射频开关电路以及射频前端模组的制作方法

本申请涉及射频，尤其涉及一种射频开关电路以及射频前端模组。

背景技术：

1、在射频前端电路中，射频开关是必不可少的元件之一。射频开关可用于将天线电连接到射频系统的发射路径或接收路径，从而允许多个部件接入天线。

2、在传统的射频开关中，对发射端口、接收端口之间的串联场效应管与并联场效应管进行通断控制时，通过控制信号源为场效应管提供直流工作电压，以在场效应管中产生相对负压而控制场效应管的导通与关断。现有技术的射频开关电路中设有多个电容对控制信号源产生的直流信号进行隔离，造成射频开关电路的电路面积较大，制备成本较高。

技术实现思路

1、本申请提出了一种射频开关电路以及射频前端模组。

2、第一方面，本申请实施例提供了一种射频开关电路，包括：第一传输端口；多个第二传输端口；多个射频开关单元，每个所述射频开关单元的第一端口均与所述第一传输端口相连，每个所述射频开关单元的第二端口对应连接一个所述第二传输端口，每个所述射频开关单元的第三端口接地，多个所述射频开关单元用于将所述第一传输端口与所述多个第二传输端口中的一个或多个选择性导通；其中，每个所述射频开关单元包括串联支路以及并联支路，所述串联支路包括至少一个第一场效应管，所述并联支路包括至少一个第二场效应管，且所述第一场效应管与所述第二场效应管为导通条件相反的场效应管。

3、可选地，所述串联支路的第一端连接所述第一端口，所述串联支路的第二端连接所述第二端口，所述并联支路的第一端连接所述第二端口，所述并联支路的第二端连接所述第三端口。

4、可选地，所述串联支路包括一个所述第一场效应管、第一电容以及第二电容，所述并联支路包括一个所述第二场效应管以及第三电容；所述第一场效应管的第一端与所述第二场效应管的第一端均与所述第一电容的第一端相连，所述第一电容的第二端连接所述串联支路的第二端；所述第二电容的第一端连接所述串联支路的第一端，所述第二电容的第二端连接所述第一场效应管的第二端；所述第三电容的第一端连接所述第二场效应管的第二端，所述第三电容的第二端连接所述并联支路的第二端。

5、可选地，所述串联支路包括多个所述第一场效应管，所述并联支路包括多个所述第二场效应管，多个所述第一场效应管之间串联连接，多个所述第二场效应管之间串联连接，多个所述第一场效应管为导通条件相同的场效应管，多个所述第二场效应管为导通条件相同的场效应管。

6、可选地，每个所述第一场效应管的第三端与每个所述第二场效应管的第三端连接每个所述射频开关单元对应的第一控制信号源；每个所述第一场效应管的第二端、每个所述第一场效应管的第一端、每个所述第二场效应管的第二端以及每个所述第二场效应管的第一端连接每个所述射频开关单元对应的第二控制信号源。

7、可选地，每个所述射频开关单元中所述串联支路中的每个所述第一场效应管为n型金属氧化物半导体场效应管，所述并联支路中的每个所述第二场效应管为p型金属氧化物半导体场效应管。

8、可选地，每个所述串联支路用于在所述第一控制信号源输出高电平信号，且所述第二控制信号源输出低电平信号的情况下导通，每个所述串联支路用于在所述第一控制信号源输出所述低电平信号，且所述第二控制信号源输出所述高电平信号的情况下关断；每个所述并联支路用于在所述第一控制信号源输出所述高电平信号，且所述第二控制信号源输出所述低电平信号的情况下关断，每个所述并联支路用于在所述第一控制信号源输出所述低电平信号，且所述第二控制信号源输出所述高电平信号的情况下导通。

9、可选地，每个所述射频开关单元中所述串联支路中的每个所述第一场效应管为p型金属氧化物半导体场效应管，所述并联支路中的每个所述第二场效应管为n型金属氧化物半导体场效应管。

10、可选地，每个所述串联支路用于在所述第一控制信号源输出低电平信号，且所述第二控制信号源输出高电平信号的情况下导通，每个所述串联支路用于在所述第一控制信号源输出所述高电平信号，且所述第二控制信号源输出所述低电平信号的情况下关断；每个所述并联支路用于在所述第一控制信号源输出所述低电平信号，且所述第二控制信号源输出所述高电平信号的情况下关断，每个所述并联支路用于在所述第一控制信号源输出所述高电平信号，且所述第二控制信号源输出所述低电平信号的情况下导通。

11、可选地，所述高电平信号为每个所述第一场效应管以及每个所述第二场效应管对应的工作电压，所述低电平信号为0v。

12、第二方面，本申请实施例提供了一种射频前端模组，包括上述的射频开关电路。

13、本申请实施例提供的射频开关电路包括：第一传输端口；多个第二传输端口；多个射频开关单元，每个射频开关单元的第一端口均与第一传输端口相连，每个射频开关单元的第二端口对应连接一个第二传输端口，每个射频开关单元的第三端口接地，多个射频开关单元用于将第一传输端口与多个第二传输端口中的一个或多个选择性导通；其中，每个射频开关单元包括串联支路以及并联支路，串联支路包括至少一个第一场效应管，并联支路包括至少一个第二场效应管，且第一场效应管与第二场效应管为导通条件相反的场效应管。如此，通过设置第一传输端口与每个第二传输端口之间的射频开关单元中串联支路的第一场效应管与并联支路的第二场效应管导通条件相反，控制射频开关单元通断时，为每个场效应管提供直流信号，同时串联支路与并联支路连接处第一场效应管与第二场效应管所需直流信号相等，可通过共用电容以避免在串联支路以及并联支路的每个端口处均设置电容，减少了每个射频开关单元中电容的使用，并减小了射频开关电路的使用面积，使得电路制造成本较低。

技术特征：

1.一种射频开关电路，其特征在于，所述射频开关电路包括；

2.根据权利要求1所述的射频开关电路，其特征在于，所述串联支路的第一端连接所述第一端口，所述串联支路的第二端连接所述第二端口，所述并联支路的第一端连接所述第二端口，所述并联支路的第二端连接所述第三端口。

3.根据权利要求2所述的射频开关电路，其特征在于，所述串联支路包括一个所述第一场效应管、第一电容以及第二电容，所述并联支路包括一个所述第二场效应管以及第三电容；

4.根据权利要求1所述的射频开关电路，其特征在于，所述串联支路包括多个所述第一场效应管，所述并联支路包括多个所述第二场效应管，多个所述第一场效应管之间串联连接，多个所述第二场效应管之间串联连接，多个所述第一场效应管为导通条件相同的场效应管，多个所述第二场效应管为导通条件相同的场效应管。

5.根据权利要求1所述的射频开关电路，其特征在于，每个所述第一场效应管的第三端与每个所述第二场效应管的第三端连接每个所述射频开关单元对应的第一控制信号源；

6.根据权利要求5所述的射频开关电路，其特征在于，每个所述射频开关单元中所述串联支路中的每个所述第一场效应管为n型金属氧化物半导体场效应管，所述并联支路中的每个所述第二场效应管为p型金属氧化物半导体场效应管。

7.根据权利要求6所述的射频开关电路，其特征在于，每个所述串联支路用于在所述第一控制信号源输出高电平信号，且所述第二控制信号源输出低电平信号的情况下导通，每个所述串联支路用于在所述第一控制信号源输出所述低电平信号，且所述第二控制信号源输出所述高电平信号的情况下关断；

8.根据权利要求5所述的射频开关电路，其特征在于，每个所述射频开关单元中所述串联支路中的每个所述第一场效应管为p型金属氧化物半导体场效应管，所述并联支路中的每个所述第二场效应管为n型金属氧化物半导体场效应管。

9.根据权利要求8所述的射频开关电路，其特征在于，每个所述串联支路用于在所述第一控制信号源输出低电平信号，且所述第二控制信号源输出高电平信号的情况下导通，每个所述串联支路用于在所述第一控制信号源输出所述高电平信号，且所述第二控制信号源输出所述低电平信号的情况下关断；

10.根据权利要求7或9所述的射频开关电路，其特征在于，所述高电平信号为每个所述第一场效应管以及每个所述第二场效应管对应的工作电压，所述低电平信号为0v。

11.一种射频前端模组，其特征在于，包括如权利要求1至10任一项所述的射频开关电路。

技术总结
本申请公开了一种射频开关电路以及射频前端模组，涉及射频技术领域。包括：第一传输端口；多个第二传输端口；多个射频开关单元，用于将第一传输端口与多个第二传输端口中的一个或多个选择性导通；每个射频开关单元包括串联支路以及并联支路，串联支路包括至少一个第一场效应管，并联支路包括至少一个第二场效应管，且第一场效应管与第二场效应管导通条件相反。如此，通过设置射频开关单元中串联支路中的第一场效应管与并联支路中的第二场效应管导通条件相反，串联支路与并联支路连接处的场效应管所需直流信号相等，减少了每个射频开关单元中电容的使用数量，进而减小了电路的使用面积以及制造成本。

技术研发人员：黄浦桓,王蕴洲,王欢,奉靖皓,倪建兴
受保护的技术使用者：锐磐微电子科技（上海）有限公司
技术研发日：20230609
技术公布日：2024/1/15