一种新型透明EMI屏蔽膜的制作方法

本技术涉及，具体为一种新型透明emi屏蔽膜。

背景技术：

1、emi屏蔽膜是指一种具有电磁干扰屏蔽功能的塑料膜，主要用于电子设备中的复杂线路、电子器件等重要部位，以避免电磁波干扰对设备造成负面影响。随着科技的不断发展和数字化的快速普及，电子产品所面临的电磁干扰问题越来越突出，emi屏蔽技术的研究和应用变得越来越重要。emi屏蔽膜的研发旨在寻找一种高效、低成本、简单易操作的屏蔽方法，以满足各种应用场景的需求。然而，这并不是易如反掌的任务，因为emi屏蔽材料必须具备许多特定特性，如良好的耐腐蚀性、高导电性、低比重和优异的加工性能。此外，为了满足各种不同的应用需求，如用于移动设备中的较小模块或用于电动汽车中的较大尺寸涂层等等，emi屏蔽膜还需符合不同的厚度、柔韧性和耐久性要求。emi屏蔽膜的广泛应用，让厂家们开始积极投入资金和人力资源进行研发，以开发出更加适用的新型材料。经过多年的不断探索和实验，诸如导电涂料、金属薄膜、碳纳米管和多壁碳纳米管等新材料被开发出来，并取得了长足的进展。虽然emi屏蔽膜技术还有很多问题需要解决，但是，随着科技的进步和材料科学的不断发展，emi屏蔽膜的研究和应用将会不断取得新的突破和进展，为电子设备的发展和提升带来了更多的可能性和机遇。

2、但现有emi屏蔽膜通常是黑色或银色的，这会阻碍人们对电子器件内部的观察，增加了维护工作和检修难度，并具有重量大、占用空间大等的问题，为此我们提出一种新型透明emi屏蔽膜。

技术实现思路

1、(一)解决的技术问题

2、针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种新型透明emi屏蔽膜，以解决上述背景技术中提出的问题。

3、(二)技术方案

4、为实现以上目的，本实用新型通过以下技术方案予以实现：一种新型透明emi屏蔽膜，包括屏蔽膜主体，所述屏蔽膜主体的顶部表层固定连接有第一屏蔽膜层，所述第一屏蔽膜层的底部固定连接有第二屏蔽膜层，所述第二屏蔽膜层的底部固定连接有第三屏蔽膜层，所述第三屏蔽膜层的底部固定连接有第四屏蔽膜层，所述第四屏蔽膜层的底部固定连接有第五屏蔽膜层，所述第五屏蔽膜层的底部固定连接有第六屏蔽膜层。

5、进一步优选的，所述第一屏蔽膜层采用pet材料加工而成，所述第一屏蔽膜层的厚度为15nm～20nm。

6、进一步优选的，所述第二屏蔽膜层为镀银层，所述第二屏蔽膜层的厚度为20nm～30nm。

7、进一步优选的，所述第三屏蔽膜层和第五屏蔽膜层均由丙烯酸胶材料加工而成，所述第三屏蔽膜层和第五屏蔽膜层的厚度为10nm。

8、进一步优选的，所述第四屏蔽膜层采用pet材料对镀银层进行压制定型而成，所述第四屏蔽膜层的厚度为26nm～30nm。

9、进一步优选的，所述第六屏蔽膜层采用pet离型薄膜进行贴合成型，所述第六屏蔽膜层的厚度为15nm～20nm。

10、(三)有益效果

11、本实用新型提供了一种新型透明emi屏蔽膜，具备以下有益效果：

12、(1)、该种新型透明emi屏蔽膜，通过设置的第一屏蔽膜层、第二屏蔽膜层、第三屏蔽膜层、第四屏蔽膜层、第五屏蔽膜层和第六屏蔽膜层，该种透明emi屏蔽膜由多层不同材料和导电涂层组成，使得emi屏蔽膜具有较高的透明性，当应用在电子设备上时可以使得电子设备内部的现象一目了然，大大提高了设备的可维护性和可靠性，此外，透明的emi屏蔽膜还可以有效地防止电磁波的影响，并保证屏蔽效果不受损失，相较于传统的emi屏蔽膜，透明的emi屏蔽膜具有质轻、易于裁剪、结构简单等优势，配合透明的特性，更加适应目前高级电子设备的高端需求，因此，透明emi屏蔽膜具有很高的实用价值和广泛的应用前景，不仅可以解决电子设备内部维护时的难题，更能够在大大减小电子器件尺寸纵深等方面，增加产品竞争力。

技术特征：

1.一种新型透明emi屏蔽膜，包括屏蔽膜主体(1)，其特征在于：所述屏蔽膜主体(1)的顶部表层固定连接有第一屏蔽膜层(2)，所述第一屏蔽膜层(2)的底部固定连接有第二屏蔽膜层(3)，所述第二屏蔽膜层(3)的底部固定连接有第三屏蔽膜层(4)，所述第三屏蔽膜层(4)的底部固定连接有第四屏蔽膜层(5)，所述第四屏蔽膜层(5)的底部固定连接有第五屏蔽膜层(6)，所述第五屏蔽膜层(6)的底部固定连接有第六屏蔽膜层(7)。

2.根据权利要求1所述的一种新型透明emi屏蔽膜，其特征在于：所述第一屏蔽膜层(2)采用pet材料加工而成，所述第一屏蔽膜层(2)的厚度为15nm～20nm。

3.根据权利要求1所述的一种新型透明emi屏蔽膜，其特征在于：所述第二屏蔽膜层(3)为镀银层，所述第二屏蔽膜层(3)的厚度为20nm～30nm。

4.根据权利要求1所述的一种新型透明emi屏蔽膜，其特征在于：所述第三屏蔽膜层(4)和第五屏蔽膜层(6)均由丙烯酸胶材料加工而成，所述第三屏蔽膜层(4)和第五屏蔽膜层(6)的厚度为10nm。

5.根据权利要求1所述的一种新型透明emi屏蔽膜，其特征在于：所述第四屏蔽膜层(5)采用pet材料对镀银层进行压制定型而成，所述第四屏蔽膜层(5)的厚度为26nm～30nm。

6.根据权利要求1所述的一种新型透明emi屏蔽膜，其特征在于：所述第六屏蔽膜层(7)采用pet离型薄膜进行贴合成型，所述第六屏蔽膜层(7)的厚度为15nm～20nm。

技术总结
本技术公开了一种新型透明EMI屏蔽膜，包括屏蔽膜主体，屏蔽膜主体的顶部表层固定连接有第一屏蔽膜层，第一屏蔽膜层的底部固定连接有第二屏蔽膜层，第二屏蔽膜层的底部固定连接有第三屏蔽膜层，第三屏蔽膜层的底部固定连接有第四屏蔽膜层，第四屏蔽膜层的底部固定连接有第五屏蔽膜层，第五屏蔽膜层的底部固定连接有第六屏蔽膜层，通过设置的第一屏蔽膜层、第二屏蔽膜层、第三屏蔽膜层、第四屏蔽膜层、第五屏蔽膜层和第六屏蔽膜层，透明EMI屏蔽膜具有很高的实用价值和广泛的应用前景，不仅可以解决电子设备内部维护时的难题，更能够在大大减小电子器件尺寸纵深等方面，增加产品竞争力。

技术研发人员：金耀光,方新杰,卓志达,李伟涛,杨立生
受保护的技术使用者：深圳市韬略科技有限公司
技术研发日：20230523
技术公布日：2024/1/14