显示基板及显示装置的制作方法

本申请涉及显示面板，尤其涉及一种显示基板及显示装置。

背景技术：

1、硅基有机发光二极管(organic light-emitting diode，oled)显示基板具有自发光、低功耗、微型化和高分辨率等优点，在终端市场占比越来越高，其常应用于增强现实或虚拟现实设备中。

2、在相关技术中，通常需要在一块母板上制作多个显示基板，并在蒸镀和封装工艺完成后，将母板切割为若干个显示基板。传统切割道设计时，若切割道与切割道两侧的区域高度差较大，则会引起光刻胶的旋涂不均匀，进而可能会导致位于显示区的阳极段图形转移后各膜层厚度不均匀。最终会导致硅基oled产生斜纹mura，严重影响产品良率。

技术实现思路

1、有鉴于此，本申请的目的在于提出一种解决上述问题或至少部分解决上述问题的显示基板、及显示装置。

2、基于上述目的，本申请的第一方面，提供了一种显示基板，包括：

3、基底，所述基底包括显示区以及包围所述显示区的非显示区，以及位于所述非显示区的切割道；

4、其中，所述显示区包括绝缘层，所述切割道具有填充层，所述填充层与所述绝缘层相连，且所述填充层与所述绝缘层连接处的曲率连续变化。

5、可选的，所述绝缘层包括堆叠设置在所述基底上的至少两个子绝缘层，所述填充层包括堆叠设置在所述基底上的至少两个子填充层，所述至少两个子绝缘层与所述至少两个子填充层依次对应连接，且所述至少两个子绝缘层的总厚度与所述至少两个子填充层的总厚度相适应。

6、可选的，所述填充层远离所述基底的一侧形成朝向所述基底侧内凹的弧状结构，所述弧状结构的厚度不大于所述绝缘层的厚度。

7、可选的，在所述弧状结构远离所述基底的一侧上还涂覆有光刻胶，所述弧状结构朝向所述基底侧的内凹深度小于所述光刻胶的厚度。

8、可选的，所述填充层远离所述基底一侧的最低点，与所述绝缘层远离所述基底一侧且靠近所述填充层一侧的最高点间的垂直高度不大于0.5μm。

9、可选的，所述至少两个子绝缘层远离所述基底方向的长度依次递减。

10、可选的，任意相邻的所述至少两个子绝缘层沿水平方向的长度差值均等于预定数值。

11、可选的，所述填充层靠近所述基底一侧的长度不小于65μm。

12、可选的，所述填充层与所述绝缘层连接处的曲率为无穷大。

13、本申请的第二方面，提供了一种显示装置，包括如第一方面所述的显示基板。

14、从上面所述可以看出，本申请提供的显示基板及显示装置通过在非显示区的切割道内设置填充层，使得切割道与显示区的绝缘层间的高度差大大减小，进而可以使得光刻胶的涂抹更加均匀。最终可以避免硅基oled产生斜纹的情况，并极大地提高了产品的良率。

技术特征：

1.一种显示基板，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述绝缘层包括堆叠设置在所述基底上的至少两个子绝缘层，所述填充层包括堆叠设置在所述基底上的至少两个子填充层，所述至少两个子绝缘层与所述至少两个子填充层依次对应连接，且所述至少两个子绝缘层的厚度与所述至少两个子填充层的厚度相适应。

3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述填充层远离所述基底的一侧形成朝向所述基底侧内凹的弧状结构，所述弧状结构的厚度不大于所述绝缘层的厚度。

4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，在所述弧状结构远离所述基底的一侧上还涂覆有光刻胶，所述弧状结构朝向所述基底侧的内凹深度小于所述光刻胶的厚度。

5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述填充层远离所述基底一侧的最低点，与所述绝缘层远离所述基底一侧且靠近所述填充层一侧的最高点间的垂直高度不大于0.5μm。

6.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述至少两个子绝缘层远离所述基底方向的长度依次递减。

7.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，任意相邻的所述至少两个子绝缘层沿水平方向的长度差值均等于预定数值。

8.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述填充层靠近所述基底一侧的长度不小于65μm。

9.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述填充层与所述绝缘层连接处的曲率为无穷大。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-8任意一项所述的显示基板。

技术总结
本申请提供一种显示基板及显示装置，显示基板包括：基底，所述基底包括显示区以及包围所述显示区的非显示区，以及位于所述非显示区的切割道；其中，所述显示区包括绝缘层，所述切割道具有填充层，所述填充层与所述绝缘层相连，且所述填充层与所述绝缘层连接处的曲率连续变化。本说明书实施例所述的显示基板及显示装置可以解决因所述切割道与切割道两侧的区域高度差较大导致的OLED屏的斜纹问题。

技术研发人员：浦超,张大成,单庆山,陈小川,黄寅虎,杨盛际,卢鹏程,马召,张应兵,屈刘泽明,苏琦,谢卓洋
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15