电子设备的制作方法

文档序号:36213270发布日期:2023-11-30 07:51阅读:26来源:国知局
电子设备的制作方法

本公开涉及终端,尤其涉及一种电子设备。


背景技术:

1、热熔连接被广泛用于设备内一些非金属件与非金属件之间的连接,其原理是针对连接的热熔柱进行加热,在加热升温至熔点后热熔柱液化,实现非金属件与非金属件之间的搭接,冷却后固化从而连接非金属件与非金属件。


技术实现思路

1、本公开提供一种电子设备,以解决相关技术中的不足。

2、根据本公开的实施例,提供一种电子设备,包括:

3、壳体,所述壳体包括位于内侧的第一台阶面和第二台阶面;

4、主板,所述主板堆叠于所述第一台阶面,所述主板包括靠近所述第二台阶面的避让口;

5、热熔件,所述热熔件连接于所述第一台阶面并穿设所述避让口,所述热熔件的至少部分熔融胶与所述第二台阶面连接。

6、可选的,所述第二台阶面向内凹陷形成过渡区,所述热熔件的熔融胶与所述过渡区连接。

7、可选的,所述过渡区的凹陷深度大于或者等于0.45毫米。

8、可选的,熔融于所述过渡区内的熔融胶低于所述第二台阶面。

9、可选的,所述壳体包括第一壳体和第二壳体,所述第一壳体包括所述第一台阶面和所述第二台阶面;

10、所述第二壳体包括主体和自所述主体朝所述第二台阶面延伸的第一延伸部;

11、所述电子设备还包括胶体,所述胶体粘接于所述第二台阶面和所述第一延伸部之间。

12、可选的,所述第一壳体包括自所述第二台阶面延伸的第二延伸部,所述第二延伸部与所述主体抵接,并包围所述第一延伸部。

13、可选的,所述热熔件包括缺口,所述缺口自所述热熔件靠近所述壳体内侧的表面向内凹陷。

14、可选的,所述热熔件包括伸出所述避让口的热熔端,所述热熔端位于所述热熔件靠近所述壳体内表面的一侧。

15、可选的,还包括设置于所述主板的器件模组,所述器件模组与所述避让口之间的间隔距离大于或者等于0.7毫米。

16、可选的,所述电子设备包括耳机或者可穿戴手表。

17、本公开的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果:

18、由上述实施例可知,本公开通过壳体的第二台阶面来与热熔件熔融后的熔融胶连接,从而可以减少熔融胶在主板上的占用面积,有利于增加主板上的可布件区域面积,而且避让口靠近第二台阶面设置,相对于主板而言位于边缘区域,有利于主板中部的走线布局。

19、应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本公开。



技术特征:

1.一种电子设备,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的电子设备,其特征在于,所述第二台阶面向内凹陷形成过渡区,所述热熔件的熔融胶与所述过渡区连接。

3.根据权利要求2所述的电子设备,其特征在于,所述过渡区的凹陷深度大于或者等于0.45毫米。

4.根据权利要求3所述的电子设备,其特征在于,熔融于所述过渡区内的熔融胶低于所述第二台阶面。

5.根据权利要求1所述的电子设备,其特征在于,所述壳体包括第一壳体和第二壳体,所述第一壳体包括所述第一台阶面和所述第二台阶面;

6.根据权利要求5所述的电子设备,其特征在于,所述第一壳体包括自所述第二台阶面延伸的第二延伸部,所述第二延伸部与所述主体抵接,并包围所述第一延伸部。

7.根据权利要求1所述的电子设备,其特征在于,所述热熔件包括缺口,所述缺口自所述热熔件靠近所述壳体内侧的表面向内凹陷。

8.根据权利要求1所述的电子设备,其特征在于,所述热熔件包括伸出所述避让口的热熔端,所述热熔端位于所述热熔件靠近所述壳体内表面的一侧。

9.根据权利要求1所述的电子设备,其特征在于,还包括设置于所述主板的器件模组,所述器件模组与所述避让口之间的间隔距离大于或者等于0.7毫米。

10.根据权利要求1所述的电子设备,其特征在于,所述电子设备包括耳机或者可穿戴手表。


技术总结
本公开是关于一种电子设备。电子设备包括:壳体,所述壳体包括位于内侧的第一台阶面和第二台阶面;主板,所述主板堆叠于所述第一台阶面,所述主板包括靠近所述第二台阶面的避让口;热熔件,所述热熔件连接于所述第一台阶面并穿设所述避让口,所述热熔件的至少部分熔融胶与所述第二台阶面连接。

技术研发人员:孙永光
受保护的技术使用者:北京小米移动软件有限公司
技术研发日:20230612
技术公布日:2024/1/15
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