存储器的芯片封装结构及存储装置的制作方法

文档序号:37345607发布日期:2024-03-18 18:20阅读:10来源:国知局
存储器的芯片封装结构及存储装置的制作方法

本发明涉及芯片封测,特别涉及一种存储器的芯片封装结构及应用该芯片封装结构的存储装置。


背景技术:

1、随着人们生活水准的不断提高,人们对物质生活的要求也不断提高,作为人们物质生活中重要一环的电子产品也需应对人们不同的要求作出改变,例如更轻和更薄等各种要求,这对于电子产品中微电子封装的技术提出了挑战。

2、多芯片堆叠技术是应用在存储器的三维立体封装中的基本技术,多芯片堆叠技术影响着电子产品多元件的集成程度,从而直接或间接影响了电子产品的尺寸,应用多芯片堆叠技术的载体通常成为封装基板,可为芯片提供电连接、保护、支撑、散热等功效。

3、在现有的存储器的芯片封装结构中,封装载体一般为刚性基板,通过至少两个刚性基板之间设置多种芯片器件,而两刚性基板之间采用键合线进行互连,键合线线径较小,感抗较大,容易影响电源和信号的完整性。


技术实现思路

1、本发明的主要目的在于提出一种存储器的芯片封装结构,旨在解决现有技术中存储器的芯片封装结构中两刚性基板之间采用键合线进行互连,键合线线径较小,感抗较大,容易影响电源和信号的完整性的技术问题。

2、为实现上述目的,本发明提出一种存储器的芯片封装结构,包括第一基板、第二基板和柔性连接板,其中:

3、所述第一基板与所述第二基板通过所述柔性连接板电连接,所述第一基板为刚性基板,所述第一基板朝向所述第二基板的一侧设置有若干芯片器件。

4、在一些实施例中,所述第二基板与相邻的所述芯片器件电连接。

5、在一些实施例中,所述第二基板与相邻的所述芯片器件通过键合线连接。

6、在一些实施例中,与所述第二基板相邻的所述芯片器件远离所述第二基板的一侧设置有fow层。

7、在一些实施例中,与所述第二基板相邻的所述芯片器件靠近所述第二基板的一侧设置有重布线层,所述第二基板通过重布线层与所述芯片器件电连接。

8、在一些实施例中,所述芯片器件上具有通孔,所述第二基板通过通孔与所述芯片器件电连接。

9、所述第二基板为柔性基板,所述柔性连接板与所述第二基板一体成型。

10、在一些实施例中,所述芯片器件通过smt回流焊贴装扇出信号。

11、在一些实施例中,所述芯片器件通过金线键合技术键合扇出信号。

12、进一步地,本发明还提出一种存储装置,包括前述记载的所述的存储器的芯片封装结构。

13、本发明方案中,通过第一基板、第二基板和柔性连接板的设置,若干芯片器件竖直堆叠设置于第一基板朝向第二基板的一侧,该设置方式代替了传统的平铺设置的芯片封装的设置方式,竖直堆叠设置于第一基板上的芯片器件比平铺与第一基板上的芯片器件的设置方式占用的平面空间小,节省大量平面空间。实现了芯片封装的高密封装和小型化,且利用柔性电路板代替原有的键合线将第一基板和第二基板电性互连,本发明存储器的芯片封装结构有效降低了键合线两者互连的线路感抗,有效保护了电源和信号的完整性。



技术特征:

1.一种存储器的芯片封装结构,其特征在于,包括第一基板、第二基板和柔性连接板,其中:

2.根据权利要求1所述的存储器的芯片封装结构,其特征在于,所述第二基板与相邻的所述芯片器件电连接。

3.根据权利要求2中所述的存储器的芯片封装结构,其特征在于,所述第二基板与相邻的所述芯片器件通过键合线连接。

4.根据权利要求3所述的存储器的芯片封装结构,其特征在于,与所述第二基板相邻的所述芯片器件远离所述第二基板的一侧设置有fow层。

5.根据权利要求3所述的存储器的芯片封装结构,其特征在于,与所述第二基板相邻的所述芯片器件靠近所述第二基板的一侧设置有重布线层,所述第二基板通过重布线层与所述芯片器件电连接。

6.根据权利要求2中所述的存储器的芯片封装结构,其特征在于,所述芯片器件上具有通孔,所述第二基板通过通孔与所述芯片器件电连接。

7.根据权利要求2所述的存储器的芯片封装结构,其特征在于,所述第二基板为柔性基板,所述柔性连接板与所述第二基板一体成型。

8.根据权利要求1所述的存储器的芯片封装结构,其特征在于,所述芯片器件通过smt回流焊贴装扇出信号。

9.根据权利要求1所述的存储器的芯片封装结构,其特征在于,所述芯片器件通过金线键合技术键合扇出信号。

10.一种存储装置,其特征在于,包括权利要求1至9任一项所述的存储器的芯片封装结构。


技术总结
本发明公开一种存储器的芯片封装结构,包括第一基板、第二基板和柔性连接板,第一基板与第二基板通过柔性连接板电连接,第一基板为刚性基板,第一基板朝向第二基板的一侧设置有若干芯片器件。本发明存储器的芯片封装结构实现有效节省芯片封装结构的布局面积,且实现了高密封装的小型化,有效降低键合线互连线路感抗。

技术研发人员:孙成思,何瀚,王灿,庞丽春
受保护的技术使用者:深圳佰维存储科技股份有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/3/17
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