本申请涉及缩延时,具体而言,涉及一种缩延时驱动电路与电子设备。
背景技术:
1、近年来随着半导体行业的兴起,越来越多的芯片相继推出,行业竞争也越来越激烈,锂电池保护领域更是如此。因此芯片成本越低,性价比越高才能让产品具有更强的竞争力。而在芯片的cp和ft测试阶段能提高测试良率缩短测试时间同样能提升产品竞争力。
2、但是在芯片cp测试阶段由于芯片某些功能有较长的保护延时,而当需要cp的芯片数量较多时就会耗费大量时间,进而增加了芯片成本延长了芯片的量产时间。
3、因此,为了缩短测试时间,一般芯片内还包括缩延时模块,缩延时模块一般需要特定的驱动信号,但目前的驱动电路一般较为复杂。
4、综上,现有技术中存在缩延时模块的驱动电路较为复杂的问题。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供缩延时驱动电路,以解决现有技术中存在的缩延时模块的驱动电路较为复杂的问题。
2、为了实现上述目的,本申请实施例采用的技术方案如下:
3、一方面,本申请实施例提供了一种缩延时驱动电路,所述缩延时驱动电路包括上拉模块、下拉模块、传输模块以及触发器,所述上拉模块、所述下拉模块均与所述传输模块电连接,所述上拉模块还连接电源,所述下拉模块还接地,所述传输模块与所述触发器电连接;其中,
4、当处于正常工作状态时,所述上拉模块关断,所述下拉模块导通,以通过所述传输模块向所述触发器输出低电平信号,所述触发器也输出低电平信号;
5、当处于缩延时状态时,所述上拉模块导通,以通过所述传输模块向所述触发器输出高电平信号,所述触发器也输出高电平信号。
6、可选地,所述上拉模块包括第一pmos管,第二pmos管以及pmos管组,所述pmos管组包括多个串联的二极管接法的pmos管,所述第一pmos管、所述第二pmos管的源极均连接电源,所述第一pmos管的栅极分别连接第一pmos管的漏极与所述第二pmos管的栅极,所述第一pmos管的漏极通过所述pmos管组接地,所述第二pmos管的漏极与所述传输模块的输入端电连接;其中,
7、当所述电源电压低于阈值时,所述缩延时驱动电路处于正常工作状态,所述第一pmos管与所述第二pmos管均关断;
8、当所述电源电压高于阈值时,所述缩延时驱动电路处于缩延时工作状态,所述第一pmos管导通,以使所述第二pmos管导通。
9、可选地,所述上拉模块还包括第三pmos管与连接单元,所述第三pmos管的源极连接电源,所述第三pmos管的栅极连接所述第一pmos管的栅极,所述第三pmos管的漏极与连接单元电连接,且所述连接单元与所述传输模块的输入端电连接。
10、可选地,所述连接单元还包括第四pmos管,所述传输模块包括第一反相器与第二反相器,第四pmos管的源极与所述第三pmos管的漏极电连接,所述第四pmos管的漏极与所述下拉模块均与所述第一反相器的输入端电连接,所述第四pmos管的栅极与所述第一反相器的输出端电连接,所述第一反相器的输出端还与所述第二反相器的输入端电连接,所述第二反相器的输出端与所述触发器电连接。
11、可选地,所述上拉模块的上拉能力大于所述下拉模块的下拉能力,当处于缩延时状态时,所述下拉模块也导通。
12、可选地,所述下拉模块包括第一nmos管,所述第一nmos管的源极接地,所述第一nmos管的漏极连接所述传输模块,所述第一nmos管的栅极输入偏置电压,并在处于正常工作状态与缩延时状态时均导通。
13、可选地,所述缩延时驱动电路还包括第二nmos管,所述第二nmos管的栅极与所述传输模块的输入端电连接,所述第二nmos管的源极与漏极均接地。
14、可选地,所述缩延时驱动电路还包括第三nmos管,所述第三nmos管的漏极与所述传输模块的输入端电连接,所述第三nmos管的源极接地,所述第三nmos管的栅极连接驱动信号。
15、可选地,所述触发器包括rs触发器,所述传输模块与所述rs触发器的s端电连接,所述rs触发器的r端用于接收低电平使能信号。
16、另一方面,本申请实施例还提供了一种电子设备,所述电子设备包括上述的缩延时驱动电路。
17、相对于现有技术,本申请具有以下有益效果:
18、本申请提供了一种缩延时驱动电路与电子设备,该缩延时驱动电路包括上拉模块、下拉模块、传输模块以及触发器,上拉模块、下拉模块均与传输模块电连接,上拉模块还连接电源,下拉模块还接地,传输模块与触发器电连接;其中,当处于正常工作状态时,上拉模块关断,下拉模块导通,以通过传输模块向触发器输出低电平信号,触发器也输出低电平信号;当处于缩延时状态时,上拉模块导通,以通过传输模块向触发器输出高电平信号,触发器也输出高电平信号。一方面,由于在正常状态时,该缩延时驱动电路可以输出低电平信号,而在处于缩延时状态时,可以输出高电平信号,因此实现了驱动信号的输出。另一方面,本申请提供的缩延时驱动电路中,电路结构相对简单,且器件数量相对较少,并且在正常工作状态下不会产生功耗,成本较低。
19、为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举较佳实施例,并配合所附附图,作详细说明如下。
1.一种缩延时驱动电路(100),其特征在于,所述缩延时驱动电路(100)包括上拉模块(110)、下拉模块(120)、传输模块(130)以及触发器(140),所述上拉模块(110)、所述下拉模块(120)均与所述传输模块(130)电连接,所述上拉模块(110)还连接电源,所述下拉模块(120)还接地,所述传输模块(130)与所述触发器(140)电连接;其中,
2.如权利要求1所述的缩延时驱动电路(100),其特征在于,所述上拉模块(110)包括第一pmos管(pm1),第二pmos管(pm2)以及pmos管组,所述pmos管组(111)包括多个串联的二极管接法的pmos管,所述第一pmos管(pm1)、所述第二pmos管(pm2)的源极均连接电源,所述第一pmos管(pm1)的栅极分别连接第一pmos管(pm1)的漏极与所述第二pmos管(pm2)的栅极,所述第一pmos管(pm1)的漏极通过所述pmos管组(111)接地,所述第二pmos管(pm2)的漏极与所述传输模块(130)的输入端电连接;其中,
3.如权利要求2所述的缩延时驱动电路(100),其特征在于,所述上拉模块(110)还包括第三pmos管(pm3)与连接单元,所述第三pmos管(pm3)的源极连接电源,所述第三pmos管(pm3)的栅极连接所述第一pmos管(pm1)的栅极,所述第三pmos管(pm3)的漏极与所述连接单元电连接,且所述连接单元与所述传输模块(130)的输入端电连接。
4.如权利要求3所述的缩延时驱动电路(100),其特征在于,所述连接单元包括第四pmos管(pm4),所述传输模块(130)包括第一反相器(131)与第二反相器(132),第四pmos管(pm4)的源极与所述第三pmos管(pm3)的漏极电连接,所述第四pmos管(pm4)的漏极与所述下拉模块(120)均与所述第一反相器(131)的输入端电连接,所述第四pmos管(pm4)的栅极与所述第一反相器(131)的输出端电连接,所述第一反相器(131)的输出端还与所述第二反相器(132)的输入端电连接,所述第二反相器(132)的输出端与所述触发器(140)电连接。
5.如权利要求1所述的缩延时驱动电路(100),其特征在于,所述上拉模块(110)的上拉能力大于所述下拉模块(120)的下拉能力,当处于缩延时状态时,所述下拉模块(120)也导通。
6.如权利要求5所述的缩延时驱动电路(100),其特征在于,所述下拉模块(120)包括第一nmos管(nm1),所述第一nmos管(nm1)的源极接地,所述第一nmos管(nm1)的漏极连接所述传输模块(130),所述第一nmos管(nm1)的栅极输入偏置电压,并在处于正常工作状态与缩延时状态时均导通。
7.如权利要求1所述的缩延时驱动电路(100),其特征在于,所述缩延时驱动电路(100)还包括第二nmos管(nm2),所述第二nmos管(nm2)的栅极与所述传输模块(130)的输入端电连接,所述第二nmos管(nm2)的源极与漏极均接地。
8.如权利要求1所述的缩延时驱动电路(100),其特征在于,所述缩延时驱动电路(100)还包括第三nmos管(nm3),所述第三nmos管(nm3)的漏极与所述传输模块(130)的输入端电连接,所述第三nmos管(nm3)的源极接地,所述第三nmos管(nm3)的栅极连接驱动信号。
9.如权利要求1所述的缩延时驱动电路(100),其特征在于,所述触发器(140)包括rs触发器,所述传输模块(130)与所述rs触发器的s端电连接,所述rs触发器的r端用于接收低电平使能信号。
10.一种电子设备,其特征在于,所述电子设备包括如权利要求1至9任一项所述的缩延时驱动电路(100)。