一种双平衡有源混频器的制作方法

文档序号:36656384发布日期:2024-01-06 23:44阅读:25来源:国知局
一种双平衡有源混频器的制作方法

本发明涉及混频器,具体而言,涉及一种双平衡有源混频器。


背景技术:

1、混频器是输出信号频率等于两输入信号频率之和、差或为两者其他组合的电路。

2、混频器电路是无线通信发射机的核心电路之一,其在发射机中起着把基带频率转换到射频频率、提供一定的转换增益等重要的功能。但是随着集成电路工艺的发展,混频器的设计难度也在不断加大,比如传统的混频器通常会存在隔离度较差以及转换增益较低等问题。

3、因此亟需对混频器进行设计优化,解决其隔离度较差以及转换增益较低等问题。


技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种双平衡有源混频器,其可以解决其隔离度较差以及转换增益较低等问题。

2、本发明的实施例通过以下技术方案实现:

3、一种双平衡有源混频器,包括共源放大器、多个共栅放大器、开关级模块和巴伦模块;

4、共源放大器的输入端接差分输入信号,共源放大器的正输出端和负输出端分别连接第一共栅放大器的正输入端和负输入端;第一共栅放大器的正输出端和负输出端分别连接开关级模块的正输入端和负输入端,所述开关级模块的本振信号端连接差分本振信号,开关级模块的正输出端和负输出端分别连接第二共栅放大器的正输入端和负输入端,第二共栅放大器的正输出端和负输出端分别连接巴伦模块的正输入端和负输入端。

5、优选地,所述共源放大器包括第一nmos晶体管和第二nmos晶体管;

6、所述第一nmos晶体管的源极和所述第二nmos晶体管的源极共同接地;所述第一nmos晶体管的栅极接所述差分输入信号的正端,所述第二nmos晶体管的栅极接所述差分输入信号的负端;所述第一nmos晶体管的漏极和所述第二nmos晶体管的漏极分别为所述共源放大器的正输出端和负输出端。

7、优选地,所述第一共栅放大器包括第三nmos晶体管和第四nmos晶体管;

8、所述第三nmos晶体管的源极和所述第四nmos晶体管的源极分别为所述第一共栅放大器的正输入端和负输入端;所述第三nmos晶体管的栅极和所述第二nmos晶体管的栅极共同接偏置电压;所述第三nmos晶体管的漏极和所述第四nmos晶体管的漏极分别为所述第一共栅放大器的正输出端和负输出端。

9、优选地,所述开关级模块包括第五nmos晶体管、第六nmos晶体管、第七nmos晶体管和第八nmos晶体管;

10、第五nmos晶体管的源极和第六nmos晶体管的源极共同作为所述开关级模块的正输入端,第七nmos晶体管的源极和第八nmos晶体管的源极共同作为所述开关级模块的负输入端;第六nmos晶体管的栅极和第七nmos晶体管的栅极共同连接差分本振信号的负端;第五nmos晶体管的栅极和第八nmos晶体管的栅极共同连接差分本振信号的正端;第五nmos晶体管的漏极和第七nmos晶体管的漏极共同作为所述开关级模块的正输出端,第六nmos晶体管的漏极和第八nmos晶体管的漏极共同作为所述开关级模块的负输出端。

11、优选地,所述差分本振信号由本地振荡器或外部时钟提供。

12、优选地,所述第二共栅放大器包括第九nmos晶体管和第十nmos晶体管;

13、所述第九nmos晶体管的源极和所述第十nmos晶体管的源极分别为所述第二共栅放大器的正输入端和负输入端;所述第九nmos晶体管的栅极和所述第十nmos晶体管的栅极共同接偏置电压;所述第九nmos晶体管的漏极和所述第十nmos晶体管的漏极分别为所述第二共栅放大器的正输出端和负输出端。

14、优选地,包括电源模块,所述电源模块连接到所述巴伦模块为所述双平衡有源混频器供电。

15、优选地,所述电源模块采用外部电源或内部电源。

16、本发明实施例的技术方案至少具有如下优点和有益效果:

17、本发明在共源放大器与开关级之间设置了第一共栅放大器,以增加混频器电路的输入跨导以进一步地增大电路的转换增益;

18、本发明设置的第一共栅放大器也减小了本振信号馈入输入端的能力,即增大了本振到输入端的隔离度;

19、本发明设置的第二共栅放大器可以减小本振信号馈入输出端的能力,进一步增大了本振到输出端的隔离度;

20、本发明为有源混频器,且电源模块通过巴伦模块进行供电,在巴伦模块上不存在电压降;

21、本发明设计合理、结构简单,具备很高的性价比,便于实施和推广。



技术特征:

1.一种双平衡有源混频器,其特征在于,包括共源放大器、多个共栅放大器、开关级模块和巴伦模块;

2.根据权利要求1所述的一种双平衡有源混频器,其特征在于,所述共源放大器包括第一nmos晶体管和第二nmos晶体管;

3.根据权利要求2所述的一种双平衡有源混频器,其特征在于,所述第一共栅放大器包括第三nmos晶体管和第四nmos晶体管;

4.根据权利要求1所述的一种双平衡有源混频器,其特征在于,所述开关级模块包括第五nmos晶体管、第六nmos晶体管、第七nmos晶体管和第八nmos晶体管;

5.根据权利要求4所述的一种双平衡有源混频器,其特征在于,所述差分本振信号由本地振荡器或外部时钟提供。

6.根据权利要求1所述的一种双平衡有源混频器,其特征在于,所述第二共栅放大器包括第九nmos晶体管和第十nmos晶体管;

7.根据权利要求1所述的一种双平衡有源混频器,其特征在于,包括电源模块,所述电源模块连接到所述巴伦模块为所述双平衡有源混频器供电。

8.根据权利要求7所述的一种双平衡有源混频器,其特征在于,所述电源模块采用外部电源或内部电源。


技术总结
本发明提供了一种双平衡有源混频器,涉及混频器技术领域,其目的是解决混频器隔离度较差以及转换增益较低等问题,包括共源放大器、多个共栅放大器、开关级模块和巴伦模块;共源放大器的输入端接差分输入信号,共源放大器的正输出端和负输出端分别连接第一共栅放大器的正输入端和负输入端;第一共栅放大器的正输出端和负输出端分别连接开关级模块的正输入端和负输入端,所述开关级模块的本振信号端连接差分本振信号,开关级模块的正输出端和负输出端分别连接第二共栅放大器的正输入端和负输入端,第二共栅放大器的正输出端和负输出端分别连接巴伦模块的正输入端和负输入端。本发明具有隔离度强、转换增益高的优点。

技术研发人员:杨定坤,邹浩,马桂林,耿建强
受保护的技术使用者:成都振芯科技股份有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/15
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