本申请涉及谐振器,例如涉及一种能提升插损的声表面波谐振器、mems设备。
背景技术:
1、由于声表面波谐振器具备优越的温度稳定性,使得声表面波谐振器被广泛应用。但是,由于各种谐波的影响,导致声表面波谐振器的通带内的插损会出现很多的起伏,严重时甚至会导致插损的恶化。由此,如何提升声表面波谐振器的插损功能,亟待解决。
技术实现思路
1、为了对披露的实施例的一些方面有基本的理解,下面给出了简单的概括。所述概括不是泛泛评述,也不是要确定关键/重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围,而是作为后面的详细说明的序言。
2、本发明实施例提供一种能提升插损的声表面波谐振器、mems设备,以提升声表面波谐振器的插损功能。
3、在一些实施例中,声表面波谐振器,包括:压电衬底,用于声电换能;压电衬底的外表面设置有叉指电极结构;叉指电极结构,通过施加电压以激励声电换能;第一温度补偿层,包裹叉指电极结构;多个金属条,设置在第一温度补偿层上;各金属条均设置于叉指电极结构的电极指末端区域,且至少部分金属条的长度不一致。
4、在一些实施例中,声表面波谐振器还包括:第一钝化层,设置在金属条和未被金属条覆盖的第一温度补偿层上。
5、在一些实施例中,声表面波谐振器还包括:第二温度补偿层,设置在第一钝化层远离金属条的一侧。
6、在一些实施例中,第一温度补偿层设置有第一通孔;第二温度补偿层设置有第二通孔;第一钝化层设置有第三通孔;第一通孔、第二通孔和第三通孔连通,暴露出叉指电极结构的汇流条;声表面波谐振器还包括:金属层,金属层通过第一通孔、第二通孔和第三通孔连接叉指电极结构的汇流条。
7、在一些实施例中,声表面波谐振器还包括:第二钝化层,设置在第二温度补偿层和金属层上。
8、在一些实施例中,金属条的长度通过以下方式获得:计算(n+1/2)×l,获得金属条的长度;n为正整数;l为谐波频率对应的声波长。
9、在一些实施例中,压电衬底由铌酸锂晶体、钽酸锂晶体、氮化铝、氧化锌或压电陶瓷制成。
10、在一些实施例中,金属条由钛、铬、银、铜、钼、铂、钨和铝中的一种或多种金属构成。
11、在一些实施例中,在声表面波谐振器具有多个谐波频率的情况下,通过将各谐波频率分别对应的声波长带入公式n×l,获得多个第二金属条长度,通过将各谐波频率分别对应的声波长带入公式p×l,获得金属条宽度,p为设定的参数,l为谐波频率对应的声波长,n为正整数。
12、在一些实施例中,mems设备包括上述的声表面波谐振器。
13、在一些实施例中,mems设备包括液位传感器、振荡器、麦克风、射频开关或滤波器。
14、本发明实施例提供一种能提升插损的声表面波谐振器、mems设备。可以实现以下技术效果:通过设置用于声电换能的压电衬底,在压电衬底的外表面设置通过施加电压以激励声电换能的叉指电极结构。设置第一温度补偿层包裹叉指电极结构。并在第一温度补偿层上设置多个金属条,各金属条均位于叉指电极结构的电极指末端区域,且至少部分金属条的长度不一致。这样,通过在叉指电极结构的电极指末端区域设置长度不一致的金属条,能够实现对不同谐波的抑制,从而提升声表面波谐振器的插损功能。
15、以上的总体描述和下文中的描述仅是示例性和解释性的,不用于限制本申请。
1.一种能提升插损的声表面波谐振器,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的声表面波谐振器,其特征在于,声表面波谐振器还包括:
3.根据权利要求2所述的声表面波谐振器,其特征在于,声表面波谐振器还包括:
4.根据权利要求3所述的声表面波谐振器,其特征在于,第一温度补偿层设置有第一通孔;第二温度补偿层设置有第二通孔;第一钝化层设置有第三通孔;第一通孔、第二通孔和第三通孔连通,暴露出叉指电极结构的汇流条;声表面波谐振器还包括:
5.根据权利要求4所述的声表面波谐振器,其特征在于,声表面波谐振器还包括:
6.根据权利要求1至5任一项所述的声表面波谐振器,其特征在于,金属条的长度通过以下方式获得:计算(n+1/2)×l,获得金属条的长度;n为正整数;l为谐波频率对应的声波长。
7.根据权利要求1至5任一项所述的声表面波谐振器,其特征在于,压电衬底由铌酸锂晶体、钽酸锂晶体、氮化铝、氧化锌或压电陶瓷制成,金属条由钛、铬、银、铜、钼、铂、钨和铝中的一种或多种金属构成。
8.根据权利要求1至5任一项所述的声表面波谐振器,其特征在于,在声表面波谐振器具有多个谐波频率的情况下,通过将各谐波频率分别对应的声波长带入公式n×l,获得多个第二金属条长度,通过将各谐波频率分别对应的声波长带入公式p×l,获得金属条宽度,p为设定的参数,l为谐波频率对应的声波长,n为正整数。
9.一种mems设备,其特征在于,所述mems设备包括如权利要求1至8任一项所述的声表面波谐振器。
10.根据权利要求9所述的mems设备,其特征在于,mems设备包括液位传感器、振荡器、麦克风、射频开关或滤波器。