一种显示基板及显示装置的制作方法

本公开属于显示，具体涉及一种显示基板及显示装置。

背景技术：

1、随着oled产业的不断发展，一些提升oled性能的新技术层出不穷，其中双叠层器件结构便是其中之一。叠层器件是通过连接层互相串联叠加而形成的一种高效率显示基板结构。相比单层器件，双叠层的显示基板具有发光效率更高，寿命更长等一系列优点，但由于叠层器件是串联了两个发光单元，所以它的驱动电压比传统的单层器件大大增加，这一点将会阻碍产品的功耗进一步降低。

技术实现思路

1、本公开旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种显示基板及显示装置。

2、第一方面，本公开提供了一种显示基板，其包括衬底基板，以及设置在所述衬底基板上的多个有机电致发光二极管；其中，所述有机电致发光二极管包括：

3、第一电极层和第二电极层，依次设置在所述衬底基板上；

4、至少两层发光层，叠置在所述第一电极层和所述第二电极层之间；

5、n型电荷产生层和p型电荷产生层，任意两相邻设置的所述发光层之间设置有叠层设置的所述n型电荷产生层和所述p型电荷产生层，所述n型电荷产生层掺杂有金属镱；

6、所述显示基板还包括辅助电极层，所述n型电荷产生层和所述p型电荷产生层中的至少一者与所述辅助电极层直接接触，且在所述衬底基板上的正投影覆盖所述辅助电极层在所述衬底基板上的正投影。

7、优选的是，各所述有机电致发光二极管中同层设置的所述n型电荷产生层为一体结构，同层设置的所述p型电荷产生层为一体结构；所述辅助电极层位于相邻设置的所述n型电荷产生层和所述p型电荷产生层之间。

8、优选的是，所述显示基板还包括像素限定层；所述辅助电极层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述像素限定层在所述衬底基板上的正投影。

9、优选的是，所述显示基板还包括像素限定层；所述像素限定层包括与所述有机电致发光二极管一一对应设置的容纳部；所述辅助电极层在所述衬底基板上的正投影与所述容纳部在所述衬底基板上的正投影无重叠。

10、优选的是，所述辅助电极层包括多个第一子电极，任意相邻行所述有机电致发光二极管在所述衬底基板上的正投影具有第一间隙，一个所述第一子电极在所述衬底基板上的正投影位于一个所述第一间隙内；和/或，

11、所述辅助电极层包括多个第二子电极，任意相邻列所述有机电致发光二极管在所述衬底基板上的正投影具有第二间隙，一个所述第二子电极在所述衬底基板上的正投影位于一个所述第二间隙内。

12、优选的是，所述辅助电极层包括多个第一子电极；在行方向上任意相邻设设置的所述有机电致发光二极管在所述衬底基板上的正投影具有第三间隙；一个所述第一子电极在所述衬底基板上的正投影位于一个所述第三间隙内。

13、优选的是，所述辅助电极层包括多个第一子电极；在列方向上任意相邻设设置的所述有机电致发光二极管在所述衬底基板上的正投影具有第四间隙；一个所述第一子电极在所述衬底基板上的正投影位于一个所述第四间隙内。

14、优选的是，所述辅助电极层包括多个第一子电极，任意相邻行所述有机电致发光二极管在所述衬底基板上的正投影具有第五间隙，一个所述第一子电极在所述衬底基板上的正投影位于一个所述第五间隙内；

15、每个所述第一子电极包括多个电极块，所述电极块与所述有机电致发光二极管交替设置。

16、优选的是，所述辅助电极层位于n型电荷产生层和所述像素限定层之间。

17、优选的是，所述显示基板还包括像素限定层；所述辅助电极层与所述第一电极层同层设置，n型电荷产生层通过贯穿所述像素限定层的第一通槽与所述辅助电极层接触。

18、优选的是，在第一电极层靠近所述衬底基板的一侧设置有第一层间绝缘层，所述第一层间绝缘层包括多个第一开口，每个所述有机电致发光二极管和与之相邻设置的所述有机电致发光二极管在所述衬底基板上的正投影之间，具有至少一个所述第一开口在所述衬底基板上的正投影；所述显示基板还包括像素限定层，所述像素限定层包括与所述有机电致发光二极管一一对应的容纳部，以及第一通槽，第一通槽与所述第一开口一一对应设置，且对应设置的所述第一开口和所述第一通槽连通形成隔离部；

19、所述辅助电极层位于所述像素限定层和所述n型电荷产生层之间，所述n型电荷产生层、所述p型电荷产生层、所述第二电极层和所述辅助电极层，在所述隔离部的位置断开；所述辅助电极层与所述容纳部在所述衬底基板上的正投影无重叠。

20、优选的是，在第一电极层靠近所述衬底基板的一侧设置有第一层间绝缘层，所述第一层间绝缘层包括多个第一开口，每个所述有机电致发光二极管和与之相邻设置的所述有机电致发光二极管在所述衬底基板上的正投影之间，具有至少一个所述第一开口在所述衬底基板上的正投影，所述显示基板还包括像素限定层，所述像素限定层包括与所述有机电致发光二极管一一对应的容纳部，以及第一通槽，第一通槽与所述第一开口一一对应设置，且对应设置的第一开口和所述第一通槽连通形成隔离部；

21、所述辅助电极层位于所述n型电荷产生层和所述p型电荷产生层之间，所述n型电荷产生层、所述p型电荷产生层、所述第二电极层和所述辅助电极层，在所述隔离部的位置断开；所述辅助电极层与所述容纳部在所述衬底基板上的正投影无重叠。

22、优选的是，所述显示基板还包括像素限定层，所述像素限定层包括与所述有机电致发光二极管一一对应的容纳部，以及第一通槽；所述辅助电极层位于所述n型电荷产生层和所述p型电荷产生层之间。

23、优选的是，所述辅助电极层厚度不大于10纳米。

24、优选的是，所述辅助电极层的能级大于n型电荷产生层的最低未占用分子轨道lumo能级，且所述辅助电极层的能级小于p型电荷产生层的最高占用分子轨道homo能级。

25、优选的是，所述辅助电极层的的功函数在-4ev～-6ev之间。

26、优选的是，所述辅助电极层的材料包括氧化铟锡、氧化锌、铝掺杂的氧化锌、金、聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩衍生物中的任意一种。

27、优选的是，所述辅助电极层包括沿背离所述衬底基板方向依次设置的导电层和第二层间绝缘层。

28、优选的是，所述第二层间绝缘层包括二氧化硅、碳纤维、氟化锂中的任意一种。

29、第二方面，本公开还提供一种显示装置，包括上述的显示基板。

技术特征：

1.一种显示基板，其包括衬底基板，以及设置在所述衬底基板上的多个有机电致发光二极管；其中，所述有机电致发光二极管包括：

2.根据权利要求1所述的显示基板，其中，各所述有机电致发光二极管中同层设置的所述n型电荷产生层为一体结构，同层设置的所述p型电荷产生层为一体结构；所述辅助电极层位于相邻设置的所述n型电荷产生层和所述p型电荷产生层之间。

3.根据权利要求2所述的显示基板，其中，所述显示基板还包括像素限定层；所述辅助电极层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述像素限定层在所述衬底基板上的正投影。

4.根据权利要求2所述的显示基板，其中，所述显示基板还包括像素限定层；所述像素限定层包括与所述有机电致发光二极管一一对应设置的容纳部；所述辅助电极层在所述衬底基板上的正投影与所述容纳部在所述衬底基板上的正投影无重叠。

5.根据权利要求4所述的显示基板，其中，所述辅助电极层包括多个第一子电极，任意相邻行所述有机电致发光二极管在所述衬底基板上的正投影具有第一间隙，一个所述第一子电极在所述衬底基板上的正投影位于一个所述第一间隙内；和/或，

6.根据权利要求4所述的显示基板，其中，所述辅助电极层包括多个第一子电极；在行方向上任意相邻设设置的所述有机电致发光二极管在所述衬底基板上的正投影具有第三间隙；一个所述第一子电极在所述衬底基板上的正投影位于一个所述第三间隙内；

7.根据权利要求4所述的显示基板，其中，所述辅助电极层包括多个第二子电极；在列方向上任意相邻设设置的所述有机电致发光二极管在所述衬底基板上的正投影具有第四间隙；一个所述第二子电极在所述衬底基板上的正投影位于一个所述第四间隙内；

8.根据权利要求4所述的显示基板，其中，所述辅助电极层包括多个第一子电极，任意相邻行或列所述有机电致发光二极管在所述衬底基板上的正投影具有第五间隙，一个所述第一子电极在所述衬底基板上的正投影位于一个所述第五间隙内；

9.根据权利要求4所述的显示基板，其中，所述辅助电极层位于n型电荷产生层和所述像素限定层之间。

10.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述显示基板还包括像素限定层；所述辅助电极层与所述第一电极层同层设置，n型电荷产生层通过贯穿所述像素限定层的第一通槽与所述辅助电极层接触。

11.根据权利要求1所述的显示基板，其中，在第一电极层靠近所述衬底基板的一侧设置有第一层间绝缘层，所述第一层间绝缘层包括多个第一开口，每个所述有机电致发光二极管和与之相邻设置的所述有机电致发光二极管在所述衬底基板上的正投影之间，具有至少一个所述第一开口在所述衬底基板上的正投影；所述显示基板还包括像素限定层，所述像素限定层包括与所述有机电致发光二极管一一对应的容纳部，以及第一通槽，第一通槽与所述第一开口一一对应设置，且对应设置的所述第一开口和所述第一通槽连通形成隔离部；

12.根据权利要求1所述的显示基板，其中，在第一电极层靠近所述衬底基板的一侧设置有第一层间绝缘层，所述第一层间绝缘层包括多个第一开口，每个所述有机电致发光二极管和与之相邻设置的所述有机电致发光二极管在所述衬底基板上的正投影之间，具有至少一个所述第一开口在所述衬底基板上的正投影，所述显示基板还包括像素限定层，所述像素限定层包括与所述有机电致发光二极管一一对应的容纳部，以及第一通槽，第一通槽与所述第一开口一一对应设置，且对应设置的第一开口和所述第一通槽连通形成隔离部；

13.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述显示基板还包括像素限定层，所述像素限定层包括与所述有机电致发光二极管一一对应的容纳部，以及第一通槽；所述辅助电极层位于所述n型电荷产生层和所述p型电荷产生层之间。

14.根据权利要求1-13任一项所述的显示基板，其中，所述辅助电极层厚度不大于10纳米。

15.根据权利要求1-13任一项所述的显示基板，其中，所述辅助电极层的能级大于n型电荷产生层的最低未占用分子轨道lumo能级，且所述辅助电极层的能级小于p型电荷产生层的最高占用分子轨道homo能级。

16.根据权利要求1-13任一项所述的显示基板，其中，所述辅助电极层的的功函数在-4ev～-6ev之间。

17.根据权利要求1-13任一项所述的显示基板，其中，所述辅助电极层的材料包括氧化铟锡、氧化锌、铝掺杂的氧化锌、金、聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩衍生物中的任意一种。

18.根据权利要求1-13任一项所述的显示基板，其中，所述辅助电极层包括沿背离所述衬底基板方向依次设置的导电层和第二层间绝缘层。

19.根据权利要求18所述的显示基板，其中，所述第二层间绝缘层包括二氧化硅、碳纤维、氟化锂中的任意一种。

20.一种显示装置，其特征在于，包括根据权利要求1至19任一项所述的显示基板。

技术总结
本公开提供一种显示基板及显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的叠层器件的驱动电压比传统的单层器件大的问题。本公开的一种显示基板，其包括衬底基板，以及设置在衬底基板上的多个有机电致发光二极管。其中，有机电致发光二极管包括依次设置在衬底基板上的第一电极层和第二电极层；叠置在第一电极层和第二电极层之间的至少两层发光层；叠层设置在任意两相邻设置的发光层之间的N型电荷产生层和P型电荷产生层，N型电荷产生层掺杂有金属镱。其中，显示基板还包括辅助电极层，N型电荷产生层和P型电荷产生层中的至少一者与辅助电极层直接接触，且在衬底基板上的正投影覆盖辅助电极层在衬底基板上的正投影。

技术研发人员：高营昌,黄亚丽
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/27