号公报

技术实现思路

1、发明要解决的课题

2、近年来，为了省电化，实用化了在半导体装置内设定多个功率域并且能够对每个功率域切换电源供应的接通关断的半导体装置。

3、在连接有多个半导体芯片的半导体装置中，在工艺尺寸更小的半导体芯片上设定多个功率域的情况下，当在相同的半导体芯片内设置用于对每个功率域切换电源供应的接通关断的开关时，由于构成开关的元件的漏电流，产生省电性能降低的问题。

4、因此，考虑在工艺尺寸更大的半导体芯片上配置开关，抑制构成开关的元件的漏电流的影响。

5、但是，如果采用这样的方式，则由于需要按每个功率域设置用于在半导体芯片间连接电源供应线的连接端子，所以连接端子的数量增加，消耗半导体芯片的区域。

6、本发明基于上述情况，其目的在于提供一种半导体装置，其在连接有多个半导体芯片而成的半导体装置中，实现了省电化，并且抑制了芯片间的连接端子的数量。

7、用于解决课题的方案

8、第一方式的半导体装置是设定有多个功率域的第一芯片和漏电流小于所述第一芯片的第二芯片接合而成的半导体装置，其中，所述第一芯片具备多个个别开关和第一连接端子，所述多个个别开关设置在多个功率域中的每一个并且切换对功率域进行电源电压的供应的状态和不进行的状态，所述第一连接端子与所述多个个别开关共同连接，所述第二芯片具备第二连接端子和共同开关，所述第二连接端子连接到所述第一连接端子，所述共同开关设置在电源与所述第二连接端子之间并且切换对所述多个功率域共同进行电源电压的供应的状态和不进行的状态。

9、第二方式的半导体装置在第一方式的半导体装置中，所述第一芯片由第一工艺尺寸形成，所述第二芯片由大于所述第一工艺尺寸的第二工艺尺寸形成。

10、第三方式的半导体装置在第一方式或第二方式的半导体装置中，所述第一芯片在所述第一连接端子与所述多个个别开关之间具备用于从所述第一芯片的外部连接的外部连接端子。

11、发明效果

12、根据本发明的半导体装置，在连接有多个半导体芯片而成的半导体装置中，能够实现省电化，并且能够抑制芯片间的连接端子的数量。

技术特征：

1.一种半导体装置，其是设定有多个功率域的第一芯片和漏电流小于所述第一芯片的第二芯片接合而成的半导体装置，其中，

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

技术总结
本发明涉及半导体装置。提供了一种半导体装置，其在连接有多个半导体芯片而成的半导体装置中，实现了省电化，并且抑制了芯片间的连接端子的数量。在设定有多个功率域的第一芯片和第二芯片接合而成的半导体装置中，在第一芯片上具备按每个功率域设置的多个个别开关以及与多个个别开关共同连接的第一连接端子，在第二芯片上具备连接到第一连接端子的第二连接端子以及设置在电源和第二连接端子之间的共同开关。

技术研发人员：清水永吉
受保护的技术使用者：蓝碧石科技株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/4/7