一种烟草薄片等离子体面射流处理装置的制作方法

本技术涉等离子体设备，尤其涉及的是一种烟草薄片等离子体面射流处理装置。

背景技术：

1、等离子体是由部分电子被剥夺后的原子及原子团被电离后产生的正负离子组成的离子化气体状物质，其被认为是在固、液、气态之外物质的第四种状态，是电子、离子、原子、分子、自由基、光等的集合体。通常，等离子体可以在某些条件下通过气体电离产生。

2、低温等离子体由于富含荷能、荷电等活性粒子，在材料表面改性时，能够短时内引起材料表面化学键断裂，形成大量高活性的悬挂键，改善表面微观形貌和耐电性能等，被视为具有潜力的干式、低温表面处理技术。

3、然而，现有的等离子体射流装置通常的放电形式为射线状，为点状喷射，存在处理面积小、处理不均匀的缺陷。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供了一种烟草薄片等离子体面射流处理装置，以实现等离子的大面积均匀喷射。

2、本实用新型是通过以下技术方案实现的：

3、一种烟草薄片等离子体面射流处理装置，包括外壳，所述外壳由侧围板、顶部封板和底部封板构成，侧围板、顶部封板和底部封板之间围成一个发生腔，外壳的顶部封板上固定安装有等离子体发生电极，等离子体发生电极主体部分位于发生腔中，等离子体发生电极顶部伸出顶部封板之外，外壳的底部封板上开有内外贯通的气体输入口，气体输入口外通过气管连接至气源，外壳的侧围板一侧开有条状的等离子体喷口。

4、作为上述装置的优选方案，所述外壳整体外形为正三棱柱形，正三棱柱形状的外壳的其中一个棱边被切开形成所述等离子体喷口。

5、作为上述装置的优选方案，所述气体输入口位于底部封板的中心位置处，等离子体发生电极位于顶部封板的中心位置处。

6、作为上述装置的优选方案，所述侧围板、顶部封板和底部封板均采用石英玻璃绝缘板、陶瓷绝缘板或塑料绝缘板中的任一种。

7、作为上述装置的优选方案，所述外壳的等离子体喷口的宽度为1.0μm～0.5cm。

8、作为上述装置的优选方案，所述外壳的底部封板的气体输出口处设有向下延伸的连接接头，通过连接接头连接气管。

9、本实用新型相比现有技术具有以下优点：

10、本实用新型提供的一种烟草薄片等离子体面射流处理装置，通过在外壳上设置条状的等离子体喷口，使得该装置能产生面状等离子体射流，相对于原有的点状等离子体射流，处理面积更大，处理更均匀，从而实现了等离子体对大面积片状材料的有效处理，拓展了等离子体的应用领域；同时，外壳整体外形设计为正三棱柱形，保证外壳稳定性的同时，便于条状等离子体喷口的加工；此外，将气体输入口设置在底部封板的中心位置处，等离子体发生电极设置在顶部封板的中心位置处，可使得气流在发生腔内顺利流通，均匀分布，进一步保证了从等离子体喷口喷出的等离子体射流的均匀性。

技术特征：

1.一种烟草薄片等离子体面射流处理装置，包括外壳，其特征在于：所述外壳由侧围板、顶部封板和底部封板构成，侧围板、顶部封板和底部封板之间围成一个发生腔，外壳的顶部封板上固定安装有等离子体发生电极，等离子体发生电极主体部分位于发生腔中，等离子体发生电极顶部伸出顶部封板之外，外壳的底部封板上开有内外贯通的气体输入口，气体输入口外通过气管连接至气源，外壳的侧围板一侧开有条状的等离子体喷口。

2.如权利要求1所述的一种烟草薄片等离子体面射流处理装置，其特征在于：所述外壳整体外形为正三棱柱形，正三棱柱形状的外壳的其中一个棱边被切开形成所述等离子体喷口。

3.如权利要求2所述的一种烟草薄片等离子体面射流处理装置，其特征在于：所述气体输入口位于底部封板的中心位置处，等离子体发生电极位于顶部封板的中心位置处。

4.如权利要求1所述的一种烟草薄片等离子体面射流处理装置，其特征在于：所述侧围板、顶部封板和底部封板均采用石英玻璃绝缘板、陶瓷绝缘板或塑料绝缘板中的任一种。

5.如权利要求1所述的一种烟草薄片等离子体面射流处理装置，其特征在于：所述外壳的等离子体喷口的宽度为1.0μm～0.5cm。

6.如权利要求1所述的一种烟草薄片等离子体面射流处理装置，其特征在于：所述外壳的底部封板的气体输出口处设有向下延伸的连接接头，通过连接接头连接气管。

技术总结
本技术公开了一种烟草薄片等离子体面射流处理装置，包括外壳，所述外壳由侧围板、顶部封板和底部封板构成，侧围板、顶部封板和底部封板之间围成一个发生腔，外壳的顶部封板上固定安装有等离子体发生电极，等离子体发生电极主体部分位于发生腔中，等离子体发生电极顶部伸出顶部封板之外，外壳的底部封板上开有内外贯通的气体输入口，气体输入口外通过气管连接至气源，外壳的侧围板一侧开有条状的等离子体喷口。本技术相比现有技术具有以下优点：通过在外壳上设置条状的等离子体喷口，使得该装置能产生面状等离子体射流，相对于原有的点状等离子体射流，处理面积更大，处理更均匀，从而实现了等离子体对大面积片状材料的有效处理。

技术研发人员：张朝,葛少林,孙丽莉,黄兰,佘世科,王健,徐冰霞,田振峰,陈刚,陈明曦
受保护的技术使用者：安徽中烟工业有限责任公司
技术研发日：20230331
技术公布日：2024/1/13