等离子体发生装置的线圈和等离子体发生装置的制作方法

本申请涉及电子线路领域，尤其涉及一种等离子体发生装置的线圈和等离子体发生装置。

背景技术：

1、等离子体发生装置被广泛应用于离子注入，刻蚀以及薄膜沉积等半导体制造工艺中。

2、等离子体发生装置包括放电室、等离子体气体导入部及电磁场导入部等。其中，电磁场导入部可以是线圈。例如，在放电室内部或外部的线圈被供给高频电流，以产生交变电磁场，电磁场的能量传送给放电室的腔体内的气体，从而将气体激发为等离子体。

3、应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

技术实现思路

1、在等离子体发生装置中，需要向等离子工作区域提供所需要能量和密度的等离子体和/或离子。其中，等离子体的密度可以通过离子电流密度来测量。

2、本申请的发明人发现：现有的等离子体发生装置中，使用平面螺旋线圈产生的等离子体的均匀性欠佳。

3、为了解决上述问题或相似的问题，本申请提供一种等离子体发生装置的线圈和等离子体发生装置，在等离子体发生装置的线圈中，将导线的投影面积与线圈的螺旋部的外缘所包围的区域的投影面积的比值设定在适当的范围，由此，能够改善该线圈所产生的等离子体在工作区域内的均匀性，此外，无需校正版等其它辅助工具或额外的控制装置，因此，成本较低，设备简单，使用方便，操作难度下降。

4、根据本申请实施例的一个方面，提供一种等离子体发生装置的线圈，所述线圈包括至少一个由导线卷绕而成的螺旋部，对于所述线圈的至少一个所述螺旋部，所述导线的投影面积(sa)与所述螺旋部的外缘所包围的区域的投影面积(s)的比值为0.07～0.5(即，7％～50％)。

5、在至少一个实施例中，在从所述螺旋部的中心指向所述螺旋部的所述外缘的方向上，所述导线非均匀地分布。

6、在至少一个实施例中，在从所述螺旋部的中心指向所述螺旋部的所述外缘的方向上，所述导线的分布密度提高。

7、在至少一个实施例中，所述螺旋部的中心到所述外缘的距离为第一距离(di)，

8、第二距离是所述第一距离的一半，

9、在围绕所述螺旋部的中心，并且距离所述螺旋部的中心的最大距离为所述第二距离的第一区域内：

10、所述导线的投影面积(sa1)与所述第一区域的投影面积(s1)的比值为0～0.5。

11、在至少一个实施例中，所述螺旋部中心到所述外缘的距离为第一距离(di)，

12、第二距离是所述第一距离的一半，

13、在围绕所述螺旋部的中心，并且距离所述螺旋部的中心的距离大于或等于所述第二距离且小于或等于所述第一距离的第二区域内：

14、所述导线的投影面积(sa2)与所述第二区域的投影面积(s2)的比值为0.2～0.8。

15、在至少一个实施例中，所述导线的截面形状的轮廓为由曲线段和/或直线段形成的形状。

16、根据本申请实施例的另一个方面，提供一种等离子体发生装置，该等离子体发生装置包括上述实施例的任一方面所述的线圈。

17、本申请的有益效果在于：在等离子体发生装置的线圈中，将导线的投影面积与线圈的螺旋部的外缘所包围的区域的投影面积的比值设定在适当的范围，

18、参照后文的说明和附图，详细公开了本申请的特定实施方式，指明了本申请的原理可以被采用的方式。应该理解，本申请的实施方式在范围上并不因而受到限制。在所附权利要求的精神和条款的范围内，本申请的实施方式包括许多改变、修改和等同。

技术特征：

1.一种等离子体发生装置的线圈，所述线圈包括至少一个由导线卷绕而成的螺旋部，其特征在于，

2.如权利要求1所述的线圈，其特征在于，

3.如权利要求2所述的线圈，其特征在于，

4.如权利要求1至3中任一项所述的线圈，其特征在于，

5.如权利要求1至3中任一项所述的线圈，其特征在于，

6.如权利要求1至3中任一项所述的线圈，其特征在于，

7.一种等离子体发生装置，其特征在于，所述等离子体发生装置具有如权利要求1至6中任一项所述的线圈。

技术总结
本申请实施例提供一种等离子体发生装置的线圈和等离子体发生装置，该线圈包括至少一个由导线卷绕而成的螺旋部，对于所述线圈的至少一个所述螺旋部，所述导线的投影面积Sa与所述螺旋部的外缘所包围的区域的投影面积S的比值为0.07～0.5。本申请的线圈能够改善该线圈导入的电磁场所产生的等离子体的均匀性。

技术研发人员：长江亦周,青山贵昭,冈田胜久,渡边健
受保护的技术使用者：株式会社新柯隆
技术研发日：20230519
技术公布日：2024/1/15