一种低温陶瓷电源外壳及制作方法与流程

文档序号:37337303发布日期:2024-03-18 18:03阅读:10来源:国知局
一种低温陶瓷电源外壳及制作方法与流程

本申请涉及军用产品领域,尤其涉及一种低温陶瓷电源外壳及制作方法。


背景技术:

1、伴随着电子系统功能多元化、集成化、系统化、小型化的发展趋势,要求配套的电源模块需具备高功率密度、多通道、小体积、轻量化的特点。电源类微模块用陶瓷外壳具有高散热、低电阻、易于加工、集成度高、可靠性高等特点,可广泛应用于雷达通讯、车载、数据链、弹载等军民领域。

2、随着大规模超大规模集成电路芯片的工艺集成度越来越高,电源供电的电压不断降低(5.5v,3.3v,1.5v,1.1v),电源的供电的稳定性要求越来越高。同时集成化的整机模块小型化大功率对供电传输效率和稳定性需求也在增加。大电流的需求导致传输路径上热越来越集中,热流密度也不断提高,如何传输路径上的低损耗,高散热一直为行业的热门研究课题。


技术实现思路

1、本申请提供了一种低温陶瓷电源外壳及制作方法,以解决现有技术中塑封电源模块的电压损耗较高的问题。

2、第一方面,本申请提供了一种低温陶瓷电源外壳,包括:瓷体和封接环;所述瓷体的材质为低温陶瓷;所述封接环的材质为金属;

3、所述瓷体包括输入端口和输出端口;

4、所述瓷体内设有电源芯片,所述电源芯片的输入引脚通过所述输入端口与外界电源电连接,所述电源芯片的输出引脚通过所述输出端口与外界设备电连接;

5、所述封接环设于所述瓷体之上,并与所述瓷体形成环状结构。

6、第二方面,本申请提供了一种低温陶瓷电源外壳制作方法,包括:

7、获取预设工艺环境下的氧化铝瓷件和金属零件;

8、将所述氧化铝瓷件和所述金属零件在预设工艺温度下进行钎焊,得到钎焊后的氧化铝瓷件;

9、对钎焊后的氧化铝瓷件进行镀金处理,得到电源芯片的低温陶瓷外壳,所述低温陶瓷外壳包括瓷体和封接环。

10、本申请提供一种低温陶瓷电源外壳及制作方法,外壳包括瓷体和封接环;瓷体的材质为低温陶瓷;封接环的材质为金属;瓷体包括输入端口和输出端口;瓷体内设有电源芯片,电源芯片的输入引脚通过输入端口与外界电源电连接,电源芯片的输出引脚通过输出端口与外界设备电连接;封接环设于瓷体之上,并与瓷体形成环状结构。本申请由于瓷体材质为低温陶瓷,且低温陶瓷具有较高的气密性和可靠性,且由于封接环的材质为金属,将电源芯片放入低温陶瓷电源外壳内,使得外界电源在进入低温陶瓷电源外壳时的电能与输出低温陶瓷电源外壳后的电能之间的损耗降到最低,提高了电能的传输效率,并且由于低温陶瓷的高气密性和高可靠性,本申请可以广泛应用于军用产品领域。



技术特征:

1.一种低温陶瓷电源外壳,其特征在于,包括:瓷体和封接环;所述瓷体的材质为低温陶瓷;所述封接环的材质为金属;

2.根据权利要求1所述的低温陶瓷电源外壳,其特征在于,所述瓷体内侧设置有多对导体,且各对导体内部电连接;

3.根据权利要求2所述的低温陶瓷电源外壳,其特征在于,所述导体包括电阻、电容和电感。

4.根据权利要求3所述的低温陶瓷电源外壳,其特征在于,所述电感高度大于预设厚度,所述预设厚度小于所述电源芯片的最小厚度。

5.根据权利要求1所述的低温陶瓷电源外壳,其特征在于,所述瓷体包括至少两路输入端口和输出端口。

6.根据权利要求2所述的低温陶瓷电源外壳,其特征在于,所述导体的材质为金、银或者铜。

7.一种低温陶瓷电源外壳制作方法,其特征在于,包括:

8.根据权利要求7所述的低温陶瓷电源外壳制作方法,其特征在于,所述获取预设工艺环境下的氧化铝瓷件,包括:

9.根据权利要求7所述的低温陶瓷电源外壳制作方法,其特征在于,所述瓷体包括多对导体;对钎焊后的氧化铝瓷件进行镀金处理,得到瓷体,包括:

10.根据权利要求7所述的低温陶瓷电源外壳制作方法,其特征在于,在所述对钎焊后的氧化铝瓷件进行镀金处理,得到电源芯片的低温陶瓷外壳之后,所述方法还包括:


技术总结
本申请提供一种低温陶瓷电源外壳及制作方法。该外壳包括:瓷体和封接环;瓷体的材质为低温陶瓷;封接环的材质为金属;瓷体包括输入端口和输出端口;瓷体内设有电源芯片,电源芯片的输入引脚通过输入端口与外界电源电连接,电源芯片的输出引脚通过输出端口与外界设备电连接;封接环设于瓷体之上,并与瓷体形成环状结构。本申请能够使得外界电源在进入低温陶瓷电源外壳时的电能与输出低温陶瓷电源外壳后的电能之间的损耗降到最低,提高电能的传输效率。

技术研发人员:李航舟,杨振涛,段强,陈江涛,刘林杰,于斐,张会欣,郭志伟,刘洋,刘冰倩,任昊迪,李含,成家皓
受保护的技术使用者:中国电子科技集团公司第十三研究所
技术研发日:
技术公布日:2024/3/17
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